公开(公告)号：WO2023075100A1

公开(公告)日：2023-05-04

申请号：PCT/KR2022/011967

申请日：2022-08-11

Applicant: 한국재료연구원

Inventor： 정국채 ,  김종우 ,  강기훈 ,  이아영

IPC: F25B21/00

Abstract: 본 발명은 가돌리늄 튜브; 및 상기 가돌리늄 튜브 내에 장입된 자기 냉각 재료;를 포함하여 냉각 효율이 우수한 자기냉각용 복합체 및 이를 포함하는 AMR용 베드를 제공한다.

公开(公告)号：WO2023063539A1

公开(公告)日：2023-04-20

申请号：PCT/KR2022/010393

申请日：2022-07-15

Applicant: 한국재료연구원

Inventor： 최철진 ,  김종우 ,  박지훈 ,  김남규 ,  전한국

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/08 ,  H01F1/047 ,  C22C12/00 ,  C22C22/00 ,  B22F9/04

Abstract: 비전도성 고분자로 표면이 코팅된 Mn-Bi 계 자성상 분말을 제조하는 단계; 및 비전도성 고분자로 표면이 코팅된 Mn-Bi 계 자성상 분말을 가압성형하는 단계를 포함하는 Mn-Bi 계 수지자석 제조 방법으로서, 혼합물에 있어서, Mn-Bi 계 자성상 분말 100 중량부에 대하여 비전도성 고분자는 0.5 중량부 내지 5 중량부로 포함되는 것인 Mn-Bi 계 수지자석 제조 방법이며, 본 발명은 Mn-Bi 계 자성상 분말 표면에 고분자 코팅을 형성함으로써 자기적 특성이 우수한 Mn-Bi 계 수지자석을 제공할 수 있는 Mn-Bi 계 수지자석 제조 방법 및 이로부터 제조된 Mn-Bi 계 수지자석을 제공한다.

公开(公告)号：WO2023063538A1

公开(公告)日：2023-04-20

申请号：PCT/KR2022/010388

申请日：2022-07-15

Applicant: 한국재료연구원

Inventor： 최철진 ,  김종우 ,  박지훈 ,  김남규 ,  전한국

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/08 ,  H01F1/047 ,  C22C12/00 ,  C22C22/00 ,  B22F9/04 ,  B22F3/12

Abstract: 본 발명은 Mn-Bi 계 자성상 합금을 제조하는 단계; Mn-Bi 계 자성상 합금을 분쇄하여 Mn-Bi 계 자성상 조분말을 제조하는 단계; Mn-Bi 계 자성상 조분말을 미분화하여 Mn-Bi 계 자성상 분말을 제조하는 단계; 및 자성상 분말을 자장 하에 핫프레싱하여 벌크자석으로 제조하는 단계를 포함하는 Mn-Bi 계 소결자석 제조 방법으로서, 최대자기에너지적과 같은 자기적 특성이 우수한 Mn-Bi 계 소결자석을 제공한다.

公开(公告)号：WO2023080402A1

公开(公告)日：2023-05-11

申请号：PCT/KR2022/011971

申请日：2022-08-11

Applicant: 한국재료연구원

Inventor： 정국채 ,  김종우 ,  강기훈 ,  이아영

IPC: F25B21/00 ,  C22C9/00 ,  C22C14/00 ,  C22C19/00 ,  C09K5/00 ,  C08L101/00

Abstract: 본 발명은 금속 시스 내부에 장입된 자기 냉각 재료를 포함하는 자기냉각용 테이프를 포함하여 냉각 효율이 우수한 자기냉각용 부재 및 이를 포함하는 AMR용 베드를 제공한다.