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公开(公告)号：KR100319750B1
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：KR1019990022661
申请日：1999-06-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11C16/00
Abstract: 본발명의목적은 '제1상태' 및 '제2상태'의정보를프로그램할때 1개의셀만을독립적으로선택할수 있고드레인디스터브(Disturb)가발생하지않는, 1T형강유전체메모리장치의셀 어레이구조와그의구동방법을제공하고자하는것으로, 이를위한본 발명의강유전체메모리장치는, 강유전체트랜지스터를셀로서구비한비휘발성강유전체메모리장치에있어서, 로우(row)와컬럼(column) 방향으로매트릭스배열된다수의강유전체트랜지스터셀; 각로우방향의상기강유전체트랜지스터들의각 게이트전극에공통접속된다수의워드라인; 각컬럼방향의상기강유전체트랜지스터들의일측접합에공통접속된다수의소스라인; 각컬럼방향의상기강유전체트랜지스터들의타측접합에공통접속된다수의비트라인; 및각 칼럼방향의상기강유전체트랜지스터들의웰에공통접속된다수의웰라인을포함하며, 상기웰라인은이웃하는컬럼의웰라인과서로전기적으로분리된것을특징으로한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020010002725A
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019990022661
申请日：1999-06-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11C16/00
Abstract: PURPOSE: A nonvolatile ferroelectric memory device and method for driving the device is provided to independently select only one cell when programming an information of the first state and the second state, thereby preventing a drain disturb at a nonselected cell. CONSTITUTION: A nonvolatile ferroelectric memory device includes a large number of ferroelectric transistor cells, a large number of word lines(W/L), a large number of source lines(S/L), a large number of bit lines(B/L), and a large number of well lines. The large number of ferroelectric transistor cells are arranged in a matrix in the direction of a row and a column. The large number of word lines are commonly connected to each gate electrode of the ferroelectric transistors in each row direction. The large number of source lines are commonly connected to one side junction of the ferroelectric transistor in each column direction. The large number of bit lines are commonly connected to other side of the ferroelectric transistors in each column direction. The large number of well lines are commonly connected to the well of the ferroelectric transistors in each column direction.
Abstract translation: 目的：提供用于驱动该器件的非易失性铁电存储器件和方法，用于在编程第一状态和第二状态的信息时独立地仅选择一个单元，从而防止非选定单元的漏极干扰。 构成：非易失性铁电存储器件包括大量的铁电晶体管单元，大量字线（W / L），大量源极线（S / L），大量位线（B / L ），还有大量井线。 大量的铁电晶体管单元沿行和列的方向排列成矩阵。 大量的字线通常连接到每个行方向上的铁电晶体管的每个栅电极。 大量的源极线通常连接到铁电晶体管的每个列方向的一侧结。 大量的位线在每个列方向上通常连接到铁电晶体管的另一侧。 大量的阱线在每个列方向上通常连接到铁电晶体管的阱。
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公开(公告)号：KR1020000034004A
公开(公告)日：2000-06-15
申请号：KR1019980051099
申请日：1998-11-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11C7/06
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: PURPOSE: A nonvolatile ferroelectric memory is provided to decrease the number of cycles which is authorized to a reference cell and extend operation life of a memory by constructing a memory array so that a reference cell word line, which is connected with a sense amplifier which is not selected, is not selected in read/write operation. CONSTITUTION: A memory cell and reference cells, which has one select transistor(MB) and one ferroelectric storage capacitor(Cs) respectively, are arrayed in a form of a matrix in a nonvolatile ferroelectric memory. The reference cell is operated only when both of a select signal of the corresponding reference cell and the reference cell word line(RWL) are authorized by having a logic gate in which an output end is connected to a gate of a select transistor of the reference cell(MB) and one input end is connected to a reference cell word line(RWL) and the other input end is connected to a selection signal of corresponding reference cell. According to this invention, because an information of the reference cell is read by turning on the selection transistor of the corresponding reference cell(MB) which is connected to the selected sense amplifier, the number of cycles of a voltage which is authorized to the reference cell decreases. So a total life of memory increases.
