公开(公告)号：KR1020160092730A

公开(公告)日：2016-08-05

申请号：KR1020150013472

申请日：2015-01-28

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 이성의 ,  차지민 ,  문성철 ,  김현석 ,  윤영우

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0273

Abstract: 본발명은재사용이가능하고공정방식에따른사용제한이없는나노쉐도우마스크를제조하는방법에관한것으로, 기판표면에희생층을형성하는단계; 상기희생층위에폴리머막을형성하는단계; 상기폴리머막에집속이온빔으로나노패턴을형성하는단계; 및상기희생층을제거하는방법으로상기나노패턴이형성된폴리머막을상기기판에서분리하여나노쉐도우마스크를제조하는단계를포함하는것을특징으로한다. 본발명은, 집속이온빔을이용하여나노패턴을형성한쉐도우마스크를전사하여사용함으로써, 패턴의크기및 형상의제어가편리한집속이온빔장치로마스크를제조하여증착공정의종류에무관하게적용이가능한쉐도우마스크를제조할수 있는효과가있다. 또한, 쉐도우마스크의손상없이전사함으로써재전사가가능하기때문에서, 반복적인증착공정에하나의쉐도우마스크를재전사하여사용할수 있는효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造纳米阴影掩模的方法，所述纳米阴影掩模可根据工艺方法重新使用且不受使用限制，所述方法包括：在衬底的表面上形成牺牲层; 在牺牲层上形成聚合物膜; 通过聚焦离子束在聚合物膜上形成纳米图案; 并且通过去除牺牲层以形成纳米荫罩的方法从衬底分离纳米基质形成的聚合物膜。 本发明中，通过使用阴影掩模的转移通过使用聚焦离子束，图案尺寸的控制，以形成纳米图案和形状方便FIB设备以产生掩模有能够不管应用沉积工艺阴影的类型的 有一个可以制造面具的效果。 另外，由于可以在不损坏荫罩的情况下通过转移荫罩来执行转移，所以具有这样的效果，即一个荫罩能够被重新转移并用于重复沉积过程。

公开(公告)号：KR101689153B1

公开(公告)日：2016-12-23

申请号：KR1020150013472

申请日：2015-01-28

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 이성의 ,  차지민 ,  문성철 ,  김현석 ,  윤영우

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/027

Abstract: 본발명은재사용이가능하고공정방식에따른사용제한이없는나노쉐도우마스크를제조하는방법에관한것으로, 기판표면에희생층을형성하는단계; 상기희생층위에폴리머막을형성하는단계; 상기폴리머막에집속이온빔으로나노패턴을형성하는단계; 및상기희생층을제거하는방법으로상기나노패턴이형성된폴리머막을상기기판에서분리하여나노쉐도우마스크를제조하는단계를포함하는것을특징으로한다. 본발명은, 집속이온빔을이용하여나노패턴을형성한쉐도우마스크를전사하여사용함으로써, 패턴의크기및 형상의제어가편리한집속이온빔장치로마스크를제조하여증착공정의종류에무관하게적용이가능한쉐도우마스크를제조할수 있는효과가있다. 또한, 쉐도우마스크의손상없이전사함으로써재전사가가능하기때문에서, 반복적인증착공정에하나의쉐도우마스크를재전사하여사용할수 있는효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种纳米图案阴影掩模的制造方法，其可重复使用，并且不管使用方法如何，都不受限制。 该方法包括：在衬底的表面上形成牺牲层; 在牺牲层上形成聚合物层; 通过使用聚焦离子束在聚合物层上形成纳米图案; 并且去除牺牲层以将具有纳米图案的聚合物层与基底分离，由此制造纳米图案化的荫罩。 由于本发明被配置为传送和使用具有由聚焦离子束形成的纳米图案的荫罩，所以具有能够以能够容易地控制尺寸的聚焦离子束系统制造荫罩的效果 和图案的形状，因此可以使用荫罩，而不管沉积工艺的类型如何。 此外，转印是可能的，而不会对荫罩造成损害，因此可以在沉积工艺中重复使用一个荫罩。