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公开(公告)号：KR101333678B1
公开(公告)日：2013-11-28
申请号：KR1020110118346
申请日：2011-11-14
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 고품질 질화물 반도체 박막 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 고품질 질화물 반도체 박막의 제조방법은 (a) 기판 상에 제1 온도로 제1 질화물 반도체층을 형성하는 단계; (b) 상기 제1 질화물 반도체층 상에 제2 온도로 저온 결함감소층을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 저온 결함감소층 상에 제3 온도로 제2 질화물 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 제2 온도는 제1 및 제3 온도보다 낮은 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 고품질 질화물 반도체 박막 및 그의 제조 방법은 고온에서 형성되는 제1 및 제2 질화물 반도체층 사이에 저온 결함감소층을 형성함으로써, 기판과 질화물 반도체 결정 사이의 격자 정수 차, 열팽창 계수 차로 인해 결정의 성장방향으로 전달되는 결함, 즉, 관통전위를 차단하게 되어, 박막의 표면의 결정성, 광학적 특성 및 표면 프로파일 특성도 향상시킬 수 있다는 장점을 갖는다.
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2.发明公开
公开(公告)号：KR1020120090189A
公开(公告)日：2012-08-17
申请号：KR1020110010469
申请日：2011-02-07
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L21/02458 , H01L33/16
Abstract: PURPOSE: A method for forming a nitride thin film on an m-surface sapphire substrate and the nitride semiconductor manufactured thereby are provided to increase photoluminescence intensity by epitaxially re-growing an etching surface after a heat etching process. CONSTITUTION: An M-surface sapphire substrate(10) is nitrified. A nitride thin film(32) is formed by epitaxially growing the nitrified M-surface sapphire substrate with nitride materials under a high temperature hydrogen atmosphere. The M-surface sapphire substrate is nitrified within an MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition) chamber in an atmosphere including hydrogen gas and ammonia gas for over 5 minutes. The growth temperature for the nitrified M-surface sapphire substrate is 1030°C. The nitride materials include GaN(Gallium Nitride).
Abstract translation: 目的：提供一种在m面蓝宝石衬底上形成氮化物薄膜的方法和由其制造的氮化物半导体，以通过在热蚀刻工艺之后外延再生蚀刻表面来提高光致发光强度。 构成：M表面蓝宝石衬底（10）被硝化。 通过在高温氢气氛下用氮化物材料外延生长硝化的M面蓝宝石衬底来形成氮化物薄膜（32）。 M表面蓝宝石衬底在包含氢气和氨气的气氛中在MOCVD（金属有机化学气相沉积）室内硝化超过5分钟。 硝化的M面蓝宝石衬底的生长温度为1030℃。 氮化物材料包括GaN（氮化镓）。
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公开(公告)号：KR101277365B1
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：KR1020110010469
申请日：2011-02-07
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 m-면 사파이어 기판에 질화물계 박막을 형성하는 방법 및 이에 의해 제조된 질화물계 반도체에 관한 것이다. 본 발명에 따른 질화물계 박막을 형성하는 방법은 (A) m-면 사파이어 기판을 질화 처리하는 단계와; (B) 상기 질화 처리된 m-면 사파이어 기판을 고온 수소 분위기 하에서 질화물계 물질을 기 설정된 제1 성장 시간 동안 에피텍셜 성장시켜 에피텍셜 성장층을 형성하는 단계와; (C) 상기 에피텍셜 성장층의 표면을 열 에칭시켜 상기 에피텍셜 성장층의 표면에 식각면을 형성하는 단계와; (D) 고온 수소 분위기 하에서 기 설정된 제2 성장 시간 동안 상기 식각면으로부터 질화물계 물질을 에피텍셜 성장시켜 질화물계 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, m-면 사파이어 기판 상에 질화물계 박막을 형성하는데 있어, 표면 특성과 결정성, 광학적 효율을 증가시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130052964A
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：KR1020110118346
申请日：2011-11-14
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A high quality nitride semiconductor thin film and a manufacturing method thereof are provided to improve a surface profile property by forming a low temperature defect reducing layer between a first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer. CONSTITUTION: A first nitride semiconductor layer(110) is formed on a substrate at a first temperature. A low temperature defect reducing layer(120) is formed on the first nitride semiconductor layer. A second nitride semiconductor layer(130) is formed on the low temperature defect reducing layer at a third temperature. The second temperature is lower than the first temperature and the third temperature. [Reference numerals] (AA) Growth temperature; (BB) Growth time
Abstract translation: 目的：提供一种高质量的氮化物半导体薄膜及其制造方法，以通过在第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层之间形成低温缺陷降低层来改善表面轮廓特性。 构成：在第一温度下在基板上形成第一氮化物半导体层（110）。 在第一氮化物半导体层上形成低温缺陷降低层（120）。 在第三温度下在低温缺陷还原层上形成第二氮化物半导体层（130）。 第二温度低于第一温度和第三温度。 （附图标记）（AA）生长温度; （BB）成长时间
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