公开(公告)号：KR1020170141575A

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：KR1020160153585

申请日：2016-11-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 양용석 ,  유인규 ,  설지환 ,  김빛나 ,  김인규 ,  홍성훈

IPC: C01B31/04 ,  C01B31/02 ,  C01B31/08 ,  B01J19/12 ,  H01G11/32

Abstract: 본발명은전극제조방법에관한것으로, 산화그래핀을포함하는조성물을준비하는것, 기판상에상기조성물을도포하여산화그래핀박막을형성하는것, 및상기산화그래핀박막에광을조사하는것을포함하되, 상기산화그래핀박막에광을조사하는것에의하여상기산화그래핀이환원되고, 상기산화그래핀박막내에기공이형성되는것을포함하는전극제조방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明包括上，氧化是haneungeot制备组合物，其包括销，以涂覆在基片haneungeot该组合物形成氧化物石墨烯薄膜照射光，并且是根据电极的制造方法的氧化销薄膜 其中用光照射氧化石墨烯薄膜，使氧化石墨烯减少，并在氧化石墨烯薄膜中形成孔隙。