公开(公告)号：KR1020140058785A

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：KR1020120124903

申请日：2012-11-06

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단 ,  이원석 ,  소병찬 ,  김민호

Inventor： 이원석 ,  소병찬 ,  김민호

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6704 ,  B08B3/04 ,  H01L21/02052

Abstract: The present invention relates to an impurities removing apparatus of a semiconductor equipment which thoroughly cleans inside of a semiconductor device by easily and readily removing impurities in the semiconductor device with the impurities removing apparatus having a predetermined length, and prevents accidents of a user by avoiding a cleaning solution used to remove the impurities or impurities getting on the user′s body and clothing. The impurities removing apparatus for the semiconductor equipment of the present invention comprises: a handle portion which is formed with a consistent length and has a screw thread at one end; a coupling portion which is engaged and disengaged to one end of the handle portion to detachably coupled to the handle portion; and a cleaning portion which is coupled to the coupling portion and is consisted of a cleaning-bundle portion in which a cleaning solution for removing impurities inside the semiconductor equipment is coated.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体设备的杂质去除装置，其通过容易且容易地利用具有预定长度的杂质去除装置去除半导体器件中的杂质来彻底清洁半导体器件内部，并且通过避免使用者 清洁溶液用于去除用户身体和衣服上的杂质或杂质。 本发明的半导体装置用杂质除去装置包括：手柄部，其长度一致且在一端具有螺纹; 联接部分，其接合和分离到手柄部分的一端以可拆卸地联接到手柄部分; 以及清洁部，其连接到所述联接部，并且由清洁束部组成，其中涂覆有用于去除所述半导体设备内的杂质的清洁溶液。

公开(公告)号：KR101379341B1

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：KR1020120058992

申请日：2012-06-01

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  이원석 ,  이동헌 ,  우서휘 ,  장종진

IPC: H01L33/22

Abstract: 본 발명은 사파이어 등의 기판 위에 질화물 반도체층과 마스크 패턴을 형성 후 질화물 반도체층을 다시 성장하기 전 또는 후에 건식 식각 방식에 의해 다공성(porous)으로 표면 개질하고, 그 위에 저 결함밀도를 갖는 질화물 반도체층이 재성장되도록 한 템플레이트층을 이용하여, 내부양자효율과 광추출 효율이 향상된 고품질 반도체 소자가 제조될 수 있는, 고품질 반도체 소자용 기판의 제조 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020130124766A

公开(公告)日：2013-11-15

申请号：KR1020120048148

申请日：2012-05-07

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  이원석 ,  이동헌 ,  우서휘 ,  장종진

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/20

Abstract: The present invention relates to a manufacturing method of a substrate for a high-quality semiconductor device capable of manufacturing a high-quality semiconductor device with improved inner quantum efficiency and light extraction efficiency by reforming the surface to be have pores and using a template layer to regrow a nitride semiconductor layer having low defect density on the surface in a dry-etching method at HVPE, MOCVD, or CVD device which forms the nitride semiconductor layer on a substrate such as sapphire, injects HCL gas, and makes the same react at high temperatures. [Reference numerals] (S10) Forming template layer;(S20) Porous etching;(S30) Regrowth

Abstract translation: 本发明涉及一种高质量半导体器件用基板的制造方法，其能够通过将具有孔隙的表面重整并使用模板层来制造具有提高的内量子效率和光提取效率的高质量半导体器件 在HVPE，MOCVD或CVD装置上，在形成氮化物半导体层的诸如蓝宝石的衬底上，以干蚀刻方法在表面上重新生长具有低缺陷密度的氮化物半导体层，注入HCL气体，并使其在高温下反应 温度。 [数据]（S10）形成模板层;（S20）多孔蚀刻;（S30）再生长

公开(公告)号：KR101391960B1

公开(公告)日：2014-05-12

申请号：KR1020120048148

申请日：2012-05-07

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  이원석 ,  이동헌 ,  우서휘 ,  장종진

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/20

Abstract: 본 발명은 사파이어 등의 기판 위에 질화물 반도체층을 형성 후 HCL 가스를 주입하여 고온에서 반응시키는 HVPE, MOCVD, CVD 장비 등에서 건식 식각 방식에 의해 다공성(porous)으로 표면 개질하고, 그 위에 저 결함밀도를 갖는 질화물 반도체층이 재성장되도록 한 템플레이트층을 이용하여, 내부양자효율과 광추출 효율이 향상된 고품질 반도체 소자가 제조될 수 있는, 고품질 반도체 소자용 기판의 제조 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020130135440A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：KR1020120058992

申请日：2012-06-01

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  이원석 ,  이동헌 ,  우서휘 ,  장종진

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/02458 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32

Abstract: The present invention relates to a high quality semiconductor substrate manufacturing method including a step of forming a nitride semiconductor layer and a mask patter on a substrate such as a sapphire substrate, a step of reforming the surface to become porous using a dry etching method before or after growing the nitride semiconductor layer once again, a step of re-growing the nitride semiconductor layer with a low defect density as a template layer, and a step of producing a high quality semiconductor device with an improved inner quantum yield and a light extraction efficiency. [Reference numerals] (S10) Form a nitride semiconductor layer;(S20) Form an insulating film pattern;(S30) Dry porous etch;(S40) Re-grow the nitride semiconductor layer

Abstract translation: 本发明涉及一种高质量的半导体衬底制造方法，其包括在诸如蓝宝石衬底的衬底上形成氮化物半导体层和掩模图案的步骤，使用干蚀刻方法将表面重整成多孔的步骤，或 在再次生长氮化物半导体层之后，以低缺陷密度重新生长氮化物半导体层作为模板层的步骤，以及制造具有改善的内量子产率和光提取效率的高质量半导体器件的步骤 。 （S10）形成氮化物半导体层;（S20）形成绝缘膜图案;（S30）干式多孔蚀刻;（S40）再次生长氮化物半导体层