公开(公告)号：KR101689153B1

公开(公告)日：2016-12-23

申请号：KR1020150013472

申请日：2015-01-28

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 이성의 ,  차지민 ,  문성철 ,  김현석 ,  윤영우

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/027

Abstract: 본발명은재사용이가능하고공정방식에따른사용제한이없는나노쉐도우마스크를제조하는방법에관한것으로, 기판표면에희생층을형성하는단계; 상기희생층위에폴리머막을형성하는단계; 상기폴리머막에집속이온빔으로나노패턴을형성하는단계; 및상기희생층을제거하는방법으로상기나노패턴이형성된폴리머막을상기기판에서분리하여나노쉐도우마스크를제조하는단계를포함하는것을특징으로한다. 본발명은, 집속이온빔을이용하여나노패턴을형성한쉐도우마스크를전사하여사용함으로써, 패턴의크기및 형상의제어가편리한집속이온빔장치로마스크를제조하여증착공정의종류에무관하게적용이가능한쉐도우마스크를제조할수 있는효과가있다. 또한, 쉐도우마스크의손상없이전사함으로써재전사가가능하기때문에서, 반복적인증착공정에하나의쉐도우마스크를재전사하여사용할수 있는효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种纳米图案阴影掩模的制造方法，其可重复使用，并且不管使用方法如何，都不受限制。 该方法包括：在衬底的表面上形成牺牲层; 在牺牲层上形成聚合物层; 通过使用聚焦离子束在聚合物层上形成纳米图案; 并且去除牺牲层以将具有纳米图案的聚合物层与基底分离，由此制造纳米图案化的荫罩。 由于本发明被配置为传送和使用具有由聚焦离子束形成的纳米图案的荫罩，所以具有能够以能够容易地控制尺寸的聚焦离子束系统制造荫罩的效果 和图案的形状，因此可以使用荫罩，而不管沉积工艺的类型如何。 此外，转印是可能的，而不会对荫罩造成损害，因此可以在沉积工艺中重复使用一个荫罩。

公开(公告)号：KR1020150111531A

公开(公告)日：2015-10-06

申请号：KR1020140034804

申请日：2014-03-25

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 이성의 ,  유시홍 ,  윤영우

IPC: G03F7/36 ,  H01B5/14

CPC classification number: G03F7/00 ,  G03F7/36 ,  H01B5/14

Abstract: 본발명은금속패턴형성방법에관한것으로서, 구체적으로는반도체의포토리소그래피(photo lithography) 공정에있어금속막의식각을위한에칭(etching) 공정을생략한간소화된금속패턴형성방법에관한것이다. 본발명의실시예에따르면, 반도체의포토리소그래피(photo lithography) 공정에있어에칭(etching) 공정을생략함으로써, 에칭공정에수반되는환경유해물질의배출을억제하여친환경적금속패턴형성공정을구현할수 있고나아가공정절차의단순화를통해대량생산에유리할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成金属图案的方法，具体地说，涉及通过省略用于蚀刻半导体的光刻工艺的金属膜的蚀刻工艺而简化的金属图案的形成方法。 根据本发明的一个实施方案，该方法能够通过抑制在腐蚀过程中伴随着对环境有害的物质的排出，并且通过简单的生产大量地进行形成金属图案的环保工艺 通过省略关于半导体的光刻工艺的蚀刻工艺。

公开(公告)号：KR101524365B1

公开(公告)日：2015-06-05

申请号：KR1020130125243

申请日：2013-10-21

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 이성의 ,  이한별 ,  김완규 ,  성민호 ,  윤영우 ,  유시홍

IPC: H01L51/52 ,  H05B33/04 ,  H05B33/22

Abstract: 본발명은다기능성봉지막을갖는플렉서블 OLED에관한것으로서, 박막기판과양전극, 정공층, 발광층, 전자층및 음전극을구비하는플렉서블 OLED와, 박막기판의양전극에대향하는측에서박막기판에증착되는산화물막과, 산화물막의상부에형성되는광학패턴층과, 광학패턴층의상부에형성되며광학패턴층을보호하는무기물박막층을포함하고, 산화물막은 MgO와 LaO가혼합된혼합박막또는 MgO층과 LaO층이교대로적층된다층박막이고, 혼합박막또는다층박막은전자빔증착법, 듀얼전자빔증착법, 화학기상증착법, 물리기상증착법중 어느하나에의해증착되는것을특징으로하며, OLED의박막기판에수화특성이좋은산화물막을형성함으로써수분투과에의해소자의수명이감소하는현상을방지할수 있고, 수분투과를방지함과동시에광학특성을향상시킬수 있다.

