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公开(公告)号：KR100656983B1
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：KR1020050006178
申请日：2005-01-24
Applicant: 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원)
Abstract: 본 발명은 금속판과, 단열 코아층과, 및 상기 금속판과 코아층 사이에 접착용 비닐층을 개재하여 상호 일체로 결합한 복합패널에 있어서, 코아층은 다공성 펄라이트10~30중량%, 알루미나 시멘트70~90중량%로 조성한 무기혼합물과,
상기 혼합물 100중량부에 초기 형태유지용 첨가수20~40중량부를 혼합한 것을 비닐층을 가지는 금속판을 이루는 금속시트에 압착결합시켜 두께를 일정하게 하여 예비 무기질 코아층을 완성하고;
이어 섭씨 160-200도로 가열시켜 비닐층이 예비 무기질 코아층과 금속판을 접착제로 기능토록하는 형태로 무기질 코아층을 완성한 후;
냉각, 커팅과정을 거쳐 제조하는 무기질 복합패널 제조방법이며,
복합패널의 코아층은 다공성 펄라이트10~30중량%, 알루미나 시멘트70~90중량%로 조성한 무기혼합물 100 중량부와,
상기 혼합물 100중량부에 초기 형태유지용 첨가수20~40중량부를 혼합한 무기질 복합패널 제조용 예비 무기질 코아층 조성물이다.
무기질코아층, 복합패널-
公开(公告)号：KR1020060100758A
公开(公告)日：2006-09-21
申请号：KR1020050022526
申请日：2005-03-18
Applicant: 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원)
Abstract: 본 발명은 다공성실리카를 촉매로 사용하여 메틸디클로로실란과 알칼리 또는 알칼리토금속을 반응시켜 하이드리도폴리카보실란을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 본 제조방법에 의하면 기존의 방법에 비하여 낮은 코스트 및 고수율로 하이드리도폴리카보실란을 제조할 수 있다.
하이드리도폴리카보실란, 다공성실리카, 메틸디클로로실란-
公开(公告)号：KR1020050022105A
公开(公告)日：2005-03-07
申请号：KR1020030059126
申请日：2003-08-26
Applicant: 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원)
CPC classification number: H01L41/187 , C04B2235/40 , H01L41/43
Abstract: PURPOSE: A piezoelectric ceramic composition for parts feeders is provided, which has 1800-2400 of dielectric constant, low impedance and high electromechanical coupling coefficient at low sintering temperature by adding Cd to conventional piezoelectric ceramic materials. CONSTITUTION: The piezoelectric ceramic composition expressed by a formula of Pb1-xCdx(Ni1/3Nb2/3)y(ZrzTi1-z)1-yO3 (x=0.01-0.02, y=0.10-0.20 and z=0.44-0.53) is prepared by the following steps of: mixing PbO, CdO, NiO, Nb2O5, ZrO2 and TiO2 in the proportions corresponding to the above composition; ball-milling mixed powder and calcining at 850-1100deg.C; ball-milling calcined powder and forming under pressure of 1000kg/cm2; sintering at 1100-1250deg.C for 1-4hrs. The resultant piezoelectric ceramic composition for parts feeders has 1800-2400 of dielectric constant, more than 50% of electromechanical coupling coefficient, and more than 300pC/N of piezoelectric constant(d33).
