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Patent Agency Ranking1.发明专利
公开(公告)号：KR102215322B1
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020190029377A
申请日：2019-03-14
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0368 , H01L31/0376 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0682 , H01L31/022441 , H01L31/02366 , H01L31/0368 , H01L31/0376 , H01L31/1804 , Y02E10/547
Abstract: 본 발명의 일실시예에 따른 실리콘 태양전지는 실리콘 기판, 상기 실리콘 기판의 전면에 위치하는 에미터층, 상기 에미터층의 전면에 위치하는 패시베이션막, 상기 에미터층에 전기적으로 연결되는 전면 전극, 상기 실리콘 기판의 후면에 위치하는 터널링층, 상기 터널링층 후면에 위치하고 밴드갭이 실리콘 보다 작은 반도체 물질을 포함하는 후면 전계층 및 상기 후면 전계층에 전기적으로 연결되는 후면 전극을 포함할 수 있고, 상기 후면 전계층을 도입하여 실리콘이 흡수하지 못하는 여분의 빛을 흡수함으로써 태양전지의 광흡수율을 증대시킬 수 있다.
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2.发明授权선택적 에미터층 제조방법, 이에 의하여 제조된 선택적 에미터층 및 이를 포함하는 실리콘 태양전지 有权用于制备选择性发射极层，由其制备的选择性发射极层的方法和包含该选择性发射极层的硅氧烷太阳能电池
公开(公告)号：KR101406339B1
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：KR1020110073761
申请日：2011-07-25
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 선택적 에미터층 제조방법, 이에 의하여 제조된 선택적 에미터층 및 이를 포함하는 실리콘 태양전지가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 방법은 제 1 도전형 불순물이 도핑된 실리콘 기판상에 제 2 도전형 불순물이 함유된 제 1 불순물 소스를 접촉시키는 단계; 상기 기판을 제 1 열처리하여, 상기 제 1 불순물 소스에 함유된 제 2 도전형 불순물을 상기 기판으로 제 1 확산시키는 단계; 상기 제 2 도전형 불순물이 함유된 제 2 불순물 소스를 제 2 열처리하여, 상기 제 1 확산된 기판 전체 영역에 상기 제 2 불순물 소스에 함유된 제 2 도전형 불순물을 제 2 확산시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명은 동일챔버 내에서 진행되는 연속된 단일 공정에서, 열처리 온도 및 기체 분위기 조건을 조절하여 선택적 에미터층을 경제적인 방식으로 제조할 수 있는 방법을 제공한다. 더 나아가, 농도 확산에 영향을 주는 열처리 조건을 달리 구성함으로써 선택적 에미터층에서의 불순물 확산 정도를 선택적으로 제어할 수 있다.-
公开(公告)号：KR102215322B1
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020190029377
申请日：2019-03-14
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0368 , H01L31/0376
Abstract: 본발명의일실시예에따른실리콘태양전지는실리콘기판, 상기실리콘기판의전면에위치하는에미터층, 상기에미터층의전면에위치하는패시베이션막, 상기에미터층에전기적으로연결되는전면전극, 상기실리콘기판의후면에위치하는터널링층, 상기터널링층후면에위치하고밴드갭이실리콘보다작은반도체물질을포함하는후면전계층및 상기후면전계층에전기적으로연결되는후면전극을포함할수 있고, 상기후면전계층을도입하여실리콘이흡수하지못하는여분의빛을흡수함으로써태양전지의광흡수율을증대시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR102138688B1
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：KR1020180159451
申请日：2018-12-11
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/052 , H01L35/32 , H01L31/0368 , H01L31/18 , H01L35/04 , H01L31/0224
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5.发明公开
公开(公告)号：KR1020130012494A
公开(公告)日：2013-02-04
申请号：KR1020110073761
申请日：2011-07-25
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a selective emitter layer, the selective emitter layer manufactured thereby, and a silicon solar cell including the same are provided to have an easily controlled doping profile for the selective emitter layer by performing a high temperature heat treatment for forming a high doped region. CONSTITUTION: A p-type impurity doped crystalline silicon substrate(401) is prepared. A first impurity source is laminated on the silicon substrate. A first heat treatment is performed on the substrate including a first impurity source. A high doped region(403) of a selective emitter layer is formed on the silicon substrate. A low doped region(404) is formed on the entire substrate by using a second impurity source.
Abstract translation: 目的：制造选择性发射极层的方法，由其制造的选择性发射极层和包括该选择性发射极层的硅太阳能电池被提供以通过进行高温热处理来形成用于选择性发射极层的容易控制的掺杂分布，以形成 高掺杂区域。 构成：制备p型杂质掺杂晶体硅衬底（401）。 在硅衬底上层叠第一杂质源。 在包括第一杂质源的衬底上进行第一热处理。 在硅衬底上形成选择性发射极层的高掺杂区域（403）。 通过使用第二杂质源在整个衬底上形成低掺杂区（404）。
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