公开(公告)号：KR1020020055456A

公开(公告)日：2002-07-09

申请号：KR1020000083422

申请日：2000-12-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신제헌 ,  유병수 ,  권오균 ,  주영구

IPC: H01S5/20

Abstract: PURPOSE: A vertical cavity surface emitting laser and a method of manufacturing the same are provided to minimize a generation of heat and to maximize a discharge of heat, which has a long wavelength and a thick inner resonance contact layer capable of realizing a current injection structure. CONSTITUTION: A lower mirror layer(5) is grown on a semiconductor substrate(6). An ion injection layer(8) is formed on a top of the lower mirror layer(5). An activated layer(3) is coated over the ion injection layer(8) of the mirror layer(5). An inner resonance contact layer(10) is covered on the activated layer(3). An undoped upper mirror layer(9) is formed on the inner resonance contact layer(10). The inner resonance contact layer(10) has a thermal conductivity of at least five times than that of the upper mirror layer(9) and a thickness of 0.7 times than that of the activated layer(3). An electrode(1) is coated on the upper mirror layer(9).

Abstract translation: 目的：提供垂直腔表面发射激光器及其制造方法，以最小化热量的产生并且使具有长波长和厚的内部共振接触层能够实现电流注入结构的热放电最大化 。 构成：在半导体衬底（6）上生长下镜层（5）。 离子注入层（8）形成在下镜层（5）的顶部。 活性层（3）涂覆在镜层（5）的离子注入层（8）上。 内部共振接触层（10）被覆盖在活化层（3）上。 在内谐振接触层（10）上形成未掺杂的上镜层（9）。 内部共振接触层（10）的热导率为上镜面（9）的至少5倍，厚度为激活层（3）的厚度的0.7倍。 电极（1）涂覆在上镜层（9）上。

公开(公告)号：KR100358111B1

公开(公告)日：2002-10-25

申请号：KR1020000083422

申请日：2000-12-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신제헌 ,  유병수 ,  권오균 ,  주영구

IPC: H01S5/20

Abstract: 본 발명은 통신용 다채널 광원으로서 성능을 갖춘 장파장 대역의 표면방출형 레이저 및 그것의 제조방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 활성층 상에 두꺼운 내부공진접촉층을 가지는 메사구조 및 이온주입층을 형성하므로써 효과적인 전류주입 및 열분산을 달성할 수 있는 두꺼운 내부공진접촉층을 갖는 장파장 표면방출 레이저 및 그것의 제조방법에 관한 것이다. 상기 메사 구조 및 상기 이온주입층에 의하여 전류가 상기 내부공진접촉층 상의 전극으로부터 상기 내부공진접촉층을 통과하여 상기 메사 구조의 하부에 있는 활성층으로 도달하는 전류유도구경이 형성된다. 이와 함께, 상기 활성층에서 발행한 열은 상기 전류유도구경에 의하여 흐르는 전류와 반대방향으로 상기 내부공진접촉층을 통과하여 그것 상에 형성된 전극을 통하여 배출된다.