公开(公告)号：KR1020090090839A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：KR1020080016345

申请日：2008-02-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병곤 ,  김광호

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/00

Abstract: A method for forming a vanadium dioxide layer using an atomic layer deposition method is provided to form a uniform and thin film by removing inert gas except vanadium absorbed to the surface of a silicon substrate. A method for forming a vanadium dioxide layer includes the following steps of: absorbing vanadium on the surface a silicon substrate; forming a vanadium dioxide layer by reacting plasmalyzed oxygen with the absorbed vanadium; and removing the rest with inert gas except the vanadium. The inert gas includes argon. The surface temperature of the silicon substrate is 100~500‹C.

Abstract translation: 提供了使用原子层沉积法形成二氧化钒层的方法，通过除去吸附到硅衬底表面的钒以外的惰性气体来形成均匀的薄膜。 形成二氧化钒层的方法包括以下步骤：在硅衬底的表面上吸收钒; 通过使等离子体氧与所吸收的钒反应形成二氧化钒层; 并用除了钒之外的惰性气体除去其余物质。 惰性气体包括氩气。 硅衬底的表面温度为100〜500℃。

公开(公告)号：KR1019970052828A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950053654

申请日：1995-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병곤 ,  장원익 ,  강승열 ,  김광호 ,  백종태

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명은 저유전율 박막 제조방법에 관한것으로, 불소계 원료개스를 사용하여 저유전율을 갖는 SiOF 저유전율 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 상기 본 발명은 RPCVD 장치의 반응로에 반도체기판을 실장하고 불소의 원료개스로서 SF
6 + N
2 O 혼합 개스 또는 SF
6 + O
2 혼합 개스를 주입하고 산화 실리콘(SiO)의 원료개스 로서 SiH
2 개스 또는 TEOS(OC
2 H
5 )
4 를 주입하여 반도체기판상에 SiOF 저유전율 박막을 형성함을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100160916B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019950053654

申请日：1995-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병곤 ,  장원익 ,  강승열 ,  김광호 ,  백종태

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명은 저유전율 박막 제조방법에 관한것으로, 불소계 원료개스를 사용하여 저유전율을 갖는 SiOF 저유전율 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 상기 본 발명은 RPCVD 장치의 반응로에 반도체기판을 실장하고 불소의 원료개스로서 SF
6 + N
2 O 혼합 개스 또는 SF
6 + O
2 혼합 개스를 주입하고 산화 실리콘(SiO)의 원료개스 로서 SiH
2 개스 또는 TEOS(OC
2 H
5 )
4 를 주입하여 반도체기판상에 SiOF 저유전율 박막을 형성함을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019970023694A

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019950034141

申请日：1995-10-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병곤 ,  백종태 ,  장원익 ,  김광호

IPC: H01L21/265

Abstract: 본 발명은 반도체 제조용 장비에 사용되는 기판가열기구로서 반도체 소자 제작시에 웨이퍼 표면의 온도 균일도를 개선할 수 있고 또 가열온도를 정밀하게 제어할 수 있도록 한 기판 가열기구에 관한 것으로 종래의 서셉터는 주로 스테인레스로 제작되어 열전도가 좋지 않기 때문에 성장박막의 균일도에 나쁜 영향을 미치며, 온도차에 의한 변형이 일어나 서셉터와 히터 블록 사이에 틈이 생겨 온도가 불균일하게 되는 등의 문제점이 있었다.
본 발명에서는 열전도가 좋아 열균일도가 양호하고 가열온도의 제어가 용이하도록 반도체 소자 제작시 웨이퍼 표면을 가열하는 기판 가열기구로서 내부에 가스를 충전시킬 수 있도록 한 공간부를 갖는 서셉터와 상기 서셉터를 가열하기 위한 가열수단으로서 전면가열이나 부분가열하여도 열 균일도가 양호하도록 함을 특징으로 하는 것이다.