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公开(公告)号：KR1020170009587A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：KR1020150101880
申请日：2015-07-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01J37/243 , H01J37/147 , H01Q1/366 , H01Q19/12 , H01Q19/18
Abstract: 본발명은반도체플라즈마안테나장치에관한것이다. 본발명에따른반도체플라즈마안테나장치는복수개의 PIN 다이오드셀이배치되고, 상기복수개의 PIN 다이오드셀 중미리지정된 PIN 다이오드셀을이용하여셀 패턴이형성되는셀 어레이부및 상기미리지정된 PIN 다이오드셀의구동을제어하는구동회로부를포함한다.
Abstract translation: 提供了一种半导体等离子体天线装置。 该装置包括：单元阵列单元，其中布置有多个PIN二极管单元，并且其中通过在多个PIN二极管单元中使用预定义的PIN二极管单元形成单元图案; 以及驱动器电路单元，被配置为控制所述预定义PIN二极管单元的驱动，其中所述驱动器电路单元包括：配备有DC-DC转换器的直流转换单元，所述DC-DC转换器被配置为通过施加所述DC二极管单元驱动所述单元图案的二极管负载 对与形成在单元阵列单元中的单元图案对应的PIN二极管单元的输出电压; 以及恒流控制器，其被配置为通过控制所述电池图案的二极管负载的恒定电流来控制所述PIN二极管单元的等离子体浓度。
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公开(公告)号：KR1020150088459A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：KR1020140008783
申请日：2014-01-24
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01Q1/366
Abstract: 플라즈마안테나가개시된다. 플라즈마안테나는, 제공된에너지를기초로플라즈마를생성하고생성된플라즈마를사용하여신호를방사하는복수의방사디스크가적층되어형성되는방사부, 복수의방사디스크중에서적어도하나의방사디스크에에너지를제공하는에너지발생부, 및에너지가제공된방사디스크에신호를제공하는신호전송부를포함한다. 따라서, 다중주파수대역을지원할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种等离子体天线。 等离子体天线包括：放射单元，其中堆叠基于所提供的能量产生等离子体的多个辐射盘和通过使用所产生的等离子体辐射信号; 能量产生单元，其向所述辐射盘中的至少一个辐射盘提供能量; 以及向提供能量的辐射盘提供信号的信号发送单元。 因此，本发明可以支持多频带。
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公开(公告)号：KR1020150088447A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：KR1020140008764
申请日：2014-01-24
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 빔의방위각및 편각조절이가능하며고체플라즈마안테나에도적용할수 있는고체플라즈마안테나가개시된다. 곡면의형상을가지고, 전기경로가형성된전극연결층과, 곡면의내면에배치되는고체플라즈마셀 배열과, 전극연결층을통해고체플라즈마셀 배열과전기적으로연결되고, 입력된신호에기초하여고체플라즈마셀 배열중 적어도하나의고체플라즈마셀을활성화시키는플라즈마활성화제어부및 곡면의내면으로부터미리설정된거리만큼이격되어설치되고, 고체플라즈마셀 배열에고주파신호를방사하는고주파급전부를포함하되, 활성화된적어도하나의고체플라즈마셀은, 고주파신호를반사시킨다. 따라서, 닫히지않은곡면형상을이용하여전파의경로에방해요소가없어방사각이제한되지않으며, 빔의방위각조절뿐아니라편각도조절할수 있고, 빔의방향조절이가능하면서도고체플라즈마안테나에도적용할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种固体等离子体天线，其中可以调节光束的方位角和偏离角度，并且可以将其应用于固体等离子体天线。 本发明的固体等离子体天线包括：形成具有形成电路的曲面形状的电极连接层; 放置在弯曲平面中的固体等离子体单元布置; 等离子体激活控制单元，其通过电极连接层电连接到固体等离子体单元布置，以基于输入的信号激活固体等离子体单元布置中的至少一个固体等离子体单元; 以及高频馈送单元，其安装成与曲面的内侧隔开预定距离，以将高频信号辐射到固体等离子体单元布置。 然后，激活的至少一个固体等离子体单元反射高频信号。 因此，由于使用未闭合的弯曲平面形状，因此在无线电波路径中没有障碍物的情况下，辐射角度没有限制。 不仅可以调整光束的方位角，还可以调整偏光角度。 可以调节光束的方向，并且可以将其应用于固体等离子体天线。
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公开(公告)号：KR1020160082459A
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020150145563
申请日：2015-10-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 안테나구조체는기판및 기판상부에제공되고, 제1 파장을가지는전파를각각송수신, 반사, 및도파하는복사부, 반사부, 및도파부를포함하며, 복사부는기판의상면에평행한제1 방향으로제1 길이를가지는제1 영역및 제1 방향으로제1 길이를가지고, 제1 영역과제1 방향으로이격되는제2 영역을포함하며, 제1 영역및 제2 영역은각각기판상부에도핑되어형성된 PIN 다이오드들이다.
