公开(公告)号：KR1020080112509A

公开(公告)日：2008-12-26

申请号：KR1020070061009

申请日：2007-06-21

Applicant: 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원)

Inventor： 최균 ,  최의석 ,  권순규

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: A manufacturing method of a silicon thin film board for solar cell is provided to form a p-Si layer having a big particle size in comparison with the thickness of a Si layer as the Al layer firstly is deposited on the glass substrates in spite of a low-temperature process and a Si layer is exchanged in prescribed temperature. A manufacturing method of a silicon thin film board for solar cell comprises: a step for preparing a glass substrate(10); a step for depositing a Al layer(20) on the glass substrate; a step for depositing a a-Si layer(30a) on the Al layer; a step for forming p-Si as a-Si is diffused to the Al layer and heat-treating Al in order to be diffused to the a-Si layer; and a step for etching the Al diffused to the silicon layer. In the step for depositing Al layer, the temperature of the glass substrates is in the range of 200-250‹C.

Abstract translation: 提供一种用于太阳能电池的硅薄膜板的制造方法，以形成与Si层的厚度相比具有大的粒径的p-Si层，因为Al层首先沉积在玻璃基板上，尽管有 低温处理和Si层在规定温度下进行交换。 一种用于太阳能电池的硅薄膜板的制造方法，包括：制备玻璃基板（10）的步骤; 用于在所述玻璃基板上沉积Al层（20）的步骤; 在Al层上沉积a-Si层（30a）的步骤; 将形成p-Si作为a-Si的步骤扩散到Al层并对Al进行热处理以扩散到a-Si层; 以及蚀刻扩散到硅层的Al的步骤。 在Al层的沉积步骤中，玻璃基板的温度在200-250℃的范围内。

公开(公告)号：KR100824745B1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：KR1020060136307

申请日：2006-12-28

Applicant: 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원)

Inventor： 최균 ,  김병익 ,  전명표 ,  조정호 ,  유대철

IPC: H01L41/02 ,  H01L41/053

CPC classification number: H01L41/083 ,  H01L41/187 ,  H01L41/193 ,  H01L41/27

Abstract: A composite piezoelectric material using a piezoelectric single crystal and a piezoelectric polymer and a method for manufacturing the same are provided to improve input/output efficiency of signals by forming a piezoelectric polymer on an upper part of a piezoelectric single crystal. A base substrate(110) has a tubular structure and electrical conductivity. A plurality of piezoelectric single crystals(120) have shapes of columns and are arranged in the same interval on an upper surface of the base substrate. A reinforcing filler(130) is formed between the piezoelectric single crystals on the upper surface of the base substrate. The reinforcing filler has the height corresponding to the height of the piezoelectric single crystals. A piezoelectric polymer layer(140) is formed on the upper surface of the piezoelectric single crystals and the upper surface of the reinforcing filler. An electrode layer is formed on an upper surface of the piezoelectric polymer layer. The piezoelectric single crystals are arranged in a checkered pattern. A ratio of a piezoelectric single crystal interval to a piezoelectric single crystal width is 0.4 to 1. The thickness of the piezoelectric polymer layer is 10 to 50 mum.

Abstract translation: 提供了使用压电单晶和压电聚合物的复合压电材料及其制造方法，以通过在压电单晶的上部形成压电聚合物来提高信号的输入/输出效率。 基底（110）具有管状结构和导电性。 多个压电单晶（120）具有列的形状并且在基底的上表面上以相同的间隔布置。 在基底基板的上表面上的压电单晶之间形成增强填料（130）。 增强填料的高度对应于压电单晶的高度。 在压电单晶的上表面和增强填料的上表面上形成压电聚合物层（140）。 在压电聚合物层的上表面上形成电极层。 压电单晶以方格图案排列。 压电单晶间隔与压电单晶宽度的比为0.4〜1。压电聚合物层的厚度为10〜50μm。

公开(公告)号：KR100669499B1

公开(公告)日：2007-01-16

申请号：KR1020050134486

申请日：2005-12-29

Applicant: 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원)

Inventor： 김병익 ,  최균 ,  권순규

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: A method for crystallizing an amorphous silicon thin film is provided to enhance leakage current characteristics by forming a metal silicide line at an outer portion of a channel region using an improved diffusion control structure composed of first and second diffusion control layers. An amorphous silicon thin film(20) is formed on an insulating substrate(10). An active layer with a predetermined area is formed by patterning selectively the amorphous silicon thin film. A gate insulating layer(30) and a gate electrode layer(40) are sequentially formed on the insulating substrate including the active layer. The active layer is divided into first and second regions by patterning selectively the gate electrode layer and the gate insulating layer. A first diffusion control layer(50) is formed on the first region. A second diffusion control layer(60) with a relatively different diffusion time for an MILC compared to the first diffusion control layer is formed on the second region. A thin film is formed on the first and the second diffusion control layers by using the MILC. Then, a heat treatment process is performed thereon.

