公开(公告)号：KR102064880B1

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：KR1020130029769

申请日：2013-03-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 민병규 ,  고상춘 ,  임종원 ,  안호균 ,  윤형섭 ,  문재경 ,  남은수

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/535

公开(公告)号：KR101851620B1

公开(公告)日：2018-04-26

申请号：KR1020160040357

申请日：2016-04-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김민기 ,  장현규 ,  정동윤 ,  고상춘 ,  이현수 ,  전치훈

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/778 ,  H01L27/06 ,  H01L29/772

Abstract: 본발명은 Sense-FET를사용한안정화회로구조를제안한다. 본발명에따른전력반도체모듈은 D-Mode FET와상기 D-Mode FET와동일한구조를가지며면적을달리하는 Sense-FET를포함한다. 전력반도체모듈은 Sense-FET의구동을위해필요한 E-Mode FET 뿐만아니라, 저항, 커패시터, 인덕터, 또는다이오드등과같은회로소자를포함하는안정화회로를포함한다.

公开(公告)号：KR1020170084405A

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：KR1020160003289

申请日：2016-01-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 장우진 ,  고상춘 ,  문재경 ,  박영락

IPC: H03K17/082 ,  H03K17/687 ,  H03K17/10

CPC classification number: H03K17/08104 ,  H03K17/0822 ,  H03K17/74

Abstract: 본발명의실시예에따른캐스코드스위치회로는제 1 트랜지스터, 제 2 트랜지스터및 보호회로를포함할수 있다. 제 1 트랜지스터는제 1 제어신호에따라제 1 단자로부터의신호를일 단으로입력받아타 단으로전달할수 있다. 제 2 트랜지스터는제 2 제어신호에응답하여제 1 트랜지스터가전달하는신호를제 2 단자로전달할수 있다. 보호회로는제 1 트랜지스터의게이트와제 2 단자사이에연결될수 있다. 제 1 제어신호는제 2 트랜지스터가통상온 상태로동작하도록제공될수 있다. 제 2 제어신호는제 2 트랜지스터가통상오프상태로동작하도록제공될수 있다.

Abstract translation: 根据本发明实施例的共源共栅开关电路可以包括第一晶体管，第二晶体管和保护电路。 第一晶体管可以根据第一控制信号在一级中接收来自第一端子的信号并将该信号发送到另一端子。 响应于第二控制信号，第二晶体管可以传输第一晶体管传输到第二端子的信号。 保护电路可以连接在第一晶体管的栅极和第二端子之间。 可以提供第一控制信号以使第二晶体管正常工作。 并且可以提供第二控制信号，使得第二晶体管正常地在断开状态下操作。

公开(公告)号：KR1020170057114A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：KR1020160067678

申请日：2016-05-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전치훈 ,  고상춘 ,  김민기 ,  나제호 ,  박영락 ,  박준보 ,  이현수 ,  이형석 ,  장현규 ,  정동윤

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/778 ,  H01L41/08

Abstract: 본발명의실시예에따른하이브리드다이오드소자를제공한다. 하이브리드다이오드소자는기판상에배치되고, 제 1 전자가스층(2-Dimesional Electron Gas: 2DEG)을포함하는제 1 하부질화막, 상기제 1 하부질화막에서상기기판의외각으로연장되고, 제 2 전자가스층을포함하는제 2 하부질화막, 상기제 1 하부질화막상에배치되는제 1 상부질화막, 상기제 2 하부질화막상에배치되는제 2 상부질화막, 상기제 1 상부질화막상에배치되는제 1 캡(cap)층, 상기제 2 상부질화막상에배치되는제 2 캡층, 상기제 1 하부질화막및 상기제 1 캡층과연결되는제 1 전극구조체, 상기제 2 하부질화막과연결되고, 상기제 1 전극구조체와연결되는제 2 전극구조체를포함하고, 상기제 2 하부질화막은동적인움직임에의해전기를생성한다.

