公开(公告)号：WO2023063539A1

公开(公告)日：2023-04-20

申请号：PCT/KR2022/010393

申请日：2022-07-15

Applicant: 한국재료연구원

Inventor： 최철진 ,  김종우 ,  박지훈 ,  김남규 ,  전한국

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/08 ,  H01F1/047 ,  C22C12/00 ,  C22C22/00 ,  B22F9/04

Abstract: 비전도성 고분자로 표면이 코팅된 Mn-Bi 계 자성상 분말을 제조하는 단계; 및 비전도성 고분자로 표면이 코팅된 Mn-Bi 계 자성상 분말을 가압성형하는 단계를 포함하는 Mn-Bi 계 수지자석 제조 방법으로서, 혼합물에 있어서, Mn-Bi 계 자성상 분말 100 중량부에 대하여 비전도성 고분자는 0.5 중량부 내지 5 중량부로 포함되는 것인 Mn-Bi 계 수지자석 제조 방법이며, 본 발명은 Mn-Bi 계 자성상 분말 표면에 고분자 코팅을 형성함으로써 자기적 특성이 우수한 Mn-Bi 계 수지자석을 제공할 수 있는 Mn-Bi 계 수지자석 제조 방법 및 이로부터 제조된 Mn-Bi 계 수지자석을 제공한다.

公开(公告)号：WO2023063538A1

公开(公告)日：2023-04-20

申请号：PCT/KR2022/010388

申请日：2022-07-15

Applicant: 한국재료연구원

Inventor： 최철진 ,  김종우 ,  박지훈 ,  김남규 ,  전한국

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/08 ,  H01F1/047 ,  C22C12/00 ,  C22C22/00 ,  B22F9/04 ,  B22F3/12

Abstract: 본 발명은 Mn-Bi 계 자성상 합금을 제조하는 단계; Mn-Bi 계 자성상 합금을 분쇄하여 Mn-Bi 계 자성상 조분말을 제조하는 단계; Mn-Bi 계 자성상 조분말을 미분화하여 Mn-Bi 계 자성상 분말을 제조하는 단계; 및 자성상 분말을 자장 하에 핫프레싱하여 벌크자석으로 제조하는 단계를 포함하는 Mn-Bi 계 소결자석 제조 방법으로서, 최대자기에너지적과 같은 자기적 특성이 우수한 Mn-Bi 계 소결자석을 제공한다.

公开(公告)号：KR102252068B1

公开(公告)日：2021-05-17

申请号：KR1020180152933

申请日：2018-11-30

Applicant: 한국재료연구원

Inventor： 최철진 ,  박지훈 ,  임정태 ,  정국채

IPC: H01F1/059 ,  H01F41/02 ,  C22C1/02

Abstract: 본발명은 ThMn12형자성체및 그제조방법에관한것이다. 본발명의일 구현예에따른자성체는보자력이우수하고잔류자화도가높은자기적특성이개선된자성체를얻을수 있다.