公开(公告)号：KR1020130017112A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：KR1020110079338

申请日：2011-08-10

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  이성훈 ,  김민철 ,  이경재

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16

Abstract: PURPOSE: A high efficiency semiconductor photo device structure having an electron tunneling barrier layer and a manufacturing method thereof are provided to improve optical extraction efficiency by inserting an electron tunneling barrier between a N-type GaN layer and a multi quantum well. CONSTITUTION: An electron tunneling barrier layer(232) is formed on an N-type nitride semiconductor layer(AlxInyGa1-x-yNs (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)). A multiple quantum well(233) is formed on the ETB layer as an active layer. A P-type nitride semiconductor layer(235) is formed on the multiple quantum well. The electron tunneling barrier layer improves the recombination of holes which are injected from a P-type nitride semiconductor layer into the multiple quantum well. [Reference numerals] (210) Substrate; (220) Template layer; (230) LED layer; (234) Removable

Abstract translation: 目的：提供具有电子隧道势垒层的高效半导体光电子器件结构及其制造方法，以通过在N型GaN层与多量子阱之间插入电子隧道势垒来提高光学提取效率。 构成：在N型氮化物半导体层（Al x In y Ga 1-x-y N s（0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1））上形成电子隧道势垒层（232）。 在ETB层上形成多量子阱（233）作为活性层。 在多量子阱上形成P型氮化物半导体层（235）。 电子隧道势垒层改善了从P型氮化物半导体层注入到多量子阱中的空穴的复合。 （附图标记）（210）基板; （220）模板层; （230）LED层; （234）可拆卸

公开(公告)号：KR101277653B1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：KR1020110079338

申请日：2011-08-10

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  이성훈 ,  김민철 ,  이경재

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/06

Abstract: 본 발명은 GaN보다 에너지 밴드갭(Eg)이 큰 ETB층(Electron Tunneling Barrier: 전자 터널링 배리어층)을 N형 GaN층과 활성층인 MQW층(Multi Quantum Well: 다중 양자 우물층) 사이에 삽입하여 터널링 효과로 인한 MQW층에서의 전자와 홀(hole)의 비율을 맞추고 캐리어 범람현상을 감소시켜 기존의 EBL층(Electron Blocking Layer: 전자 차단층)을 사용하지 않아도 내부양자효율과 광추출 효율을 향상시키며, EBL층이 필요 없기 때문에 홀 주입이 증가되어 효율을 더욱 높일 수 있는 고품질 반도체 광소자 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다.