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1.发明授权
公开(公告)号：KR100975913B1
公开(公告)日：2010-08-13
申请号：KR1020080107801
申请日：2008-10-31
IPC: C08L33/00 , C08K5/16 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0558 , C08F8/30 , C08F2810/20 , H01L51/004 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , C08F220/30 , C08F220/14
Abstract: 안트라세닐 그룹을 포함하는 물질 및 말레이미드 그룹을 갖는 가교제를 포함하는 유기 박막 트랜지스터용 조성물(Composition for Manufacturing Organic Thin Film Transistor), 이를 이용하여 형성된 유기 박막 트랜지스터 및 그 형성방법이 개시된다.
안트라세닐, 말레이미드, 유기 절연막, 유기 박막 트랜지스터, 가교반응-
公开(公告)号：KR1020100066285A
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：KR1020090027376
申请日：2009-03-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , B32B27/28
CPC classification number: H01L51/052 , B32B27/28 , H01L51/0512
Abstract: PURPOSE: An organic thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to simplify a process by forming a polymer insulating film with different material properties due to a one-time spin coating. CONSTITUTION: An organic insulating film(40) is formed on a substrate(10). A gate electrode(50) is formed near the organic insulating film. An active layer is symmetrical with the gate electrode while interposing the organic insulting film. A source/drain electrode(20) is located on both sides of the gate electrode. The organic insulating film comprises a diblock copolymer which forms a lamella structure.
Abstract translation: 目的：提供有机薄膜晶体管及其制造方法，以通过由于一次旋涂形成具有不同材料性质的聚合物绝缘膜来简化工艺。 构成：在基板（10）上形成有机绝缘膜（40）。 在有机绝缘膜附近形成栅电极（50）。 有源层与介电栅极对称，同时插入有机绝缘膜。 源极/漏极（20）位于栅电极的两侧。 有机绝缘膜包括形成薄片结构的二嵌段共聚物。
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3.发明公开
公开(公告)号：KR1020100048576A
公开(公告)日：2010-05-11
申请号：KR1020080107801
申请日：2008-10-31
IPC: C08L33/00 , C08K5/16 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0558 , C08F8/30 , C08F2810/20 , H01L51/004 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/052 , C08F220/14 , C08F220/30
Abstract: PURPOSE: A composition for organic thin film transistor is provided to form organic insulating film having excellent solvent resistance, durability, and insulating property. CONSTITUTION: A composition for organic thin film transistor comprises a material of chemical formula I or II and cross linking agent having a maleimide group. In chemical formula I or II, R' and R" are separately hydrogen atom, hydroxy group, ester group, amide group, or alkyl group or alkoxy group of 1-12 carbon atoms.
Abstract translation: 目的：提供用于有机薄膜晶体管的组合物，以形成具有优异的耐溶剂性，耐久性和绝缘性的有机绝缘膜。 构成：用于有机薄膜晶体管的组合物包括化学式I或II的材料和具有马来酰亚胺基团的交联剂。 在化学式I或II中，R'和R“分别是氢原子，羟基，酯基，酰胺基或1-12个碳原子的烷基或烷氧基。
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公开(公告)号：KR1020100019853A
公开(公告)日：2010-02-19
申请号：KR1020080078593
申请日：2008-08-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L51/00 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0004 , H01L51/0027 , H01L51/0036 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/0007
Abstract: PURPOSE: A method for locally crystallizing organic thin film and a method for improving organic thin film transistor using the same are provided to locally improve the crystallinity of an organic layer by performing thermal process. CONSTITUTION: An organic layer(150) is formed on a substrate(110). An organic solvent(S) is applied on a specific area(150a) for improving crystallinity. The organic solvent gradually is evaporated. The movement of particles of the organic layer is activated in the area spread by the organic solvent. The crystallinity of the area spread by the organic solvent is locally improved through self-alignment.
Abstract translation: 目的：提供局部结晶有机薄膜的方法和使用其的改进有机薄膜晶体管的方法，以通过进行热处理来局部地提高有机层的结晶度。 构成：在衬底（110）上形成有机层（150）。 将有机溶剂（S）施加在特定区域（150a）上以改善结晶度。 有机溶剂逐渐蒸发。 有机层的颗粒的移动在有机溶剂扩散的区域中被活化。 由有机溶剂扩散的区域的结晶度通过自对准而局部地改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130022438A
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：KR1020110083618
申请日：2011-08-22
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: Y02E10/50 , C23C16/325 , C23C16/24 , C23C16/50
Abstract: PURPOSE: A formation method of a silicon carbide film with nanocrystalline silicon is provided to increase the luminous efficiency of the silicon carbide film applied to the next generation solar cell field by forming the silicon carbide film with the nanocrystalline silicon. CONSTITUTION: A formation method of a silicon carbide film with nanocrystalline silicon uses plasma gas including methane(CH4) gas and silane(SiH) gas. The silicon carbide film(110) comprises silicon carbide(SiC) or silicon oxycarbide(SiOC). The silicon carbide film and the nanocrystalline silicon(120) are formed simultaneously.
