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公开(公告)号：KR20210033675A
公开(公告)日：2021-03-29
申请号：KR1020190115249A
申请日：2019-09-19
Applicant: 한국재료연구원
IPC: H05H1/34
CPC classification number: H05H1/34 , H05H2001/3431 , H05H2001/3468
Abstract: 이 발명은 상압으로 작동하는 플라즈마 토오치에 관한 것으로서, 전원이 인가되는 제1 전극, 제1 전극을 둘러싸도록 배치되고 접지되는 제2 전극, 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치되는 절연체, 중심에 제1 전극의 선단이 배치되고 제2 전극 및 절연체의 일부가 둘러싸서 형성되는 플라즈마 챔버, 및 플라즈마 챔버에 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하고, 절연체와 제2 전극에는 플라즈마 챔버의 하류에 개구가 형성되어 플라즈마 가스가 토출되는 가스 출구를 이루고, 가스 공급부는 가스 공급원으로부터의 가스가 유동하는 가스 공급 튜브를 포함하며, 제1 전극의 일부는 중공형 튜브로 형성되어 가스 공급 튜브과 유체 연통되고 전기 절연되게 결합되고 플라즈마 챔버에 가스를 공급하는 가스 배출공이 마련되어 가스 공급부로부터의 가스를 플라즈마 챔버에 공급하는 것이다.
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公开(公告)号：WO2023080402A1
公开(公告)日：2023-05-11
申请号：PCT/KR2022/011971
申请日：2022-08-11
Applicant: 한국재료연구원
Abstract: 본 발명은 금속 시스 내부에 장입된 자기 냉각 재료를 포함하는 자기냉각용 테이프를 포함하여 냉각 효율이 우수한 자기냉각용 부재 및 이를 포함하는 AMR용 베드를 제공한다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR20210033675A
公开(公告)日：2021-03-29
申请号：KR20190115249
申请日：2019-09-19
Applicant: 한국재료연구원
IPC: H05H1/34
Abstract: 이발명은상압으로작동하는플라즈마토오치에관한것으로서, 전원이인가되는제1 전극, 제1 전극을둘러싸도록배치되고접지되는제2 전극, 제1 전극과제2 전극사이에배치되는절연체, 중심에제1 전극의선단이배치되고제2 전극및 절연체의일부가둘러싸서형성되는플라즈마챔버, 및플라즈마챔버에가스를공급하는가스공급부를포함하고, 절연체와제2 전극에는플라즈마챔버의하류에개구가형성되어플라즈마가스가토출되는가스출구를이루고, 가스공급부는가스공급원으로부터의가스가유동하는가스공급튜브를포함하며, 제1 전극의일부는중공형튜브로형성되어가스공급튜브과유체연통되고전기절연되게결합되고플라즈마챔버에가스를공급하는가스배출공이마련되어가스공급부로부터의가스를플라즈마챔버에공급하는것이다.
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