Abstract translation: 目的：提供一种用于零件进料器的压电陶瓷组合物，通过向常规压电陶瓷材料添加Cd，其在低烧结温度下具有1800-2400的介电常数，低阻抗和高机电耦合系数。 构成：由Pb1-xCdx（Ni1 / 3Nb2 / 3）y（ZrzTi1-z）1-yO3（x = 0.01-0.02，y = 0.10-0.20和z = 0.44-0.53）表示的压电陶瓷组合物为 通过以下步骤制备：以与上述组成相对应的比例混合PbO，CdO，NiO，Nb2O5，ZrO2和TiO2; 球磨混合粉末，煅烧温度850-1100℃; 球磨煅烧粉末，压力1000kg / cm2; 在1100-1250℃烧结1-4小时。 所得到的用于零件进料器的压电陶瓷组合物具有1800-2400的介电常数，大于50％的机电耦合系数和超过300pC / N的压电常数（d33）。
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公开(公告)号：KR1020040054965A
公开(公告)日：2004-06-26
申请号：KR1020020081519
申请日：2002-12-20
Applicant: 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원)
IPC: C04B35/46 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/187 , C04B2235/3232 , H01L41/39
Abstract: PURPOSE: Provided is a lead-free piezoelectric ceramics which can improve stability after being sintered, and prevent volatilization of PbO, thereby being environmentally friendly. The lead-free piezoelectric also has high specific gravity and good compaction property due to its homogeneous particle distribution and fine particles, and has improved dielectric constant and electric properties due to its optimized sintering and polarizing condition. CONSTITUTION: The lead-free piezoelectric ceramics is represented by the following formula 1 having a Perovskite structure: (A1/2B1/2)1-xCxTiO3, wherein A is Bi, Y or Sb ion; B is K or Na ion; C is Ca, Ba or Ni ion; x is an integer in the range of 0.0005-0.10. The piezoelectric ceramics is prepared by carrying out a first milling and calcination of a mixture of A, B and C at 600-1100 deg.C for 0.5-5 hours, wherein A is selected from Bi2O3, Y2O3 and Sb2O3; B is selected from K2CO3 and Na2CO3; C is selected from CaCO3, BaCO3 and NiO3 to obtain a first powder; and adding TiO2 to the first powder, and then carrying out a second milling and calcination at 600-900 deg.C for 0.5-5 hours to obtain a second powder.
Abstract translation: 目的：提供一种无铅压电陶瓷，可以提高烧结后的稳定性，防止PbO的挥发，从而环保。 无铅压电材料由于其均匀的颗粒分布和细颗粒而具有高比重和良好的压实性能，并且由于其优化的烧结和极化条件而具有改善的介电常数和电性能。 构成：无铅压电陶瓷由具有钙钛矿结构的下式1表示：（A1 / 2B1 / 2）1-xCxTiO3，其中A为Bi，Y或Sb离子; B是K或Na离子; C是Ca，Ba或Ni离子; x是0.0005-0.10范围内的整数。 通过在600-1100℃下对A，B和C的混合物进行第一次研磨和煅烧0.5-5小时制备压电陶瓷，其中A选自Bi 2 O 3，Y 2 O 3和Sb 2 O 3; B选自K 2 CO 3和Na 2 CO 3; C选自CaCO 3，BaCO 3和NiO 3，得到第一粉末; 并向第一粉末中加入TiO 2，然后在600-900℃下进行第二次研磨和煅烧0.5-5小时，得到第二粉末。
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公开(公告)号：KR100824745B1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：KR1020060136307
申请日：2006-12-28
Applicant: 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원)
IPC: H01L41/02 , H01L41/053
CPC classification number: H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/193 , H01L41/27
Abstract: A composite piezoelectric material using a piezoelectric single crystal and a piezoelectric polymer and a method for manufacturing the same are provided to improve input/output efficiency of signals by forming a piezoelectric polymer on an upper part of a piezoelectric single crystal. A base substrate(110) has a tubular structure and electrical conductivity. A plurality of piezoelectric single crystals(120) have shapes of columns and are arranged in the same interval on an upper surface of the base substrate. A reinforcing filler(130) is formed between the piezoelectric single crystals on the upper surface of the base substrate. The reinforcing filler has the height corresponding to the height of the piezoelectric single crystals. A piezoelectric polymer layer(140) is formed on the upper surface of the piezoelectric single crystals and the upper surface of the reinforcing filler. An electrode layer is formed on an upper surface of the piezoelectric polymer layer. The piezoelectric single crystals are arranged in a checkered pattern. A ratio of a piezoelectric single crystal interval to a piezoelectric single crystal width is 0.4 to 1. The thickness of the piezoelectric polymer layer is 10 to 50 mum.
