公开(公告)号：KR100199024B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019950054535

申请日：1995-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경연 ,  이성재 ,  신민철

IPC: H01L29/772

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L29/127 ,  H01L29/66939 ,  H01L29/772 ,  H01L29/7786

Abstract: 본 발명은 평면 공명관통 트랜지스터에 관한 것으로, 여러개의 가느다란 분리 게이트에 음 전압을 걸었을 때 형성되는 포텐샬 장벽에 의하여 두 부분의 비대칭 0차원 영역을, 즉 두개의 비대칭 양자점을 형성하고 순방향 양단자 전압을 걸었을 때, 두번의 공명관통 현상을 순차적으로 일으키게 하는 것으로, 이 두번의 순차적 공명관통 현상과 세번째 포텐샬 장벽의 높이를 낮게 하므로써, 공명관통 전류를 극대화할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970054323A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950054535

申请日：1995-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경연 ,  이성재 ,  신민철

IPC: H01L29/772

Abstract: 본 발명은 평면 공명관통 트랜지스터에 관한 것으로, 여러개의 가느다란 분리 게이트에 음 전압을 걸었을 때 형성되는 포텐샬 장벽에 의하여 두 부분의 비대칭 0차원 영역을, 즉 두개의 비대칭 양자점을 형성하고 순방향 양단자 전압을 걸었을 때, 두번의 공명관통 형상을 순차적으로 일으키게 하는 것으로, 이 두번의 순차적 공명관통 현상과 세번째 포텐샬 장벽의 높이를 낮게 하므로써, 공명관통 전류를 극대화할 수 있다.