公开(公告)号：KR1020170011932A

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：KR1020150119100

申请日：2015-08-24

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 우서휘 ,  최의호 ,  이상일 ,  남옥현

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311

Abstract: 본발명은질화물반도체기판제조방법에관한것으로서, 보다구체적으로는화학기상식각에의한공극및 열응력차이를이용하여질화물반도체기판을예비기판으로부터자발적으로분리(self-separation)되도록하여저결함질화물반도체기판을제조하는방법에관한것이다. 저결함질화문반도체기판제조방법으로서, 예비기판의상부에질화물반도체템플레이트층을형성시키는단계; 상기예비기판및 상기질화물반도체템플레이트층을화학기상식각하여, 상기예비기판과상기질화물반도체템플레이트층의계면에공극(void)을형성시키는단계; 상기질화물반도체템플레이트층상부에질화물반도체를재성장시켜상기질화물반도체템플레이트층을포함하는질화물반도체기판을형성시키는단계; 상기예비기판과상기질화물반도체기판이열응력차이에의하여상기예비기판과상기질화물반도체기판이자가분리(self-separation)되는단계;를포함할수 있다. 나아가, 상기각 단계는 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)를이용하여인시추(in-situ) 방식으로수행되는방법을개시한다.