Abstract translation: 天线结构包括：基板; 以及辐射单元，反射单元和设置在基板上并被配置为分别收发，反射和引导具有第一波长的无线电波的波导单元。 所述辐射单元包括：第一区域，其具有与所述基板的上表面平行的第一方向的第一长度; 以及在第一方向上具有第一长度并且在第一方向上与第一区域分离的第二区域。 第一区域和第二区域是通过分别掺杂在衬底的上部中而形成的PIN二极管。
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公开(公告)号：KR1020170099286A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：KR1020160021467
申请日：2016-02-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/868 , H01L27/08 , H01L29/66 , H01L21/762 , H01L21/31
CPC classification number: H01L29/868 , H01L23/5286 , H01L23/66 , H01L27/0814 , H01L29/0649 , H01L29/402 , H01L2223/6627 , H01L2223/6677
Abstract: 고체플라즈마안테나용수직핀 다이오드가개시된다. 수직핀 다이오드는 P-유형영역, 진성영역및 N-유형영역이순서대로수직방향으로배치되어서내부에형성되어있는반도체기판, P-유형영역에전기적으로접촉되도록반도체기판의일면상에형성되어있는제1 전극및 N-유형영역에전기적으로접촉되도록반도체기판의타면상에형성되어있는제2 전극을포함한다. 그리고 P-유형영역과 N-유형영역은각각반도체기판의상하표면부에서로대향하도록배치되어있다.
Abstract translation: 公开了一种用于固态等离子体天线的垂直PIN二极管。 垂直PIN二极管形成在半导体衬底的一个表面上以便与P型区域，本征区域和N型区域电接触， 以及第二电极，形成在半导体衬底的另一个表面上以与第一电极和N型区域电接触。 P型区域和N型区域被布置为在半导体基板的上表面部分和下表面部分处彼此相对。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150095150A
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：KR1020140016296
申请日：2014-02-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/868 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/868 , H01L23/3157 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L29/417 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05553 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/0557 , H01L2224/06155 , H01L2224/16238
Abstract: 수직 핀 다이오드가 개시된다. 수직 핀 다이오드는, 진성 계층, 진성 계층의 제1 면에 위치한 N-유형 계층, 제1 면과 대향하는 진성 계층의 제2 면에 위치한 P-유형 계층, P-유형 계층으로부터 제1 면까지 연장되어 형성된 연결 영역, N-유형 계층에 위치한 제1 전극 및 제1 면에 형성된 연결 영역에 위치한 제2 전극을 포함한다. 따라서, 플라즈마를 용이하게 발생시킬 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种垂直pin二极管。 垂直pin二极管包括本征接口，位于本征接口第一侧的N型接口，位于本体接口的面向第一侧的第二侧上的P型接口，连接区域延伸到 来自P型接口的第一侧，位于N型接口上的第一电极和位于形成在第一侧上的连接区域中的第二电极。 因此，可以容易地产生等离子体。
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公开(公告)号：KR1020170029287A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：KR1020150126439
申请日：2015-09-07
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체소자는반도체기판내에매립된매립산화막; 상기매립산화막상부에양자우물을포함하여형성된진성영역; 상기진성영역에일정거리이격되어형성되는 P형불순물영역및 N형불순물영역을포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150114594A
公开(公告)日：2015-10-13
申请号：KR1020140038434
申请日：2014-04-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03M13/00
CPC classification number: H03M13/615 , H04L1/0045 , H04L25/0284
Abstract: 본발명의실시예에따른제거된하위비트복원방법은, 제거된하위비트로표현가능한 10진수값들의평균값을구하는단계, 상기평균값의소수점이하값을올림또는내림하여복원평균값을구하는단계, 상기복원평균값을 2진수값으로변환하여복원비트를생성하는단계, 그리고상기복원비트를상기제거된하위비트의복원값으로선택하는단계를포함하되, 상기복원값으로선택하는단계에서, 상기압축데이터가양수인경우복원될하위비트값으로상기복원비트가선택되고, 상기압축데이터가음수인경우복원될하위비트값으로상기복원비트의비트인버스(bit inverse) 값이선택된다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的用于恢复去除的较低位的方法包括以下步骤：计算可以用去除的较低位表示的十进制值的平均值; 通过舍入平均值的小数点来计算恢复的平均值; 通过将恢复的平均值转换为二进制值来生成所生成的比特; 并将恢复的比特选择为已移除的较低比特的恢复值。 在将恢复的比特选择为恢复值的步骤中，如果压缩数据是正数，则恢复的比特被选择为要恢复的较低比特值，并且恢复比特的比特反向值被选择为较低比特值 如果压缩数据是负数，则恢复。
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公开(公告)号：KR1020150088453A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：KR1020140008775
申请日：2014-01-24
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 전파의간섭을감소시키고다중대역을제공할수 있는다중대역플라즈마루프안테나가개시된다. 먼저, 복수의플라즈마루프패턴을포함하는안테나소자와, 입력신호에기초하여복수의플라즈마루프패턴중 특정플라즈마루프패턴을활성화시키는플라즈마활성화제어부및 안테나소자에고주파신호를인가하는고주파급전부를포함한다. 따라서, 선택적다중주파수대역안테나를용이하게구현할수 있고, 루프간의간섭을최소화할수 있다. 또한, 적층형구조를취함으로써안테나방사효율을증가시킬수 있다.
Abstract translation: 公开了一种能够减少无线电波干扰并提供多频带的多频带等离子体环形天线。 本发明的多频带等离子体环形天线包括：天线装置，包括多个等离子体环路图形; 等离子体激活控制单元，用于基于输入信号激活等离子体环路图案中的特定等离子体环路图案; 以及用于向天线装置施加高频信号的高频馈送单元。 因此，本发明的多频带等离子体环形天线可以容易地实现选择性多频带天线，并使环路之间的干扰最小化。 并且，本发明的多频带等离子体环形天线可以采用多层结构并提高天线辐射效率。
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