公开(公告)号：KR101204338B1

公开(公告)日：2012-11-26

申请号：KR1020090027376

申请日：2009-03-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 노용영 ,  강석주 ,  구재본 ,  유인규 ,  백강준

IPC: H01L29/786 ,  B32B27/28

Abstract: 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법을 제공한다. 이 유기 박막 트랜지스터에서는 고유전율의 친수성 고분자와 저유전율의 소수성 고분자를 동시에 포함하는 이중 블록 공중합체가 라멜라 구조로 유기 절연막으로 사용되므로, 박막을 구현할 수 있어 문턱전압과 구동전압을 동시에 낮출 수 있다. 또한 이의 제조 방법에서는, 한번의 스핀 코팅에 의해 두가지 물성이 다른 고분자 절연막을 형성할 수 있으므로 공정을 단순화할 수 있다.
이중 블록 공중합체, 유기 박막 트랜지스터

公开(公告)号：KR1020100066285A

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：KR1020090027376

申请日：2009-03-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 노용영 ,  강석주 ,  구재본 ,  유인규 ,  백강준

IPC: H01L29/786 ,  B32B27/28

CPC classification number: H01L51/052 ,  B32B27/28 ,  H01L51/0512

Abstract: PURPOSE: An organic thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to simplify a process by forming a polymer insulating film with different material properties due to a one-time spin coating. CONSTITUTION: An organic insulating film(40) is formed on a substrate(10). A gate electrode(50) is formed near the organic insulating film. An active layer is symmetrical with the gate electrode while interposing the organic insulting film. A source/drain electrode(20) is located on both sides of the gate electrode. The organic insulating film comprises a diblock copolymer which forms a lamella structure.

Abstract translation: 目的：提供有机薄膜晶体管及其制造方法，以通过由于一次旋涂形成具有不同材料性质的聚合物绝缘膜来简化工艺。 构成：在基板（10）上形成有机绝缘膜（40）。 在有机绝缘膜附近形成栅电极（50）。 有源层与介电栅极对称，同时插入有机绝缘膜。 源极/漏极（20）位于栅电极的两侧。 有机绝缘膜包括形成薄片结构的二嵌段共聚物。