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公开(公告)号:KR1020140143587A
公开(公告)日:2014-12-17
申请号:KR1020130065320
申请日:2013-06-07
Applicant: 한국생산기술연구원 , 주식회사 대금지오웰
CPC classification number: C22C38/58 , C22C38/06 , C22C38/34 , C22C38/46 , C22C38/48 , C22C38/50 , C22C38/54
Abstract: 본 발명은, 중량%로, 20 내지 35%의 Cr과, 1 내지 3%의 Al과, 1 내지 3%의 Si과, 1 내지 3%의 Mn과, 1 내지 4%의 Ni과, 0.5 내지 1.5%의 Ti과, 0.1 내지 0.3%의 B과, 1 내지 3%의 Mo과, 1 내지 2%의 Nb과, 0.1 내지 0.6%의 C과, Fe와 피할 수 없는 불순물로 이루어지는 나머지를 포함하는 것을 특징으로 하는 상온에서 높은 인성과 내마모성을 가지며, 동시에 우수한 내열특성을 갖는 내열 주강 소재를 제공한다. 본 발명에 따른 고인성 내마모 내열 주강소재는 기지금속인 Fe내에 B과 Nb, Mo 등을 첨가함으로써 Fe-기지내에 탄소의 함유량을 최소화하고, 미세한 MC계 탄화물의 석출을 극대화하여, 상온에서 경도를 높여 내마모성을 가지면서도 높은 인성을 가질 수 있도록 탄화물의 조대화 및 결정립계에서의 석출을 억제하는 것을 특징으로 한다. 한편, Cr-Si-Al계 스피넬구조를 갖는 치밀한 산화막을 형성하도록 함으로써 1200의 고온에서도 안정적인 내열특성을 유지하고, 고가인 Ni의 함량을 4%이하로 제한함으로써 기존의 Cr-Ni계 내열 주강 소재보다 훨씬 경제적인 합금을 특징으로 한다. 주요 특성은 경도 HRC 60이상, 충격강도 100J/cm
2 이상, 1200℃에서 100시간 이상 유지되는 내열 열화특성, 15.15㎛/(m℃)의 열팽창 계수 등을 주요 특성으로 한다.Abstract translation: 本发明提供一种具有高耐热性的环境温度下具有高韧性和耐磨性的耐热铸钢材料,其特征在于包括:20-35重量%的Cr,1-3重量%的Al,1-3重量%的Si, 1-3重量%的Mn,1-4重量%的Ni,0.5-1.5重量%的Ti,0.1-0.3重量%的B,1-3重量%的Mo,1-2重量%的Nb,0.1- 0.6重量%的C; 和残留的铁和不可避免的杂质。 根据本发明,高韧性耐磨和耐热铸钢材料具有Fe作为基质金属,其中B,Nb,Mo等使Fe基体中的碳含量最小化并使沉淀最大化 能够抑制碳化物的粗大化和晶界析出的细小的基于MC的碳化物,从而通过在环境温度下提高铸钢材料的硬度,能够使铸钢材料具有更高的耐磨性和韧性 。 另一方面,根据本发明的铸钢材料是能够通过具有Cr-Si-Al系合金的致密氧化物膜而在1200℃的高温下保持其稳定的耐热性的合金, 与现有的Cr-Ni类耐热铸钢材料相比,通过限制含有4%以下的昂贵的Ni,能够更经济。 根据本发明的铸钢材料具有硬度HRC 60以上,冲击强度为10J / cm 2以上的主要性质,能够保持100小时以上的耐热劣化性 在1200℃的温度下,15.15μm/(m℃)的热膨胀系数等
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公开(公告)号:KR101905169B1
公开(公告)日:2018-10-08
申请号:KR1020170141091
申请日:2017-10-27
Applicant: 한국생산기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/02
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/042 , H01L31/02002
Abstract: 본발명에서는표면의액티브영역을넓혀효율을높일수 있는태양전지셀 및이를구비한태양전지모듈이개시된다. 일예로, 제 1 면과상기제 1 면에반대되는제 2 면을갖는광흡수층; 상기광흡수층의제 1 면에형성된에미터층; 상기에미터층의표면에대해제 1 방향으로연장되어형성되고, 상기제 1 방향과다른제 2 방향을따라이격되어형성된복수개의패턴층; 상기패턴층의표면에대해상기패턴층과접점을갖도록형성된복수개의핑거부를포함하는태양전지셀이개시된다.
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公开(公告)号:KR1020140022526A
公开(公告)日:2014-02-25
申请号:KR1020120088613
申请日:2012-08-13
Applicant: 한국생산기술연구원
Abstract: The present invention relates to a nitrified product and a nitriding method by using plasma for replacing a nitiridation process of a bushing product with a nitridation process and a sulphurizing nitridation process processed in a clean plasma environment comprising: a pre-heating step for heating a specimen by charging the specimen to an inside of a furnace, and raising the temperature inside a furnace to a pre-heating process temperature in a vacuum atmosphere; a sputtering step for maintaining the pressure inside the furnace to a sputtering process pressure, and for ion etching a surface of the specimen while inserting Ar and H2 into an inside of the furnace; a soft nitriding step for maintaining pressure inside the furnace to a soft nitriding process pressure, and for inserting N2, H2, and carbon gas, and for forming a compound layer and a hardened layer on a surface of the specimen while applying a current to a screen net equipped in the specimen and an outside of the specimen; a sulfnitriding step for forming a sulfnitriding layer above a compound layer by inserting H2S after lowering the temperature inside a furnace to a sulfnitriding process temperature; and a cooling step for cooling the specimen by inserting N2 into an inside of a furnace. According to the configuration, a process can be simplified; work expenses can be saved through an environment-friendly process; whole product manufacturing costs can be reduced by replacing an expensive MoS2 process; and a problem of a post-process which is processed after salt bath nitriding can be solved by minimizing deformation after a plasma process. [Reference numerals] (AA) Sulfnitriding layer; (BB) Compound layer; (CC) Hardened layer; (DD) Specimen
Abstract translation: 本发明涉及一种通过使用等离子体来替代在清洁等离子体环境中加工的氮化工艺和硫化氮化工艺的套管产品的氮化过程的硝化产物和氮化方法,包括:用于加热样品的预热步骤 通过将试样装入炉内,将炉内的温度提高到真空气氛中的预热处理温度; 用于将炉内的压力维持在溅射工艺压力下的溅射步骤,以及用于在将Ar和H 2插入炉内的同时离子蚀刻样品的表面; 用于将炉内的压力维持在柔软的氮化处理压力上的软氮化步骤,以及用于插入N 2,H 2和碳气,以及在试样的表面上形成化合物层和硬化层,同时向 试样上装有筛网,试样外面; 一种用于通过在将炉内的温度降低到硫氮化处理温度之后通过插入H 2 S在化合物层上方形成硫氮化层的硫氮化步骤; 以及冷却步骤,用于通过将N2插入炉内而冷却试样。 根据该结构,能够简化处理。 可以通过环保过程节省工作费用; 通过更换昂贵的MoS2工艺可以降低整个产品制造成本; 并且可以通过使等离子体处理后的变形最小化来解决在盐浴氮化后处理的后处理的问题。 (附图标记)(AA)磺化氮化层; (BB)化合物层; (CC)硬化层; (DD)标本
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