Abstract translation: 目的：提供具有纳米晶硅的碳化硅膜的形成方法，以通过与纳米晶硅形成碳化硅膜来增加施加到下一代太阳能电池领域的碳化硅膜的发光效率。 构成：具有纳米晶硅的碳化硅膜的形成方法使用包括甲烷（CH 4）气体和硅烷（SiH））气体在内的等离子体气体。 碳化硅膜（110）包括碳化硅（SiC）或碳氧化硅（SiOC）。 碳化硅膜和纳米晶硅（120）同时形成。
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公开(公告)号：KR101204338B1
公开(公告)日：2012-11-26
申请号：KR1020090027376
申请日：2009-03-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , B32B27/28
Abstract: 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법을 제공한다. 이 유기 박막 트랜지스터에서는 고유전율의 친수성 고분자와 저유전율의 소수성 고분자를 동시에 포함하는 이중 블록 공중합체가 라멜라 구조로 유기 절연막으로 사용되므로, 박막을 구현할 수 있어 문턱전압과 구동전압을 동시에 낮출 수 있다. 또한 이의 제조 방법에서는, 한번의 스핀 코팅에 의해 두가지 물성이 다른 고분자 절연막을 형성할 수 있으므로 공정을 단순화할 수 있다.
이중 블록 공중합체, 유기 박막 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020120106521A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：KR1020110069863
申请日：2011-07-14
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A flexible flat cable and a manufacturing method thereof are provided to minimize distortion and interference of signals by surrounding a wire core with shield coating layers made of metal components, and insulation coating layers made of parylene polymers. CONSTITUTION: A flexible flat cable(100) includes insulation coating layers(20) made of parylene polymers and shield coating layers(30) made of metal components surrounding a wire core(10). The insulation coating layer increases insulation properties between the wire cores. The insulation coating layer reduces an RC delay of a signal. The shield coating layer shields electromagnetic waves between the wire cores. The flexible flat cable maximizes the transfer efficiency of the wire core.
Abstract translation: 目的：提供柔性扁平电缆及其制造方法，以通过围绕具有由金属部件制成的屏蔽涂层的线芯和由聚对二甲苯聚合物制成的绝缘涂层来最小化信号的变形和干扰。 构成：柔性扁平电缆（100）包括由聚对二甲苯聚合物制成的绝缘涂层（20）和围绕线芯（10）的金属组件制成的屏蔽涂层（30）。 绝缘涂层增加了导线芯之间的绝缘性能。 绝缘涂层降低了信号的RC延迟。 屏蔽涂层屏蔽线芯之间的电磁波。 柔性扁平电缆使线芯的传输效率最大化。
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公开(公告)号：KR101183964B1
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：KR1020080078593
申请日：2008-08-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L51/00 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0004 , H01L51/0027 , H01L51/0036 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 본 발명은 유기 박막의 국부적 결정화 방법 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로, 유기 박막 트랜지스터의 활성층으로 사용되는 유기 박막에 유기 용매의 국부적인 도포나 레이저를 통한 국부적인 열처리를 수행하여 유기 박막의 결정도를 국부적으로 향상시킴으로써, 별도로 유기 박막을 패터닝하지 않고도 유기 박막 트랜지스터의 전하 이동도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 소자간의 크로스토크를 감소시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.
유기 박막, 국부적, 결정화, 유기 박막 트랜지스터, 활성층, 유기 용매, 레이저-
公开(公告)号：KR1020120061531A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：KR1020100122869
申请日：2010-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
CPC classification number: B41F17/26 , B05C1/0808 , H01L21/0274 , G03F1/22 , G03F7/0002
Abstract: PURPOSE: A metal pattern formation method and an apparatus using the same are provided to improve electrical properties of a metal wire by forming the metal wire using a non-electrode electrochemical plating method. CONSTITUTION: An adhesive pattern is formed on a substrate(S10). An initiator is combined on the adhesive pattern by spraying an initiator solution on the substrate(S20). A metal is combined with the initiator by performing a plating process after spraying a metal precursor solution on the substrate(S30). The initiator solution and the metal precursor solution on the substrate are eliminated between the adhesive patterns by performing a cleaning process(S40).
Abstract translation: 目的：提供一种金属图案形成方法及其使用方法，通过使用非电极电镀法形成金属线来提高金属线的电特性。 构成：在基材上形成粘合剂图案（S10）。 通过在基板上喷射引发剂溶液将引发剂组合在粘合剂图案上（S20）。 通过在金属前体溶液喷涂到基板上之后进行电镀处理，将金属与引发剂结合（S30）。 通过进行清洗处理，在粘合剂图案之间消除了基板上的引发剂溶液和金属前体溶液（S40）。
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