Abstract translation: 提供了根据本发明实施例的混合二极管器件。 混合二极管器件布置在所述基板，第一电子气体层上：在第一下部氮化物膜延伸，含有（2-时二维电子气2DEG）在基板外壳第一下部氮化物膜中，两个电子气 设置在第一下氮化膜上的第一上氮化膜，设置在第二下氮化膜上的第二上氮化膜，设置在第一上氮化膜上的第一帽， 层，所述第二被连接到所述第二帽，第一下氮化物膜，并与第一盖层连接在所述第一电极结构，设置在所述第二上氮化物层上，并连接到第一电极结构中的第二下部氮化物膜， 并且第二电极结构，并且第二下氮化物膜通过动态运动而发电。

公开(公告)号：KR101596286B1

公开(公告)日：2016-02-23

申请号：KR1020090072313

申请日：2009-08-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박영삼 ,  장문규 ,  윤선진 ,  정태형 ,  고상춘 ,  조성목 ,  제창한 ,  최성진 ,  임정욱

IPC: H01L35/02

Abstract: 본발명에따른열전소자는레그하부또는상부에낮은열전도도를갖는열 절연막을형성하여상기열 절연막에의해상기레그에서열이천천히전달되도록한 것을특징으로한다. 따라서, 상기레그에서열 흡수막으로부터전달된열이천천히열 방출막으로전달되므로, 상기열 흡수막과상기열 방출막사이의온도차이가커져열전효율이향상되는효과를얻을수 있다.

公开(公告)号：KR1020150083310A

公开(公告)日：2015-07-17

申请号：KR1020140002913

申请日：2014-01-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전치훈 ,  고상춘 ,  문석환 ,  장우진 ,  배성범 ,  박영락 ,  나제호 ,  문재경 ,  남은수

IPC: H01L23/473 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/32051 ,  H01L23/367 ,  H01L23/467 ,  H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본발명은반도체소자및 그제조방법을제공한다. 이반도체소자는기판상에제공된활성영역, 상기기판의일측에매립된단일공동으로구성된유입채널, 상기기판의타측에매립된단일공동으로구성된유출채널, 상기기판에매립된다수의공동들로구성되며일단은상기유입채널의측면에연결되고타단은상기유출채널의측면에연결되는복수개의마이크로채널들을포함하는마이크로채널어레이, 및상기마이크로채널들을이격시켜구분하는마이크로히트싱크어레이를포함할수 있다.

Abstract translation: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：设置在基板上的激活区域; 流入通道在基体的一侧上积累有单个公共腔; 在具有单个公共空腔的衬底的另一侧上积累的流出通道; 通常在基板上堆积的微通道阵列，其一端连接到流入通道的一侧，另一侧连接到流出通道的一侧; 和微型散热器阵列，以分隔待分离的微通道。

公开(公告)号：KR1020130010823A

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：KR1020120018591

申请日：2012-02-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 배성범 ,  남은수 ,  문재경 ,  김성복 ,  김해천 ,  주철원 ,  고상춘 ,  임종원 ,  안호균 ,  장우진 ,  박영락

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338

Abstract: PURPOSE: A nitride electronic device and a manufacturing method thereof are provided to implement an integrated circuit with various properties on a single substrate by using design technology and unit process with a structure of a different channel layer and a barrier layer. CONSTITUTION: A low temperature buffer layer(102) is formed on a sapphire substrate(101). A first semi-insulating GaN layer(103) is formed on the low temperature buffer layer. A first channel layer(104) for an electron transfer is formed on the first semi-insulating GaN layer. A first barrier layer(105) is formed on the first channel layer. A second semi-insulating GaN layer(107) is formed on the sidewall of the first barrier layer and the first channel layer. A second channel layer(108) and a second barrier layer(109) are formed on the second semi-insulating GaN layer.

Abstract translation: 目的：提供一种氮化物电子器件及其制造方法，通过使用具有不同沟道层和阻挡层的结构的设计技术和单元工艺，在单个衬底上实现具有各种性能的集成电路。 构成：在蓝宝石衬底（101）上形成低温缓冲层（102）。 在低温缓冲层上形成第一半绝缘GaN层（103）。 用于电子转移的第一沟道层（104）形成在第一半绝缘GaN层上。 第一阻挡层（105）形成在第一沟道层上。 在第一阻挡层和第一沟道层的侧壁上形成第二半绝缘GaN层（107）。 在第二半绝缘GaN层上形成第二沟道层（108）和第二势垒层（109）。

