公开(公告)号：KR101134131B1

公开(公告)日：2012-04-09

申请号：KR1020100087970

申请日：2010-09-08

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 유진수 ,  유권종 ,  소정훈 ,  이정철 ,  한규민

IPC: H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 실리콘 기판의 표면에 텍스처를 형성하는 표면조직화공정을 포함하는 실리콘 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 표면조직화공정의 앞에 상기 기판의 데미지를 제거하는 전처리공정을 더 포함하며, 상기 전처리공정이 NaOCl을 포함하는 용액에 상기 기판을 침지한 상태에서 초음파를 가하여 이루어진다.
본 발명은, 초음파 및 NaOCl을 이용한 전처리공정을 거친 실리콘 기판에 표면조직화공정을 실시함으로써, 태양전지의 변환효율을 감소시키지 않으면서 기판의 표면조직화과정에서 식각되는 실리콘의 양을 감소시켜 태양전지 제조시의 재료비용을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 종래의 전처리공정에 비하여 낮은 농도의 용액을 이용하여 낮은 온도에서 전처리공정을 실시함으로써, 제조비용이 감소하는 효과가 있다.
나아가 NaOCl 용액을 사용함으로써, 캐리어의 수명이 증가하는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020120025828A

公开(公告)日：2012-03-16

申请号：KR1020100087970

申请日：2010-09-08

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 유진수 ,  유권종 ,  소정훈 ,  이정철 ,  한규민

IPC: H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/04

Abstract: PURPOSE: A method for processing the surface of a silicon substrate for a silicon solar cell is provided to reduce manufacturing costs by reducing amount of silicon which is etched in a surface texturing process. CONSTITUTION: A silicon substrate is dipped in solution including NaOCl. Concentration of the NaOCl which is dipped in the solution is 1 to 10wt% range. Ultrasonic waves are added to the dipped silicon substrate. Damage of the silicon substrate is eliminated through a head end process. The head end process is processed at 10 to 30degrees for 1 to 10minutes. A texture is formed on the surface of the silicon substrate. An oscillation frequency of the ultrasonic waves is 20 to 40kHz.

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理硅太阳能电池的硅衬底的表面的方法，以通过减少在表面纹理化工艺中蚀刻的硅的量来降低制造成本。 构成：将硅衬底浸入含NaOCl的溶液中。 浸入溶液中的NaOCl的浓度为1〜10重量％。 超声波被添加到浸渍的硅衬底中。 通过头端工艺消除硅衬底的损坏。 头端过程在10至30度处理1至10分钟。 在硅衬底的表面上形成纹理。 超声波的振荡频率为20〜40kHz。