Abstract:
COSA for FIFO comprising first and second subarray (Subarray 1, Subarray 2) including a plurality of unit memory cells consisting of writing access transistor (TR1), saving capacitor (C) and reading access transistor (TR5), a plurality of writing beat lines (In0 - In7) and a plurality of writing word lines (WWL-0 - WWL-X) connected to each of said unit memory cells and writing column address selecting line, characterized in that the FIFO memory comprises a plurality of data latches saving data input from said writing beat line by SAN signal which is activated at the same time with the writing column address selecting signal and connected to the beat lines (In0 - In7) and a data drive which drives the data latches by said SAN signal to enable concurrent I/O at the same address.
Abstract:
본 발명은 FIFO(First-In First- Out)메모리 구조에 관한 것으로 정보손실 없이 동시에 동일 번지에서 읽기/쓰기 동작을 수행하는 COSA(Concurrent I/O Operation at the Same Address)메모리에 관한 것이다. 본발명은 제1및 제2서브러에이(제3도 참조)를 포함하는 FIFO메모리에 있어서, 각각의 비트라인(In0-On7)에 점속되고 쓰기열전번지선택 신호와 동시에 활성화 되는 SAN 신호에 의해 상기 각각의 쓰기비트라인으로 부터 입력되는 데이타를 저장하는 복수의 데이타 래치부(10)들과, 상기 SAN 신호에 의해 상기 데이타 래치부(10)들을 구동시키는 데이타 구동부(20)를 포함하여 제2서브어레이의 1열번지가 쓰기동작을 시작함과 동시에 제1서브어레이의 쓰기워드라인(WWL)이 활성화 되어 동일번지에서 비동기적인 동시 입ㆍ출력 동작이 수행될 수 있다.