公开(公告)号：KR101736615B1

公开(公告)日：2017-05-29

申请号：KR1020150177987

申请日：2015-12-14

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 이성남 ,  최낙정 ,  신민재

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본발명은, 광전소자및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 상기기판상의적어도일부분에형성된반도체층; 및상기반도체층상의적어도일부분에형성된요철구조패턴층; 을포함하고, 상기요철구조패턴층은, 요철구조패턴이형성된실리콘수지층; 및상기요철구조패턴상에박막층이형성된, 광전소자및 이의제조방법에관한것이다. 본발명은, 광전소자의광추출효율을향상시키고, 요철구조패턴의형상을제어할수 있다.

Abstract translation: 光电装置及其制造方法技术领域本发明涉及一种光电装置及其制造方法，尤其涉及一种具有基板的光电装置。 形成在衬底的至少一部分上的半导体层; 以及形成在半导体层的至少一部分上的凹凸结构图案层; 其中凹凸结构图案层包括：硅树脂层，其上形成有凹凸结构图案; 以及在凹凸结构图案上形成的薄膜层及其制造方法。 工业实用性本发明可以提高光电元件的光提取效率并控制凹凸结构图案的形状。

公开(公告)号：KR1020130052964A

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：KR1020110118346

申请日：2011-11-14

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 오동섭 ,  송기룡 ,  신민재 ,  이성남

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00

Abstract: PURPOSE: A high quality nitride semiconductor thin film and a manufacturing method thereof are provided to improve a surface profile property by forming a low temperature defect reducing layer between a first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer. CONSTITUTION: A first nitride semiconductor layer(110) is formed on a substrate at a first temperature. A low temperature defect reducing layer(120) is formed on the first nitride semiconductor layer. A second nitride semiconductor layer(130) is formed on the low temperature defect reducing layer at a third temperature. The second temperature is lower than the first temperature and the third temperature. [Reference numerals] (AA) Growth temperature; (BB) Growth time

Abstract translation: 目的：提供一种高质量的氮化物半导体薄膜及其制造方法，以通过在第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层之间形成低温缺陷降低层来改善表面轮廓特性。 构成：在第一温度下在基板上形成第一氮化物半导体层（110）。 在第一氮化物半导体层上形成低温缺陷降低层（120）。 在第三温度下在低温缺陷还原层上形成第二氮化物半导体层（130）。 第二温度低于第一温度和第三温度。 （附图标记）（AA）生长温度; （BB）成长时间

公开(公告)号：KR101333678B1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：KR1020110118346

申请日：2011-11-14

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 오동섭 ,  송기룡 ,  신민재 ,  이성남

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00

Abstract: 본 발명은 고품질 질화물 반도체 박막 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 고품질 질화물 반도체 박막의 제조방법은 (a) 기판 상에 제1 온도로 제1 질화물 반도체층을 형성하는 단계; (b) 상기 제1 질화물 반도체층 상에 제2 온도로 저온 결함감소층을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 저온 결함감소층 상에 제3 온도로 제2 질화물 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 제2 온도는 제1 및 제3 온도보다 낮은 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 고품질 질화물 반도체 박막 및 그의 제조 방법은 고온에서 형성되는 제1 및 제2 질화물 반도체층 사이에 저온 결함감소층을 형성함으로써, 기판과 질화물 반도체 결정 사이의 격자 정수 차, 열팽창 계수 차로 인해 결정의 성장방향으로 전달되는 결함, 즉, 관통전위를 차단하게 되어, 박막의 표면의 결정성, 광학적 특성 및 표면 프로파일 특성도 향상시킬 수 있다는 장점을 갖는다.