Abstract translation: 提供了使用压电单晶和压电聚合物的复合压电材料及其制造方法，以通过在压电单晶的上部形成压电聚合物来提高信号的输入/输出效率。 基底（110）具有管状结构和导电性。 多个压电单晶（120）具有列的形状并且在基底的上表面上以相同的间隔布置。 在基底基板的上表面上的压电单晶之间形成增强填料（130）。 增强填料的高度对应于压电单晶的高度。 在压电单晶的上表面和增强填料的上表面上形成压电聚合物层（140）。 在压电聚合物层的上表面上形成电极层。 压电单晶以方格图案排列。 压电单晶间隔与压电单晶宽度的比为0.4〜1。压电聚合物层的厚度为10〜50μm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100824379B1
公开(公告)日：2008-04-22
申请号：KR1020060063818
申请日：2006-07-07
Applicant: 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원)
IPC: H01L41/187 , H01L41/43
Abstract: 본 발명은 기본 조성인 Li
0.06 (K
1/2 Na
1/2 )
0.94 (Nb
0.92 Sb
0.08 )O
3 에 고용체로 BiFeO
3 , (K
1/2 Bi
1/2 )TiO
3 및 Ba(Fe
1/2 Nb
1/2 )O
3 로부터 선택된 하나의 화합물이 합성된 것을 특징으로 하는 압전 세라믹스, 이의 제조 방법 및 이를 포함한 압전 소자를 제공한다. 이에 따라, 본 발명은 Pb를 포함하지 않는 페로브스카이트 구조의 압전 세라믹스를 제조할 수 있다. 또한, 압전 세라믹스의 안정성 및 재현성을 향상시키고 환경 오염을 방지할 수 있으며, 이를 이용하여 우수한 전기적 특성 및 신뢰성을 갖고 친환경적인 압전 소자를 제조할 수 있다.
압전 세라믹스, 무연, pb-free, 페로브스카이트, 압전 소자, 소결, PZT-
公开(公告)号：KR100809940B1
公开(公告)日：2008-03-17
申请号：KR1020070000270
申请日：2007-01-02
Applicant: 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원) , (주)코브테크놀로지
CPC classification number: H01L24/33
Abstract: A surface mounted diode is provided to prevent a diode from being deteriorated in capabilities and being broken by smoothly radiating the heat generated from a diode itself. A diode device of a P-N type semiconductor junction type and first and second external substrates of a ceramic material are prepared(S100). The external substrates are separately positioned to face each other and the diode device is positioned between the external substrates so that p-type and n-type semiconductors of the diode device are coupled and fixed to be connected to each external substrate wherein solders are positioned between the diode device and each external substrate and the solder is heated and melted to mutually fix and connect the diode device and each external substrate(S200). A coating liquid is filled in a space between the external substrates(S300). An external electrode is formed on the edge surface of each external substrate, connected to the diode device(S400).
Abstract translation: 提供表面安装的二极管以防止二极管的能力劣化并且通过平滑地辐射二极管本身产生的热量而被破坏。 制备P-N型半导体结型的二极管器件和陶瓷材料的第一和第二外部衬底（S100）。 外部基板被分开地定位成彼此面对，并且二极管器件位于外部基板之间，使得二极管器件的p型和n型半导体被耦合和固定以连接到每个外部基板，其中焊料位于 二极管器件和每个外部衬底和焊料被加热和熔化以相互固定并连接二极管器件和每个外部衬底（S200）。 在外部基板之间的空间填充有涂布液（S300）。 外部电极形成在与二极管器件连接的每个外部衬底的边缘表面上（S400）。
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公开(公告)号：KR100693941B1
公开(公告)日：2007-03-12
申请号：KR1020050022526
申请日：2005-03-18
Applicant: 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원)
Abstract: 본 발명은 다공성실리카를 촉매로 사용하여 메틸디클로로실란과 알칼리 또는 알칼리토금속을 반응시켜 하이드리도폴리카보실란을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 본 제조방법에 의하면 기존의 방법에 비하여 낮은 코스트 및 고수율로 하이드리도폴리카보실란을 제조할 수 있다.
