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公开(公告)号：KR1020140121637A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：KR1020130038113
申请日：2013-04-08
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0008 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L2924/12041 , H01L2933/0058
Abstract: 본 발명은 금속 전극과 접촉되는 p-GaN층 없이 그 대신에 밴드 갭 에너지가 큰 AlGaN 등 Al
x In
y Ga
1
-xy N(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0Abstract translation: 本发明涉及一种紫外光发射二极管的外延结构，其能够通过增加透光量而不吸收与金属电极接触的层中的紫外线来提高光提取效率，方法是用金属电极 Al x In y Ga 1-x-y N层（0 <= x <=1,0,0≤y≤1,0<= x + y <= 1）像具有大带隙能量的AlGaN代替p-GaN层 与金属电极接触。
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公开(公告)号：KR1020160100426A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：KR1020150022050
申请日：2015-02-13
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/06 , H01L2924/12041
Abstract: DUV LED에있어서, 기판으로부터순차적으로적층된 N형화합물반도체층, 활성층, EBL(Electron Blocking Layer), P형화합물반도체층을가진 DUV LED에있어서, 활성층은세 개의양자우물층및 N형화합물반도체층으로부터세 개의양자우물층을감싸는제1 배리어층, 제2 배리어층, 제3 배리어층및 제4 배리어층을포함하며, 제2 배리어층은샌드위치구조로형성되며, 그중앙에조성비를달리하는제2-A 배리어층을, 제3 배리어층은샌드위치구조로형성되며, 그중앙에조성비를달리하는제3-A 배리어층을, 제4 배리어층은샌드위치구조로형성되며, 그중앙에조성비를달리하는제4-A 배리어층을각 포함하되, 제2-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제3-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제4-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN 이며, (여기서, 0
Abstract translation: 本发明涉及一种使用逐渐陷阱屏障的高效深紫外发光二极管（DUV LED）。 DUV LED包括：半导体层; 活性层 电子阻挡层（EBL）; 和p型化合物半导体层。 有源层包括：三个量子阱层; 以及从N型化合物半导体层包围三个量子阱层的第一阻挡层，第二阻挡层，第三势垒层和第四势垒层。 第二阻挡层形成为夹层结构，并且在其中心具有不同组成比的（2-A）第二阻挡层。 第三阻挡层形成为夹层结构，并且在其中心具有不同组成比的（3-A）第二阻挡层。 （4-A）第一阻挡层形成为夹层结构，并且在其中心具有不同的组成比。
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公开(公告)号：KR1020130076957A
公开(公告)日：2013-07-09
申请号：KR1020110145408
申请日：2011-12-29
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a high quality semiconductor device on a BSFS-free nitride semiconductor is provided to improve the recombination of electrons and holes by using a template layer for restraining a piezoelectric effect. CONSTITUTION: A substrate (110) is prepared. A mask pattern composed of an insulating layer is formed on the substrate. A nitride semiconductor layer is formed. The height of the nitride semiconductor layer is same as the height of the mask pattern. A template layer (120) is formed. A semiconductor device structure is formed on the template layer. [Reference numerals] (110) Substrate; (120) Template layer; (130) LED layer
Abstract translation: 目的：提供一种在无BSFS的氮化物半导体上制造高质量半导体器件的方法，通过使用用于抑制压电效应的模板层来改善电子和空穴的复合。 构成：准备衬底（110）。 在基板上形成由绝缘层构成的掩模图案。 形成氮化物半导体层。 氮化物半导体层的高度与掩模图案的高度相同。 形成模板层（120）。 在模板层上形成半导体器件结构。 （附图标记）（110）基板; （120）模板层; （130）LED层
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公开(公告)号：KR1020130017112A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：KR1020110079338
申请日：2011-08-10
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0008 , H01L33/06 , H01L33/16