公开(公告)号：KR1020140140675A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：KR1020130061049

申请日：2013-05-29

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 이성의 ,  윤영우 ,  유시홍 ,  안병욱 ,  성민호

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0273 ,  G03F1/80 ,  H01L21/02104

Abstract: 본 발명은 금속 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 반도체의 포토 리소그래피(photo lithography) 공정에 있어 금속 막의 식각을 위한 에칭(etching) 공정 및 포토 레지스트(Photo Resist: PR) 제거 공정을 생략한 금속 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 반도체의 포토 리소그래피(photo lithography) 공정에 있어 에칭(etching) 공정 및 포토 레지스트(Photo Resist: PR) 제거 공정을 생략함으로써, 에칭 공정에 수반되는 환경 유해 물질의 배출을 억제하여 친환경적 금속 패턴 형성 공정을 구현할 수 있고 나아가 공정 절차의 단순화를 통해 대량 생산에 유리할 수 있다. 또한, 상기 포토 레지스트 패턴 구조물을 별도로 제거하지 않고 위 포토 레지스트 패턴 구조물을 금속 패턴의 절연 재료로 활용함으로써 간편한 방식으로 금속간 절연효과가 우수한 패턴을 형성할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种形成金属图案的方法，更具体地，涉及一种形成金属图案的方法，其中用于蚀刻金属层的蚀刻工艺和光致抗蚀剂（PR）去除工艺的蚀刻工艺， 省略了半导体的光刻工艺。 根据本发明的一个实施例，通过省略用于蚀刻金属层的蚀刻工艺和半导体的光刻工艺中的光刻胶（PR）去除工艺，排出伴随腐蚀工艺的环境有害材料 被抑制，因此可以实现环保金属成形工艺，并且可以通过简化工艺程序在批量生产中有利。 此外，通过利用光刻胶图案结构作为金属图案的绝缘材料，而不需要单独去除光致抗蚀剂图案结构，可以通过方便的方案形成具有优异金属之间绝缘性能的图案。

公开(公告)号：KR101348010B1

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：KR1020120028032

申请日：2012-03-20

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 이성의 ,  김완규 ,  윤영우

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 기판에 금속 전극 씨드층(seed layer)을 형성하는 방법 및 이에 의해 제조된 기판에 관한 것으로서, 구리와 크롬을 상기 기판상에 증착하여 상기 씨드층을 형성하며, 기판의 표면에 접하는 부분에는 크롬의 혼합비율이 구리의 혼합비율보다 많고, 씨드층의 상부 부분으로 갈수록 구리의 혼합비율이 점차 증가되도록 상기 씨드층의 두께 방향을 따라 구리와 크롬의 조성비율이 점차 변화되도록 증착하고, 씨드층의 두께 방향에 따른 구리와 크롬의 조성비율은 구리타겟과 크롬 타겟에 인가되는 구동전압의 세기 또는 전류량의 제어에 의해 변화되고, 상기 구리타겟에는 RF파워가 인가되고, 상기 크롬 타겟에는 DC파워가 인가되고, 시간의 경과에 따라 구리타겟에 인가되는 RF파워는 일정하게 유지하고 크롬 타겟에 인가되는 DC파워는 점차 감소하도록 제어하여, 기판상에 금속 씨드층을 형성하는데 있어서 여러 층의 멀티레이어 증착 공정을 이용하지 않음으로써, 증착된 전극의 두께가 감소하고, 타겟의 교체를 하지 않음으로써 제조 시간 및 제조 비용을 감소시킬 수 있어 공정을 단순화 시킬 수 있으며, 접착력이 우수한 금속 씨드층을 형성할 수 있ㄱ고, 증착된 기판의 상부 표면을 열처리하여 금속 박막층과 기판 간의 접착력 향상을 위한 별도의 접착층을 제거할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020130106481A

公开(公告)日：2013-09-30

申请号：KR1020120028032

申请日：2012-03-20

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 이성의 ,  김완규 ,  윤영우

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76871 ,  H01L21/324

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing electrode wiring on a substrate and the substrate using the same are provided to perform the thermal treatment of an upper surface of the substrate, thereby improving adhesion between a metal layer and the substrate. CONSTITUTION: Copper and chrome are deposited on a substrate (1) to form a seed layer (2). The mixing ratio of the chrome is more than that of the copper in a part that the copper and the chrome are in contact with the surface of the substrate. The mixing ratio of the copper gradually increases toward the upper part of the seed layer. The composition ratio of the copper and the chrome gradually changes along the thickness direction of the seed layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造基板上的电极布线的方法和使用其的基板，以进行基板的上表面的热处理，从而提高金属层与基板之间的粘附性。 构成：铜和铬沉积在基底（1）上以形成种子层（2）。 在铜和铬与衬底的表面接触的部分中，铬的混合比大于铜的混合比。 铜的混合比例逐渐向种子层的上部增加。 铜和铬的组成比沿籽晶层的厚度方向逐渐变化。

公开(公告)号：KR101481464B1

公开(公告)日：2015-01-15

申请号：KR1020130061049

申请日：2013-05-29

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 이성의 ,  윤영우 ,  유시홍 ,  안병욱 ,  성민호

