전계 방출 소자의 팁의 저항층 형성 방법
    1.
    发明公开
    전계 방출 소자의 팁의 저항층 형성 방법 无效
    用于形成场发射器件的尖端的电阻层的方法

    公开(公告)号:KR1019990050436A

    公开(公告)日:1999-07-05

    申请号:KR1019970069555

    申请日:1997-12-17

    Abstract: 본 발명은 전계 방출 소자 (Field Emitter Device)를 위한 팁 제작에 관한 것으로, 팁의 기둥부분을 전류제한을 위한 저항층으로 사용하려고 할 때, 저항의 크기를 자유롭게 조절할 수 있는 방법에 관한 것이다. 실리콘이나 비정질 실리콘 혹은 폴리 실리콘 등으로 팁을 만드는 과정에서 첫번째 단계에서 등방성 식각을 하여 팁의 모양을 형성하고, LTO(Low Temperature Oxide)나 기타 측벽증착특성이 우수한 방법으로 측벽(side-wall)의 두께를 자유롭게 조절, 다음 단계에서 비등방성 식각을 하여 기둥부분의 반지름을 조절할 수 있다. 이러한 방법은 기둥부분의 높이와 반지름을 측벽 산화막의 두께와 식각시간으로 자유롭게 조절할 수 있어서 원하는 저항값을 쉽게 조절할 수 있다. 이는 전계 방출 소자의 방출 전류를 안정화시키는 데 유용한 기술이 될 것이다.

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