Abstract: PURPOSE: A high efficiency semiconductor photo device structure having an electron tunneling barrier layer and a manufacturing method thereof are provided to improve optical extraction efficiency by inserting an electron tunneling barrier between a N-type GaN layer and a multi quantum well. CONSTITUTION: An electron tunneling barrier layer(232) is formed on an N-type nitride semiconductor layer(AlxInyGa1-x-yNs (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)). A multiple quantum well(233) is formed on the ETB layer as an active layer. A P-type nitride semiconductor layer(235) is formed on the multiple quantum well. The electron tunneling barrier layer improves the recombination of holes which are injected from a P-type nitride semiconductor layer into the multiple quantum well. [Reference numerals] (210) Substrate; (220) Template layer; (230) LED layer; (234) Removable
Abstract translation: 目的：提供具有电子隧道势垒层的高效半导体光电子器件结构及其制造方法，以通过在N型GaN层与多量子阱之间插入电子隧道势垒来提高光学提取效率。 构成：在N型氮化物半导体层（Al x In y Ga 1-x-y N s（0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1））上形成电子隧道势垒层（232）。 在ETB层上形成多量子阱（233）作为活性层。 在多量子阱上形成P型氮化物半导体层（235）。 电子隧道势垒层改善了从P型氮化物半导体层注入到多量子阱中的空穴的复合。 （附图标记）（210）基板; （220）模板层; （230）LED层; （234）可拆卸
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101715839B1
公开(公告)日：2017-03-14
申请号：KR1020150022050
申请日：2015-02-13
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/06
Abstract: DUV LED에있어서, 기판으로부터순차적으로적층된 N형화합물반도체층, 활성층, EBL(Electron Blocking Layer), P형화합물반도체층을가진 DUV LED에있어서, 활성층은세 개의양자우물층및 N형화합물반도체층으로부터세 개의양자우물층을감싸는제1 배리어층, 제2 배리어층, 제3 배리어층및 제4 배리어층을포함하며, 제2 배리어층은샌드위치구조로형성되며, 그중앙에조성비를달리하는제2-A 배리어층을, 제3 배리어층은샌드위치구조로형성되며, 그중앙에조성비를달리하는제3-A 배리어층을, 제4 배리어층은샌드위치구조로형성되며, 그중앙에조성비를달리하는제4-A 배리어층을각 포함하되, 제2-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제3-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제4-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN 이며, (여기서, 0
Abstract translation: 本发明涉及一种使用逐渐陷阱屏障的高效深紫外发光二极管（DUV LED）。 DUV LED包括：半导体层; 活性层 电子阻挡层（EBL）; 和p型化合物半导体层。 有源层包括：三个量子阱层; 以及从N型化合物半导体层包围三个量子阱层的第一阻挡层，第二阻挡层，第三势垒层和第四势垒层。 第二阻挡层形成为夹层结构，并且在其中心具有不同组成比的（2-A）第二阻挡层。 第三阻挡层形成为夹层结构，并且在其中心具有不同组成比的（3-A）第二阻挡层。 （4-A）第一阻挡层形成为夹层结构，并且在其中心具有不同的组成比。
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公开(公告)号：KR101471425B1
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：KR1020130054465
申请日：2013-05-14
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은사파이어등의기판위에형성되는질화물반도체층사이에양자섬(Quantum Island)을삽입한후 저결함밀도를갖는질화물반도체층이재성장되도록한 템플레이트층을이용하여, 내부양자효율이향상된고품질반도체소자가제조될수 있는, 고품질반도체소자용기판의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020140089987A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：KR1020130002150
申请日：2013-01-08
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단 , 김진완 , 이경재 , 엄대용 , 전민환
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/68 , H01L21/68757
Abstract: The present invention relates to a wafer cutting device. The present invention comprises a loading stage including a body part with a wafer mounting part in which a wafer is mounted and a first position setting part formed on the body part; a handling cap including a coupling part with a second position setting part setting a position by being coupled to the first position setting part and a guide body part connected to the coupling part and has the penetrated inside; and a cutter moving along the guide body part and cutting the wafer put on the wafer seating part of the loading stage. The present invention has a simple configuration, cheap production costs, and a small size so as to require less installation space. Further, according to the present invention, the wafer can be precisely cut in a predetermined size and be easily cut.
