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公开(公告)号：KR1020160091109A
公开(公告)日：2016-08-02
申请号：KR1020150011354
申请日：2015-01-23
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/36
Abstract: 본발명은 p-p 전극형의발광다이오드및 n-n 전극형의발광다이오드에관한것이다. 본발명에따른 p-p 전극형의발광다이오드는활성층과, 상기활성층을사이에두고양측에각각형성된 n형반도체층 및 p형반도체층을포함하고; 상기 p형반도체층은 p형반도체로동작하는제1 p형영역과, 음의임계바이어스가인가되어브레이크다운(Breakdown)된제2 p형영역으로분리되며; 상기제1 p형영역에 (+) 전원이인가되고, 상기제2 p형영역에 (-) 전원이인가되는경우, 상기제1 p형영역과상기 n형반도체층 사이의상기활성층영역에서발광하는것을특징으로한다. 이에따라, n형반도체층의노출을위한식각공정이제거됨으로써, 공정효율이증가할뿐만아니라식각공정에서야기될수 있는불량문제를원천적으로제거할수 있게된다.
Abstract translation: 本发明涉及P-P电极型发光二极管和N-N电极型发光二极管。 根据本发明的P-P电极型发光二极管分别包括活性层和形成在有源层两侧的N型半导体层和P型半导体层。 P型半导体层被分为作为P型半导体工作的第一P型区域和施加负临界偏压的第二P型区域，使得其中发生击穿。 当对第一P型区域施加正（+）功率并且向第二P型区域施加负（ - ）功率时，从第一P型区域和N型区域之间的有源区域发射光 半导体层。 因此，可以省略用于露出N型半导体层的蚀刻工艺，从而提高了工艺效率，并且从根本上防止了在蚀刻工艺中可能发生的误差。
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公开(公告)号：KR101678763B1
公开(公告)日：2016-12-06
申请号：KR1020150011354
申请日：2015-01-23
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은 p-p 전극형의발광다이오드및 n-n 전극형의발광다이오드에관한것이다. 본발명에따른 p-p 전극형의발광다이오드는활성층과, 상기활성층을사이에두고양측에각각형성된 n형반도체층 및 p형반도체층을포함하고; 상기 p형반도체층은 p형반도체로동작하는제1 p형영역과, 음의임계바이어스가인가되어브레이크다운(Breakdown)된제2 p형영역으로분리되며; 상기제1 p형영역에 (+) 전원이인가되고, 상기제2 p형영역에 (-) 전원이인가되는경우, 상기제1 p형영역과상기 n형반도체층 사이의상기활성층영역에서발광하는것을특징으로한다. 이에따라, n형반도체층의노출을위한식각공정이제거됨으로써, 공정효율이증가할뿐만아니라식각공정에서야기될수 있는불량문제를원천적으로제거할수 있게된다.
Abstract translation: 本发明涉及P-P电极型发光二极管和N-N电极型发光二极管。 根据本发明的P-P电极型发光二极管分别包括活性层和形成在有源层两侧的N型半导体层和P型半导体层。 P型半导体层被分为作为P型半导体工作的第一P型区域和施加负临界偏压的第二P型区域，使得其中发生击穿。 当对第一P型区域施加正（+）功率并且向第二P型区域施加负（ - ）功率时，从第一P型区域和N型区域之间的有源区域发射光 半导体层。 因此，可以省略用于露出N型半导体层的蚀刻工艺，从而提高了工艺效率，并且从根本上防止了在蚀刻工艺中可能发生的误差。
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