公开(公告)号：KR100918380B1

公开(公告)日：2009-09-22

申请号：KR1020070128841

申请日：2007-12-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 고상춘 ,  전치훈 ,  송현우 ,  정문연 ,  박선희

IPC: H02N2/00 ,  B81C1/00 ,  H03H9/205

Abstract: 본 발명은 전기 발생 소자 어레이와 시스템 및 제조방법에 관한 것으로, 기판과; 그리고 상기 기판 상에 어레이되고, 일단은 자유로이 움직일 수 있고 타단은 상기 기판에 고정되며, 상기 일단에는 관성 매스가 달려 있으며, 압전 효과에 의해 전기를 발생시키는, 공진주파수가 서로 다른 다수개의 전기 발생 단위 소자들을 포함할 수 있다. 본 발명에 의하면, 캔틸레버의 길이 변화를 통해 공진주파수를 여러개의 어레이 소자에 의해 구분하게 하여, 진동에 의한 출력 전압을 단위 소자인 경우에 비해 보다 넓은 주파수 대역폭에 의해 반응하고 또한 높은 출력값을 얻을 수 있는 효과가 있다.
미세기전집적시스템(MEMS), 유비쿼터스 센서 네트워크(USN)

公开(公告)号：KR1020090061864A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：KR1020070128845

申请日：2007-12-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 고상춘 ,  정문연 ,  박선희

IPC: G01N1/22 ,  G01N27/407

Abstract: A gas detection apparatus and method are provided to detect marker gas of lung cancer and to thereby discover lung cancer at its early stage. A gas detection method comprises a step of collecting respiratory gas of a subject(S102), a step of removing the foreign material from the collected respiratory gas(S120), a step of removing the moisture from the respiratory gas from which the foreign material is removed(S130), and a step of detecting the specific components included in the moisture-removed gas(S160). The moisture removal step includes condensing the respiratory gas and removing the remaining moisture from the condensed respiratory gas.

Abstract translation: 提供了一种气体检测装置和方法，用于检测肺癌的标志物气体，从而在早期发现肺癌。 气体检测方法包括收集受试者的呼吸气体的步骤（S102），从收集的呼吸气体中除去异物的步骤（S120），从异物的呼吸气体中除去水分的步骤 （S130），以及检测除湿气体中包含的特定成分的步骤（S160）。 除湿步骤包括冷凝呼吸气体并从冷凝的呼吸气体中除去剩余的水分。

公开(公告)号：KR1020090061862A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：KR1020070128841

申请日：2007-12-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 고상춘 ,  전치훈 ,  송현우 ,  정문연 ,  박선희

IPC: H02N2/00 ,  B81C1/00 ,  H03H9/205

CPC classification number: H02N2/18 ,  B81C1/00015 ,  H01L41/053 ,  H01L41/1136 ,  H01L41/29 ,  H01L41/314 ,  H02J7/00

Abstract: A power generating device array and system, and method for manufacturing the same are provided to generate electricity of broadband frequency and transfer it to a ubiquitous sensor network. The electricity generating element array(100) comprises a substrate(90) and electricity generating elements(100a, 100b, 100c, 100d, 100e, 100f, 100g, 100h). The electricity generating element is arranged in the top of the substrate as the array shape. The electricity generating elements are the electricity of the different frequencies generated by piezoelectricity. One end of electricity generating elements moves freely and the other end is fixed to the substrate. One end of electricity generating elements has the inertial mass. The electricity generating system comprises electricity generating element array and an electric apparatus. The electric apparatus uses the electricity of the electricity generating element array.

Abstract translation: 提供一种发电装置阵列和系统及其制造方法，用于产生宽带频率的电力并将其传送到普遍存在的传感器网络。 发电元件阵列（100）包括基板（90）和发电元件（100a，100b，100c，100d，100e，100f，100g，100h）。 发电元件布置在基板的顶部作为阵列形状。 发电元件是由压电产生的不同频率的电力。 发电元件的一端自由移动，另一端固定在基板上。 发电元件的一端具有惯性质量。 发电系统包括发电元件阵列和电气设备。 电气设备使用发电元件阵列的电力。