Abstract translation: 提供了一种使非晶硅薄膜结晶的方法，通过使用由第一和第二扩散控制层组成的改进的扩散控制结构，在沟道区的外部形成金属硅化物线来提高漏电流特性。 在绝缘基板（10）上形成非晶硅薄膜（20）。 通过对非晶硅薄膜进行图案化而形成具有预定面积的有源层。 在包括有源层的绝缘基板上依次形成栅绝缘层（30）和栅电极层（40）。 有源层通过对栅极电极层和栅极绝缘层进行图案化而被分成第一和第二区域。 第一扩散控制层（50）形成在第一区域上。 在第二区域上形成有与第一扩散控制层相比具有相对不同的MILC扩散时间的第二扩散控制层（60）。 通过使用MILC在第一和第二扩散控制层上形成薄膜。 然后，进行热处理工序。

公开(公告)号：KR100647247B1

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：KR1020040108386

申请日：2004-12-18

Applicant: 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원)

Inventor： 최균 ,  최의석 ,  권순규

IPC: C01G23/053 ,  C01G23/04 ,  C01G23/00

Abstract: 본 발명은 티탄산바륨 분말의 합성방법에 관한 것으로, 특히 알코올 또는 알코올과 물의 혼합용매를 용매로 사용하는 용매열법에 의하여 서브마이크론 크기와 정방정성을 갖는 티탄산바륨 분말을 합성하는 용매열법에 의한 티탄산바륨 분말의 합성방법에 관한 것이다.
티탄산바륨, 용매열법, 서브마이크론 입자, 정방정성

公开(公告)号：KR1020060069717A

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：KR1020040108386

申请日：2004-12-18

Applicant: 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원)

Inventor： 최균 ,  최의석 ,  권순규

IPC: C01G23/053 ,  C01G23/04 ,  C01G23/00

Abstract: 본 발명은 티탄산바륨 분말의 합성방법에 관한 것으로, 특히 알코올 또는 알코올과 물의 혼합용매를 용매로 사용하는 용매열법에 의하여 서브마이크론 크기와 정방정성을 갖는 티탄산바륨 분말을 합성하는 용매열법에 의한 티탄산바륨 분말의 합성방법에 관한 것이다.
티탄산바륨, 용매열법, 서브마이크론 입자, 정방정성

公开(公告)号：KR1020060035398A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：KR1020040084877

申请日：2004-10-22

Applicant: 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원)

Inventor： 최의석 ,  최균 ,  김성진

IPC: C04B33/24 ,  C04B41/88

Abstract: 본 발명은 은 코팅 도자기 및 이를 위한 은 코팅 조성물과 은 코팅 방법에 관한 것으로서, 해결하고자 하는 기술적 과제는 은 졸의 습윤성 및 건조 속도를 향상시켜 얼룩 및 균열이 없는 은 코팅막을 형성하는데 있다.
이를 위해 본 발명에 의한 해결 방법의 요지는 수용액 기반의 은 졸, 은 졸의 점도를 높여 습윤성을 향상시키기 위해 첨가된 분산제, 은 졸의 건조 속도를 향상시키기 위해 첨가된 아세톤 및 메탄올을 포함하는 은 코팅 조성물이 개시된다.
또한, 본 발명에 의한 해결 방법의 다른 요지는 상술한 은 코팅 조성물에 도자기를 침지하여 은 코팅막을 형성하는 방법에 있어서, 은 코팅막의 두께를 증가시키기 위해 은 코팅 조성물에 도자기의 침지 및 건조 과정을 적어도 1회 이상 반복하는 침지 및 건조 단계와, 온도 300-600℃, 시간 50-70분 동안 환원 분위기인 N2 가스, CO 가스, CO2 가스의 혼합 가스를 흘려주면서 열처리하는 열처리 단계를 포함하는 은 코팅 방법이 개시된다.
은 졸, 분산제, 아세톤, 메탄올, 열처리