Abstract:
본발명에따른연속주조법을이용한실리콘기판직접제조장치를통하면, 태양전지용실리콘기판은용융부에서용융된실리콘이토출홈을통하여수평방향으로토출되어주조공간부에서플레이트형의실리콘기판으로주조되고, 주조된플레이트형의실리콘기판이냉각응고부의끝단에접촉되는더미플레이트에의해연속적으로고화되어이송되는과정으로제조될수 있다. 이때, 상기더미플레이트및 고화된실리콘기판의이송속도는실리콘의고화속도와일치한다.
Abstract:
A high power quality islanding detecting method using effective power variation is provided to alleviate impact on a commercial system by applying a current having a designed value for a predetermined time. A high power quality islanding detecting method using effective power variation includes the steps of: matching zero crossing of output voltage through data sampling(S100,S110); periodically varying output current of an inverter in the zero crossing state(S120); varying the output voltage according to the variation of the output current; and detecting islanding by using an active frequency drift of the output current when varying the output voltage.
Abstract:
본 발명은 태양전지 자동배열장치에 관한 것으로, 그 목적은 태양전지모듈 셋업(Setup)공정을 자동화하여, 태양전지모듈(Photovoltaic Module)의 생산성을 높이고, 불량률을 최소화하며, 이로 인해 경제적 손실을 절감할 수 있는 태양전지 자동배열장치를 제공하는 것이다. 본 발명은 다수개의 세로지지대 및 가로지지대로 이루어진 상/하부 지지틀부와, 상기 하부 지지틀부의 일측에 일체형으로 설치되고 스트링지그에 놓여진 태양전지를 이송하며 태양전지의 전류/전압값을 측정하는 테스트부와, 상기 상부 지지틀부 상단에 설치되어 작동 에어실린더와 서보모터에 의해 상/하 이동되고 다수개의 진공패드를 구비하는 상부흡착부와, 상기 상부 흡착부 하단에 위치하도록 상부 지지틀부 중단에 설치되고 에어실린더에 의해 회전되며 위치제어모터에 의해 LM가이드를 따라 전/후 이동됨과 동시에 다수개의 진공패드를 구비하는 이동흡착부를 포함하여 구성되어 태양전지를 자동으로 이송 배열하는 태양전지 자동배열장치를 제공함에 있다.
Abstract:
본 발명은 건축물의 벽체에 태양전지 모듈을 설치할 수 있도록 하기 위한 건자재용 태양전지 모듈 고정 프레임에 관한 것이다. 본 고안의 고정 프레임은, "ㄴ"자형 바 형상을 하며, 내측 상단부와 배면(S B ) 하단부에 요홈(G)과 결합홈(G')이 길이 방향 전 길에 걸쳐 각각 구비된 다수의 메인 프레임(31)과; 상호 배면이 대향하는 두 메인 프레임의 각 배면 결합홈(G')에 길이 방향을 따라 양 단부가 분리 가능하게 삽입 결합되는 다수의 연결 프레임(32)으로 구성되며, 상기 연결 프레임의 중앙부가 두 메인 프레임의 배면 사이 틈새을 통하여 외부로 개방되도록 함으로써 태양전지 모듈의 전면에서 벽체측으로 고정 가능한 구조를 갖도록 함에 구조적 특징이 있다. 본 고안의 고정 프레임은 태양 전지 모듈을 건축물 외벽 트러스에 직접 설치할 수 있도록 하여 주기 때문에 건축물의 공간 활용도가 높아지며, 필요에 따라 상기 태양전지 모듈을 건축물의 외장재로 사용할 수 있어 건축비의 절감이 가능한 이점이 있다.
Abstract:
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 등가 가동시간 개념을 이용한 계통연계형 태양광발전 시스템의 고장 진단 방법은, 상기 태양광발전 시스템의 직류전력, 교류전력 및 일사강도 값을 각각 등가 가동시간(Y P , Meas , Y A,Meas , Y R , Meas )으로 변환하여 산출하는 단계, 상기 등가 가동시간(Y P , Meas , Y A , Meas , Y R , Meas ), 상기 태양광발전 어레이의 표면온도(T M , Meas ) 및 상기 태양광발전 어레이의 직류전류(I A , Meas )에 기초하여, 태양광발전 어레이의 표면온도(T M , Esti ), 태양광발전 시스템의 등가 가동시간(Y P , Esti ), 태양광발전 어레이의 등가 가동시간(Y A , Esti ), 태양 등가 가동시간(Y R , Esti ) 및 태양광발전 어레이의 직류전류(I A , Esti )를 추정하는 단계, 상기 태양광발전 시스템의 등가 가동시간의 추정값(Y P,Esti , Y A,Esti , Y R,E sti , I A , Esti , T M , Esti )과 각각의 상기 등가 가동시간의 실제 출력값(Y P , Meas , Y A , Meas , Y R,Meas , I A , Meas , T M , Meas )의 차이값(Y P , Resi , Y A , Resi , Y R , Resi , I A , Resi , T M , Resi )을 산출하는 단계, 상기 태양 등가 가동시간(Y R , Meas ), 상기 차이값 및 상기 태양광발전 시스템 등가 가동시간(Y P , Meas )이 고장/이상 데이터베이스에 저장된 미리 설정된 기준과 비교하는 단계 및 상기 비교하는 단계를 통해 상기 미리 설정된 기준을 만족하는 경우 태양광발전 시스템의 고장모드를 출력하는 단계를 포함한다.
Abstract:
PURPOSE: A solar cell including a back contact electrode having a grid structure is provided to reduce the manufacturing costs of the solar cell by reducing the amount of aluminum needed for the back contact electrode. CONSTITUTION: An emitter layer is formed on a solar cell substrate. An anti-reflection layer is formed on the emitter layer. A front electrode is formed on the anti-reflection barrier layer. The front electrode includes a bus electrode(104a) and a finger electrode(104b) which perpendicularly intersects the bus electrode. The back contact electrode is formed on the rear surface of the solar cell substrate. The back contact electrode includes a first line(106a) having a wide width and a second line(106b) having a narrow width.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a selective emitter layer, the selective emitter layer manufactured thereby, and a silicon solar cell including the same are provided to have an easily controlled doping profile for the selective emitter layer by performing a high temperature heat treatment for forming a high doped region. CONSTITUTION: A p-type impurity doped crystalline silicon substrate(401) is prepared. A first impurity source is laminated on the silicon substrate. A first heat treatment is performed on the substrate including a first impurity source. A high doped region(403) of a selective emitter layer is formed on the silicon substrate. A low doped region(404) is formed on the entire substrate by using a second impurity source.
Abstract:
간접 용융 및 무접촉 직접 용융이 가능한 실리콘 전자기 유도 용융용 흑연 도가니 및 이를 이용한 실리콘 용융 정련 장치에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 실리콘 전자기 유도 용융용 흑연 도가니는 상부가 개방되어 실리콘 원료가 장입되고, 외측벽이 유도 코일에 의해 둘러싸이는 원통형 구조를 갖는 흑연 재질의 도가니로서, 상기 도가니 외측벽과 내측벽을 관통하는 연직방향의 복수의 제1슬릿이 형성되어 있으며, 원판형인 도가니 바닥부의 가장자리로부터 중심방향으로 연직방향의 복수의 제2슬릿이 형성되어 있는 것으로 이루어진다.