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 금속 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 반도체의 포토 리소그래피(photo lithography) 공정에 있어 금속 막의 식각을 위한 에칭(etching) 공정 및 포토 레지스트(Photo Resist: PR) 제거 공정을 생략한 금속 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 반도체의 포토 리소그래피(photo lithography) 공정에 있어 에칭(etching) 공정 및 포토 레지스트(Photo Resist: PR) 제거 공정을 생략함으로써, 에칭 공정에 수반되는 환경 유해 물질의 배출을 억제하여 친환경적 금속 패턴 형성 공정을 구현할 수 있고 나아가 공정 절차의 단순화를 통해 대량 생산에 유리할 수 있다. 또한, 상기 포토 레지스트 패턴 구조물을 별도로 제거하지 않고 위 포토 레지스트 패턴 구조물을 금속 패턴의 절연 재료로 활용함으로써 간편한 방식으로 금속간 절연효과가 우수한 패턴을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020160092730A

公开(公告)日：2016-08-05

申请号：KR1020150013472

申请日：2015-01-28

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 이성의 ,  차지민 ,  문성철 ,  김현석 ,  윤영우

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0273

Abstract: 본발명은재사용이가능하고공정방식에따른사용제한이없는나노쉐도우마스크를제조하는방법에관한것으로, 기판표면에희생층을형성하는단계; 상기희생층위에폴리머막을형성하는단계; 상기폴리머막에집속이온빔으로나노패턴을형성하는단계; 및상기희생층을제거하는방법으로상기나노패턴이형성된폴리머막을상기기판에서분리하여나노쉐도우마스크를제조하는단계를포함하는것을특징으로한다. 본발명은, 집속이온빔을이용하여나노패턴을형성한쉐도우마스크를전사하여사용함으로써, 패턴의크기및 형상의제어가편리한집속이온빔장치로마스크를제조하여증착공정의종류에무관하게적용이가능한쉐도우마스크를제조할수 있는효과가있다. 또한, 쉐도우마스크의손상없이전사함으로써재전사가가능하기때문에서, 반복적인증착공정에하나의쉐도우마스크를재전사하여사용할수 있는효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造纳米阴影掩模的方法，所述纳米阴影掩模可根据工艺方法重新使用且不受使用限制，所述方法包括：在衬底的表面上形成牺牲层; 在牺牲层上形成聚合物膜; 通过聚焦离子束在聚合物膜上形成纳米图案; 并且通过去除牺牲层以形成纳米荫罩的方法从衬底分离纳米基质形成的聚合物膜。 本发明中，通过使用阴影掩模的转移通过使用聚焦离子束，图案尺寸的控制，以形成纳米图案和形状方便FIB设备以产生掩模有能够不管应用沉积工艺阴影的类型的 有一个可以制造面具的效果。 另外，由于可以在不损坏荫罩的情况下通过转移荫罩来执行转移，所以具有这样的效果，即一个荫罩能够被重新转移并用于重复沉积过程。

公开(公告)号：KR1020150046422A

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：KR1020130125243

申请日：2013-10-21

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 이성의 ,  이한별 ,  김완규 ,  성민호 ,  윤영우 ,  유시홍

IPC: H01L51/52 ,  H05B33/04 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L51/5237 ,  H01L51/0097 ,  H05B33/04 ,  H05B33/22

Abstract: 본발명은플렉시블 OLED에관한것으로서, 박막기판과양전극, 정공층, 발광층, 전자층및 음전극을구비하는플렉서블 OLED에있어서, 상기박막기판의상기양전극에대향하는측에서상기박막기판에증착되는산화물막과, 상기산화물막의상부에형성되는광학패턴층과, 상기광학패턴층의상부에형성되며상기광학패턴층을보호하는무기물박막층을포함하는다기능성봉지막을구비하며, 상기광학패턴층과상기제 2 광학패턴층에형성되는패턴은프리즘형상의패턴, 피라미드형상의패턴, 렌즈형상의패턴, 또는피라미드형상의패턴을중심으로상기피라미드형상의패턴을복수의프리즘형상의패턴이둘러싸는폐쇄형피라미드패턴인것을특징으로하며, OLED의박막기판에수화특성이좋은산화물막을형성함으로써수분투과에의해소자의수명이감소하는현상을방지할수 있고, 수분투과를방지함과동시에광학특성을향상시킬수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种柔性OLED，其包括薄膜基板，正极，空穴层，发光层，电子层和负极。 柔性OLED包括：多功能封装层，其包括沉积在薄膜基板的面对正极的一侧的薄膜基板上的氧化物层，形成在氧化物层的上侧的光学图案层 以及形成在光学图案层上并保护光学图案层的无机薄膜层。 形成在第二光学图案层和光学图案层上的图案是通过围绕金字塔图案的多个棱镜图案围绕金字塔图案的棱镜图案，金字塔图案，透镜图案或闭合金字塔图案。 通过在OLED的薄膜基板上形成具有高水合性能的氧化物层来防止由于水分渗透而导致的器件寿命的降低。 防止湿气渗透，同时改善光学特性。