하이드리도폴리카보실란, 다공성실리카, 메틸디클로로실란-
公开(公告)号：KR100669499B1
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：KR1020050134486
申请日：2005-12-29
Applicant: 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원)
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/66757
Abstract: A method for crystallizing an amorphous silicon thin film is provided to enhance leakage current characteristics by forming a metal silicide line at an outer portion of a channel region using an improved diffusion control structure composed of first and second diffusion control layers. An amorphous silicon thin film(20) is formed on an insulating substrate(10). An active layer with a predetermined area is formed by patterning selectively the amorphous silicon thin film. A gate insulating layer(30) and a gate electrode layer(40) are sequentially formed on the insulating substrate including the active layer. The active layer is divided into first and second regions by patterning selectively the gate electrode layer and the gate insulating layer. A first diffusion control layer(50) is formed on the first region. A second diffusion control layer(60) with a relatively different diffusion time for an MILC compared to the first diffusion control layer is formed on the second region. A thin film is formed on the first and the second diffusion control layers by using the MILC. Then, a heat treatment process is performed thereon.
Abstract translation: 提供了一种使非晶硅薄膜结晶的方法，通过使用由第一和第二扩散控制层组成的改进的扩散控制结构，在沟道区的外部形成金属硅化物线来提高漏电流特性。 在绝缘基板（10）上形成非晶硅薄膜（20）。 通过对非晶硅薄膜进行图案化而形成具有预定面积的有源层。 在包括有源层的绝缘基板上依次形成栅绝缘层（30）和栅电极层（40）。 有源层通过对栅极电极层和栅极绝缘层进行图案化而被分成第一和第二区域。 第一扩散控制层（50）形成在第一区域上。 在第二区域上形成有与第一扩散控制层相比具有相对不同的MILC扩散时间的第二扩散控制层（60）。 通过使用MILC在第一和第二扩散控制层上形成薄膜。 然后，进行热处理工序。
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公开(公告)号：KR1020060085361A
公开(公告)日：2006-07-27
申请号：KR1020050006178
申请日：2005-01-24
Applicant: 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원)
CPC classification number: B32B15/08 , B32B13/12 , B32B2307/304 , B32B2307/3065 , B32B2607/00 , C04B7/32
Abstract: 본 발명은 금속판과, 단열 코아층과, 및 상기 금속판과 코아층 사이에 접착용 비닐층을 개재하여 상호 일체로 결합한 복합패널에 있어서,
코아층은 다공성 펄라이트10-~30중량%, 알루미나 시멘트90~70중량%로 조성한 무기혼합물과,
상기 혼합물 100중량부에 초기 형태유지용 첨가수20~40중량부를 혼합한 것을 비닐층을 가지는 금속판에 압착결합시켜 두께를 일정하게 하여 예비완성하고;
이어 섭씨 160-200도로 가열시켜 비닐층이 코아층과 금속판을 접착제로 기능토록하는 형태로 무기질 코아층을 완성한 후;
냉각, 커팅과정을 거쳐 제조하는 무기질 복합패널 제조방법이며,
복합패널의 코아층은 다공성 펄라이트10-~30중량%, 알루미나 시멘트90~70중량%로 조성한 무기혼합물 100중량부와,
상기 혼합물 100중량부에 초기 형태유지용 첨가수20~40중량부를 혼합한 무기질 복합패널 제조용 무기코아층 조성물이다.
무기질코아층, 복합패널
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