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公开(公告)号：KR1020160071511A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：KR1020140178242
申请日：2014-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은자외선차단필름및 그의제조방법을제공한다. 본발명에따른자외선차단필름은투명기판, 상기투명기판상에형성된자외선흡수층및 상기자외선흡수층상에형성된나노구조를포함할수 있다. 상기자외선흡수층과상기나노구조는같은물질일수 있다.
Abstract translation: 提供一种UV保护膜及其制造方法。 根据本发明，UV保护膜包括：透明基板; 形成在所述透明基板上的紫外线吸收层; 以及形成在UV吸收层上的纳米结构。 UV吸收层和纳米结构可以由相同的材料制成。 本发明提供了一种紫外线保护膜，其保护用户免受紫外线的影响，并且在一定范围内具有低反射率和高透光率的光。
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公开(公告)号：KR1020170141575A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：KR1020160153585
申请日：2016-11-17
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은전극제조방법에관한것으로, 산화그래핀을포함하는조성물을준비하는것, 기판상에상기조성물을도포하여산화그래핀박막을형성하는것, 및상기산화그래핀박막에광을조사하는것을포함하되, 상기산화그래핀박막에광을조사하는것에의하여상기산화그래핀이환원되고, 상기산화그래핀박막내에기공이형성되는것을포함하는전극제조방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明包括上，氧化是haneungeot制备组合物，其包括销，以涂覆在基片haneungeot该组合物形成氧化物石墨烯薄膜照射光，并且是根据电极的制造方法的氧化销薄膜 其中用光照射氧化石墨烯薄膜，使氧化石墨烯减少，并在氧化石墨烯薄膜中形成孔隙。
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公开(公告)号：KR101774253B1
公开(公告)日：2017-09-04
申请号：KR1020160022386
申请日：2016-02-25
Abstract: 본발명은 a) 제1금속박막일면에제1그래핀집전체, 제1전극및 제1분리막을순차적으로적층하여제1적층체를제조하는단계; b) 제2금속박막일면에제2그래핀집전체및 제2전극을순차적으로적층하여제2적층체를제조하는단계; c) 상기제1적층체의제1분리막상에상기제2전극이접하도록제2적층체를적층하여제3적층체를제조하는단계; d) 상기제3적층체를압착처리하여제1금속박막및 제2금속박막이박리된단위적층체를제조하는단계; 및 e) 상기단위적층체; 및제2분리막또는절연막;을교번적층하는단계;를포함하는적층형슈퍼커패시터의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：a）在第一金属箔的一个表面上顺序地层压第一石墨烯集电器，第一电极和第一隔板; b）通过在所述第二金属箔的一个表面上顺序地层压第二石墨烯集电体和第二电极来形成第二层压体; c）层叠第二层压板，使得第二电极与第一层压板的第一隔板接触以产生第三层压板; d）压缩所述第三层压体以制造单元层压体，其中所述第一金属薄膜和所述第二金属薄膜被剥离; 和e）单元层压板; 以及交替堆叠第一和第二隔板或绝缘膜的步骤。
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公开(公告)号：KR1020160047377A
公开(公告)日：2016-05-02
申请号：KR1020150068016
申请日：2015-05-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C08J5/22 , G03F7/00 , H01G11/54 , H01M10/056
Abstract: 본발명은이온교환막의제조방법에관한것으로, 리세스영역을정의하는임프린트패턴을포함하는스탬프를준비하는것, 상기리세스영역에레진을채우는것, 상기레진을경화시키는것, 및상기경화된레진을기판상에전사하는것을포함하는이온교환막의제조방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及离子交换膜的制造方法。 该方法包括：准备包括用于限定凹部区域的印模图案的印模; 在树脂的凹部中填充树脂; 硬化树脂; 并将硬化树脂转录在基材上。 通过根据本发明的实施方案的用于制备离子交换膜的方法制备的离子交换膜可以具有直径孔道和具有均匀尺寸的孔。 因此，可以提高离子传导性。
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