Abstract translation: 晶片切割装置技术领域本发明涉及一种晶片切割装置。 本发明包括装载台，其包括：主体部，其具有安装有晶片的晶片安装部;形成在主体部上的第一位置设定部; 操作帽，其具有与第二位置设定部的联接部，所述第二位置设定部通过联接到所述第一位置设定部而设置位置;以及引导体部，连接到所述联接部，并且具有被穿透的内部; 以及沿着引导体部分移动的切割器，并且切割放置在装载台的晶片座部分上的晶片。 本发明具有简单的结构，廉价的生产成本和小尺寸，从而需要较少的安装空间。 此外，根据本发明，可以将晶片精确地切割成预定尺寸并且易于切割。
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公开(公告)号：KR1020160092247A
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：KR1020150012627
申请日：2015-01-27
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단 , 주식회사 에이디에스테크
Abstract: 본발명은광트랜시버모듈의정렬결합제어기및 제어방법에관한것으로서, 포토다이오드또는레이저다이오드와광통신하며내부에볼렌즈가형성된광섬유소켓과, 상기광섬유소켓의입출력단에연결되는포토다이오드와, 상기광섬유소켓의입출력단에연결되는레이저다이오드를구비하는광트랜시버모듈과, 상기광섬유가연결된상기광섬유소켓을파지하는그리퍼와, 상기그리퍼를상하로구동시키는 Z축구동부와, 상기광섬유소켓에조립될상기포토다이오드또는상기레이저다이오드가안착되며안착된상기포토다이오드또는상기레이저다이오드를평면상에서이동시키면서위치를정렬하는 XY스테이지와, 상기 XY스테이지를 XY축상에서이동시키고상기 Z축구동부를상하로이동시키면서최대출력지점을감지하여상기포토다이오드또는상기레이저다이오드의위치를정렬시키는제어부를구비하여, 광네트워크의트랜시버모듈에사용되는레이저다이오드및 포토다이오드를마이크로미터단위의 XY스테이지에서이동하면서자동으로정확하게위치를정렬하여본딩및 조립할수 있고, 레이저다이오드와포토다이오드의정렬및 결합에사용되는복수의주변장치를하나의보드에통합하여일체형컨트롤러를통해단일화된정렬및 결합작업을구현할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于对准和安装光收发模块的控制器和控制方法。 用于对准和安装光收发器模块的控制器包括：光收发器模块，包括与光电二极管或激光二极管光学连通并且具有形成在其中的球透镜的光纤插座，所述光电二极管连接到所述光收发器模块的输入/输出端 光纤插座，激光二极管连接到光纤插座的输入/输出端; 夹持光纤所连接的光纤插座的夹具; Z轴驱动单元，用于垂直驱动夹具; 将待组装在光纤插座上的光电二极管或激光二极管置于其上的XY平台，以将坐着的光电二极管或激光二极管移动到平面上以对准光电二极管或激光二极管的位置; 以及控制单元，用于在XY平台上移动XY轴并且垂直移动Z轴驱动单元以对准光电二极管或激光二极管的位置时检测最大输出点。 在光网络的光收发模块中使用的光电二极管和激光二极管在千分尺单元的XY平台上移动，位置自动准确对齐，用于粘接和组装。 用于对准和安装光电二极管和激光二极管的多个外围器件集成到单个板中，以使用集成控制器实现集成对准和安装工作。
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公开(公告)号：KR101512958B1
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：KR1020130094636
申请日：2013-08-09
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 사파이어 기판 위에 템플레이트층을 형성함에 있어서 별도의 마스크나 복잡한 공정 없이 시간과 비용을 단축시키기 위하여 간단한 질화처리 또는 Al 처리와 식각을 통하여 나노구조 질화물 반도체층을 형성하여, 이러한 템플레이트층 위에 제조되는 반도체 소자(예, 발광 다이오드(LED), 레이저 다이오드(LD), 태양 전지 등)가 저 결함의 질화물 반도체 기반으로 제작되어 광추출 효율이 향상될 수 있는, 고품질 반도체 소자용 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明形成通过简单的氮化或Al工艺和蚀刻单独的掩模或具有纳米结构的氮化物半导体层，以减少时间和成本而没有任何复杂的工艺中形成在蓝宝石基板上的模板层，该模板层上制造 其中衬底用于高品质的半导体器件，其（例如，发光二极管（LED），激光二极管（LD），太阳能电池等）是由基于半导体氮化物低缺陷的半导体器件制造方法可提高提取效率 它涉及。
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