公开(公告)号：KR102230458B1

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：KR1020190088718A

申请日：2019-07-23

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  유근호 ,  최의호 ,  신희진

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02376 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/324

Abstract: 본 발명은 다이아몬드 기판 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 다이아몬드 기판 제조 방법은, 사파이어(Al
2 O
3 ) 등의 기판 상에 포토레지스트 패턴 및 에어갭 형성막 물질을 열처리 등을 이용하여 하부기판과의 결정적 상관성을 갖는 에어갭 구조를 형성한 후 다이아몬드를 성장시키는 방법이다. 이 방법을 통해 대면적/대구경 단결정 다이아몬드를 이종성장 시 공정을 간단하게 하고 비용을 낮추며, 이종기판과 다이아몬드 사이의 격자상수 및 열팽창계수 차이로 인한 응력을 완화시키고 온도 하강 시에도 결함이나 크랙 발생을 감소시켜 고품질의 단결정 다이아몬드 기판을 제작하고, 이종기판으로부터 다이아몬드 기판의 자가 분리가 용이하게 이루어질 수 있다.

公开(公告)号：WO2020111789A2

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：PCT/KR2019/016510

申请日：2019-11-27

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  최의호

IPC: H01L29/778

Abstract: 본 발명은 질화알루미늄 기반 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 질화알루미늄(AlN) 기반의 HEMT 소자는, AlN 버퍼층을 사용하되 GaN/AlN 계면에 AlGaN 조성변화층을 삽입하여 2DHG(이차원정공가스)의 생성 정도를 제거 또는 억제해 2DEG(이차원전자가스) 층에 쿨롱끌림(Coulomb drag)의 영향을 감소시키고 2DEG(이차원전자가스)의 이동도를 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：WO2020111790A1

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：PCT/KR2019/016511

申请日：2019-11-27

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  최의호 ,  유근호

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/324

Abstract: 본 발명은 다이아몬드 기판 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 다이아몬드 기판 제조 방법은, 사파이어(Al 2 O 3 ) 등의 기판 상에 포토레지스트 패턴 및 에어갭 형성막 물질을 열처리 등을 이용하여 하부기판과의 결정적 상관성을 갖는 에어갭 구조를 형성한 후 다이아몬드를 성장시키는 방법이다. 이 방법을 통해 대면적/대구경 단결정 다이아몬드를 이종성장 시 공정을 간단하게 하고 비용을 낮추며, 이종기판과 다이아몬드 사이의 격자상수 및 열팽창계수 차이로 인한 응력을 완화시키고 온도 하강 시에도 결함이나 크랙 발생을 감소시켜 고품질의 단결정 다이아몬드 기판을 제작하고, 이종기판으로부터 다이아몬드 기판의 자가 분리가 용이하게 이루어질 수 있다.

公开(公告)号：WO2020111789A3

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：PCT/KR2019/016510

申请日：2019-11-27

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  최의호

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/66

Abstract: 본 발명은 질화알루미늄 기반 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 질화알루미늄(AlN) 기반의 HEMT 소자는, AlN 버퍼층을 사용하되 GaN/AlN 계면에 AlGaN 조성변화층을 삽입하여 2DHG(이차원정공가스)의 생성 정도를 제거 또는 억제해 2DEG(이차원전자가스) 층에 쿨롱끌림(Coulomb drag)의 영향을 감소시키고 2DEG(이차원전자가스)의 이동도를 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020170011932A

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：KR1020150119100

申请日：2015-08-24

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 우서휘 ,  최의호 ,  이상일 ,  남옥현

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311

Abstract: 본발명은질화물반도체기판제조방법에관한것으로서, 보다구체적으로는화학기상식각에의한공극및 열응력차이를이용하여질화물반도체기판을예비기판으로부터자발적으로분리(self-separation)되도록하여저결함질화물반도체기판을제조하는방법에관한것이다. 저결함질화문반도체기판제조방법으로서, 예비기판의상부에질화물반도체템플레이트층을형성시키는단계; 상기예비기판및 상기질화물반도체템플레이트층을화학기상식각하여, 상기예비기판과상기질화물반도체템플레이트층의계면에공극(void)을형성시키는단계; 상기질화물반도체템플레이트층상부에질화물반도체를재성장시켜상기질화물반도체템플레이트층을포함하는질화물반도체기판을형성시키는단계; 상기예비기판과상기질화물반도체기판이열응력차이에의하여상기예비기판과상기질화물반도체기판이자가분리(self-separation)되는단계;를포함할수 있다. 나아가, 상기각 단계는 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)를이용하여인시추(in-situ) 방식으로수행되는방법을개시한다.

公开(公告)号：KR102211209B1

公开(公告)日：2021-02-03

申请号：KR1020190062672

申请日：2019-05-28

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  최의호

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/66

Abstract: 본발명은질화알루미늄기반트랜지스터의제조방법에관한것으로서, 본발명의질화알루미늄(AlN) 기반의 HEMT 소자는, AlN 버퍼층을사용하되 GaN/AlN 계면에 AlGaN 조성변화층을삽입하여 2DHG(이차원정공가스)의생성정도를제거또는억제해 2DEG(이차원전자가스) 층에쿨롱끌림(Coulomb drag)의영향을감소시키고 2DEG(이차원전자가스)의이동도를향상시킬수 있다.

公开(公告)号：KR102110481B1

公开(公告)日：2020-05-13

申请号：KR1020190062673

申请日：2019-05-28

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  최의호 ,  유근호 ,  신희진

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027

公开(公告)号：KR102230458B1

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：KR1020190088718

申请日：2019-07-23

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  유근호 ,  최의호 ,  신희진

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/324

Abstract: 본발명은다이아몬드기판제조방법에관한것으로서, 본발명의다이아몬드기판제조방법은, 사파이어(Al2O3) 등의기판상에포토레지스트패턴및 에어갭형성막물질을열처리등을이용하여하부기판과의결정적상관성을갖는에어갭구조를형성한후 다이아몬드를성장시키는방법이다. 이방법을통해대면적/대구경단결정다이아몬드를이종성장시 공정을간단하게하고비용을낮추며, 이종기판과다이아몬드사이의격자상수및 열팽창계수차이로인한응력을완화시키고온도하강시에도결함이나크랙발생을감소시켜고품질의단결정다이아몬드기판을제작하고, 이종기판으로부터다이아몬드기판의자가분리가용이하게이루어질수 있다.