Abstract translation: 目的：提供非易失性铁电存储器，以减少授权给参考单元的周期数，并通过构造存储器阵列延长存储器的使用寿命，使得与读出放大器相连的参考单元字线 未选择，在读/写操作中未选择。 构成：分别具有一个选择晶体管（MB）和一个铁电存储电容器（Cs）的存储单元和参考单元在非易失性铁电存储器中以矩阵的形式排列。 参考单元仅在相应参考单元的选择信号和参考单元字线（RWL）都通过具有其输出端连接到参考的选择晶体管的栅极的逻辑门被授权时才被操作 单元（MB）和一个输入端连接到参考单元字线（RWL），另一个输入端连接到相应参考单元的选择信号。 根据本发明，由于通过接通与所选读出放大器连接的相应参考单元（MB）的选择晶体管来读取参考单元的信息，所以被授权给参考的电压的周期数 细胞减少。 所以记忆的总寿命增加。
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公开(公告)号：KR1020090049751A
公开(公告)日：2009-05-19
申请号：KR1020070116014
申请日：2007-11-14
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G11C16/10 , G06K19/0723 , G11C17/16 , G11C2216/26
Abstract: 본 발명은 유기물 반도체 기반의 RFID 태그에 적용할 수 있는 안티퓨즈 셀을 이용한 프로그래머블 비휘발성 메모리 및 그 동작 방법에 관한 것으로서, 메모리 셀로 동작하는 하나 이상의 안티퓨즈 셀로 이루어져, 일정 비트의 데이터를 저장하는 하나 이상의 메모리 블럭과, 하나 이상의 안티퓨즈 셀로 이루어져 상기 하나 이상의 메모리 블럭에 각각 대응하여, 상기 대응한 메모리 블럭의 사용 상태를 표시하는 하나 이상의 상태 지시자를 구비하고, 메모리 블럭에 데이터 쓰기, 삭제, 수정시에 상기 상태 지시자의 상태 값을 변경하여 표시함으로써, 안티퓨즈 셀 기반의 비휘발성 메모리에서 데이터 쓰기뿐만 아니라 데이터 수정 및 삭제가 가능해진다.
비휘발성 메모리, 안티퓨즈, 유기물 반도체 소자, RFID,-
公开(公告)号：KR100907822B1
公开(公告)日：2009-07-14
申请号：KR1020070116014
申请日：2007-11-14
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 프로그래머블 비휘발성 메모리의 상태 지시 방법 및 장치에 관한 것으로서, 메모리 셀로 동작하는 하나 이상의 안티퓨즈 셀로 이루어져, 일정 비트의 데이터를 저장하는 하나 이상의 메모리 블럭과, 하나 이상의 안티퓨즈 셀로 이루어져 상기 하나 이상의 메모리 블럭에 각각 대응하여, 상기 대응한 메모리 블럭의 사용 상태를 표시하는 하나 이상의 상태 지시자를 구비하고, 메모리 블럭에 데이터 쓰기, 삭제, 수정시에 상기 상태 지시자의 상태 값을 변경하여 표시함으로써, 안티퓨즈 셀 기반의 비휘발성 메모리에서 데이터 쓰기뿐만 아니라 데이터 수정 및 삭제가 가능해진다.
비휘발성 메모리, 안티퓨즈, 유기물 반도체 소자, RFID,Abstract translation: 本发明是一个可编程的非相关于指示易失性存储器的方法和装置的状态下，所述存储器单元进行操作的至少一个耐熔熔丝单元包括，至少具有用于在比特存储数据的一个或多个存储块，一个反熔丝单元，所述至少一个由 对应于存储块，由具有表示对应的存储块的使用状态，并且将数据写入至少一个状态指示符标记，修改所述状态指示器，抗的状态时删除存储器，改变的块 可以在基于熔丝单元的非易失性存储器中写入数据以及修改和删除数据。
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公开(公告)号：KR100316241B1
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：KR1019980051099
申请日：1998-11-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11C7/06
Abstract: 비휘발성 강유전체 메모리의 동작 수명을 향상시키기 위하여, 선택 되지 않는 센스 앰프(S/A)에 연결되어 있는 기준 셀은 읽기/쓰기 동작 시에 기준 셀의 워드 선을 선택하지 않도록 기준 셀을 배치함으로써, 기준 셀에 인가되는 사이클의 횟수를 감소시키는 강유전체 메모리 소자가 개시된다. 본 발명은, 1 개의 선택 트랜지스터 및 1 개의 강유전체 저장 캐피시터를 각각 구비한 메모리 셀 및 기준 셀들이 매트릭스 형상으로 배열된 비휘발성 강유전체 메모리에 있어서, 그 출력단은 상기 기준 셀의 선택 트랜지스터의 게이트에 연결되고, 그 입력단의 일단은 기준 셀의 워드 선에 연결되고, 입력단의 타단은 해당 기준 셀의 선택 신호에 연결되는 AND 논리 게이트를 구비함으로써, 상기 해당 기준 셀의 선택 신호와 기준 셀의 워드 선의 신호가 모두 인가되었을 경우에만, 기준 셀을 구동시킨다. 본 발명에 따르면, 선택된 센스 앰프에 연결된 해당 기준 셀의 선택 트랜지스터가 on되어 기준 셀의 정보가 읽어 지기 때문에 기준 셀에 인가되는 전압의 사이클 횟수가 감소된다. 그 결과, 메모리의 전체 수명이 증가하게 된다.
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