公开(公告)号：KR100245394B1

公开(公告)日：2000-02-15

申请号：KR1019970073701

申请日：1997-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김정수 ,  장영주 ,  주흥로 ,  김홍만

IPC: C30B28/00

Abstract: 본 발명은 선택적 결정 성장법을 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로 특히, 선택적 결정 성장법으로 형성되는 반도체 층의 표면 형상 저하를 방지하는 방법에 관한 것이다.
우수한 특성의 반도체 소자를 제조하기 위해서는 양질의 반도체 층이 성장되어야 한다. 그러나 종래의 선택적 결정 성장법에서는 유전체 박막과 인접한 지역에서 위로 솟아 오른 형태의 돌출부가 형성되게 되고, 이러한 돌출부로인하여 표면 형상의 거칠음이 반도체 소자가 제조될 지역으로 전파되어, 반도체 소자가 제조될 지역의 반도체 층 특성을 저하시키게 된다.
본 발명에서는 유전체와 인접한 부분에서 발생되는 반도체 층의 돌출부로부터 반도체 소자가 제조될 지역으로 전파되는 반도체 층 표면의 거칠음을 차단함으로써 반도체 소자가 제조될 지역의 표면 형상을 깨끗하게 유지하여 양질의 반도체 층을 얻을 수 있는 방법을 제시한다.

公开(公告)号：KR100248375B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019970063249

申请日：1997-11-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김홍만 ,  김정수 ,  이승원 ,  김명규 ,  장영주

IPC: H01S5/30

Abstract: 반도체 레이저와 광 변조기를 집적한 구조에 있어서, 반도체 레이저에서 발생한 광이 광 변조기를 통과한 후 광 변조기의 출력 단면에서 반사하여 광변조기를 거친 다음 반도체 레이저로 재 입사함으로 인하여 반도체 레이저에서 출력되는 광의 특성을 교란하는 현상을 방지하는 반도체 레이저와 광 변조기의 집적 구조가 개시된다. 본 발명은 반도체 레이저와 광 변조기 사이에, 2x2 광커플러를 설치하고, 반도체 레이저의 출력부를 2x2 광커플러의 입력부 중 한 개와 연결하고, 광변조기를 2x2 광커플러의 출력부 두곳에 설치하여 각각이 2x2 광커플러와 연결되게 함으로써, 광변조기 단면에서 발생한 광이 반도체 레이저에 재입사되는 현상을 방지하여 반도체 레이저의 특성 교란 현상을 방지한다. 이와 같이, 광 변조기에서 발생하는 광의 반사에 의한 반도체 레이저와 광 변조기의 집적 구조의 특성 악화를 방지 할 수 있어, 광변조기 단면에 설치하여야 하는 매우 정밀한 공정을 필요로 하는 무반사막 형성 공정을 생략 혹은 그 조건을 크게 완화시킬 수 있다. 그 결과, 제작 원가 절감, 대량 생산성 향상 및 특성 개선등의 효과를 거둘 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990053970A

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019970073701

申请日：1997-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김정수 ,  장영주 ,  주흥로 ,  김홍만

IPC: C30B28/00

Abstract: 본 발명은 선택적 결정 성장법을 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로 특히, 선택적 결정 성장법으로 형성되는 반도체 층의 표면 형상 저하를 방지하는 방법에 관한 것이다.
우수한 특성의 반도체 소자를 제조하기 위해서는 양질의 반도체 층이 성장되어야 한다. 그러나 종래의 선택적 결정 성장법에서는 유전체 박막과 인접한 지역에서 위로 솟아 오른 형태의 돌출부가 형성되게 되고, 이러한 돌출부로인하여 표면 형상의 거칠음이 반도체 소자가 제조될 지역으로 전파되어, 반도체 소자가 제조될 지역의 반도체 층 특성을 저하시키게 된다.
본 발명에서는 유전체와 인접한 부분에서 발생되는 반도체 층의 돌출부로부터 반도체 소자가 제조될 지역으로 전파되는 반도체 층 표면의 거칠음을 차단함으로써 반도체 소자가 제조될 지역의 표면 형상을 깨끗하게 유지하여 양질의 반도체 층을 얻을 수 있는 방법을 제시한다.

公开(公告)号：KR1019990042429A

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019970063249

申请日：1997-11-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김홍만 ,  김정수 ,  이승원 ,  김명규 ,  장영주

IPC: H01S5/30

Abstract: 반도체 레이저와 광 변조기를 집적한 구조에 있어서, 반도체 레이저에서 발생한 광이 광 변조기를 통과한 후 광 변조기의 출력 단면에서 반사하여 광변조기를 거친 다음 반도체 레이저로 재 입사함으로 인하여 반도체 레이저에서 출력되는 광의 특성을 교란하는 현상을 방지하는 반도체 레이저와 광 변조기의 집적 구조가 개시된다. 본 발명은 반도체 레이저와 광 변조기 사이에, 2x2 광커플러를 설치하고, 반도체 레이저의 출력부를 2x2 광커플러의 입력부 중 한 개와 연결하고, 광변조기를 2x2 광커플러의 출력부 두곳에 설치하여 각각이 2x2 광커플러와 연결되게 함으로써, 광변조기 단면에서 발생한 광이 반도체 레이저에 재입사되는 현상을 방지하여 반도체 레이저의 특성 교란 현상을 방지한다. 이와 같이, 광 변조기에서 발생하는 광의 반사에 의한 반도체 레이저와 광 변조기의 집적 구조의 특성 악화를 방지 할 수 있어, 광변조기 단면에 설치하여야 하는 매우 정밀한 공정을 필요로 하는 무반사막 형성 공정을 생략 혹은 그 조건을 크게 완화시킬 수 있다. 그 결과, 제작 원가 절감, 대량 생산성 향상 및 특성 개선등의 효과를 거둘 수 있다.