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公开(公告)号：KR1020090103269A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：KR1020080028764
申请日：2008-03-28
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01L31/105
CPC classification number: H01L31/105 , H01L21/0262 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating PIN sensor is provided to improve productivity and yield by forming N+ doping layer in an LPCVD process of batch type. CONSTITUTION: A method of manufacturing a PIN sensor comprises as follows. The first doped layer(110) is formed at both sides of the intrinsic layer substrate by performing the LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) process of batch type. The first doped layers formed in one side of the intrinsic layer substrate are removed. The photoresist pattern is formed at the upper part of one side of the intrinsic layer substrate in which the first doped layers are removed. The second doped layer(130) is formed by performing ion implantation on one side of the intrinsic layer substrate using the mask as the photoresist pattern. The photoresist pattern is removed. The gate electrode(140) is formed at the upper part of one side of the intrinsic layer substrate including the second doped layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造PIN传感器的方法，以通过在分批式LPCVD工艺中形成N +掺杂层来提高生产率和产量。 构成：制造PIN传感器的方法包括如下。 通过执行批次式的LPCVD（低压化学气相沉积）工艺，在本征层衬底的两侧形成第一掺杂层（110）。 去除在本征层衬底的一侧中形成的第一掺杂层。 光致抗蚀剂图案形成在其中去除第一掺杂层的本征层衬底的一侧的上部。 通过使用掩模作为光致抗蚀剂图案，在本征层衬底的一侧上进行离子注入来形成第二掺杂层（130）。 去除光致抗蚀剂图案。 栅电极（140）形成在包括第二掺杂层的本征层衬底的一侧的上部。
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公开(公告)号：KR1020170055890A
公开(公告)日：2017-05-22
申请号：KR1020150159226
申请日：2015-11-12
Applicant: 한국전기연구원
Abstract: 본발명은고전압전원장치를공개한다. 본발명은승압을위해서변압기의권선을복수의층으로권선하는대신에, 변압기를복수개로분할하고변압기의출력을직렬로연결함으로써, 변압기권선간의절연을유지하면서도고전압을출력할수 있다. 특히, 본발명은복수의변압기들의서로다른누설인덕턴스로인하여, 각변압기의출력전압이불균일해지는문제를해결하기위하여, 인접한변압기들의코어에제 3차측권선을함께권선함으로써, 각변압기의 2차측권선에유도되는전압을균일하게조절할수 있다.
Abstract translation: 本发明公开了一种高压电源。 本发明可以代替变压器绕组多个层到升压，多个开路变压器的绕组的进行划分，并输出一高电压，同时，由所述变压器的输出串联连接，维持变压器绕组之间的绝缘。 特别地，本发明是由于多个变压器的不同的漏电感，为了解决该输出电压是每个变压器的非均匀性的问题，通过与第三绕组到相邻变压器的铁芯绕组，次级绕组每个变压器的 电池中感应出的电压可以统一调整。
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公开(公告)号：KR1020170032643A
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：KR1020150130235
申请日：2015-09-15
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H02M3/335
Abstract: 본발명은양방향전력변환장치를공개한다. 본발명은공진회로부에공진파라미터를변경할수 있는공진소자및 이를회로에연결하는스위치부를설치하여, 일방향으로전력을전달할때에는스위치를오프시켜해당방향으로최적설계된공진소자들을이용하여전력을전달하고, 다른일 방향으로전력을전달할때에는스위치를온시켜공진소자를추가로공진회로에연결하여해당방향으로공진파라미터가최적설계된공진회로를이용하여전력을전달할수 있게됨으로써, 양방향전력전달시양방향모두에최적의전력변환효율로전력을전달할수 있는전력변환장치를제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明公开了一种双向功率转换装置。 本发明是安装和开关连接，可以改变共振参数谐振电路中的谐振元件，而这一点，在电路中，使用在对应的方向的最佳设计谐振元件将功率输送到单向发送功率时关闭开关，和 通过能够能够将功率输送到在一个方向上输送功率到另一个的时间导通转发双向功率时使用的谐振电路的谐振参数在相应的方向上优化的设计，适合于两个方向上连接到所述谐振电路的附加谐振元件在交换机上 可以提供能够以功率转换装置的功率转换效率传输功率的功率转换装置。
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公开(公告)号：KR100967428B1
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080028764
申请日：2008-03-28
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01L31/105
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 있어서, 특히 배치(batch) 타입으로 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 공정을 수행하여 N+ 도핑층을 형성함으로써, 반도체 소자 양산시, 생산성 및 제조 수율을 향상시키는 PIN 센서 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 PIN 센서 제조 방법은, 배치(batch) 타입으로 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 공정을 수행하여 진성층 기판의 양면에 제 1 도핑층을 형성하는 단계, 상기 진성층 기판의 일면에 형성된 제 1 도핑층을 제거하는 단계, 상기 제 1 도핑층이 제거된 상기 진성층 기판의 일면 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 진성층 기판의 일면에 이온주입을 수행하여 제 2 도핑층을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계 및 상기 제 2 도핑층을 포함하는 상기 진성층 기판의 일면 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
반도체 소자, 배치(batch) 방식, LPCVD, 도핑, PIN 센서
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