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公开(公告)号：KR100279739B1
公开(公告)日：2001-04-02
申请号：KR1019980049310
申请日：1998-11-17
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 나노미터 크기의 실리콘 양자점 형성방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판 위에 반응성이 뛰어난 저에너지의 질소 이온을 이용하여 실리콘 나이트라이드 박막을 형성하여 실리콘 표면을 불활성화하는 공정과, 상기 실리콘 나이트라이드 박막 위에 실리콘을 기상 증착하여 수 나노미터 두께의 실리콘 박막을 균일한 높이로 형성하는 공정과, 상기 실리콘 나이트 라이드 박막과 실리콘 박막이 차례로 형성된 기판을 800℃ 정도로 유지하고, 질소 기체를 주입하여 크기가 수-수십 나노미터 정도이고 두께가 단일층 정도인 실리콘 나이트라이드 섬들을 균일하게 형성하는 공정과, 상기 공정에 의해 형성된 구조체의 온도를 700℃정도로 유지하고 산소기체를 주입하여 실리콘 나이트라이드로 덮이지 않은 실리콘 층만 산소에 의해 식각하여 실리콘 양� �점을 형성하는 공정과, 반응성 이온을 이용하여 상기 실리콘 양자점을 덮고 있는 단일층의 실리콘 나이트 라이드 막을 제거하는 공정으로 구성되어, 비용 및 시간을 크게 절감시킬 수 있으며, 초고순도의 구조 형성을 기대할 수 있고, 상호 전기적으로 분리된 나노미터 크기의 실리콘 양자점을 제작할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020000032755A
公开(公告)日：2000-06-15
申请号：KR1019980049310
申请日：1998-11-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3083 , H01L21/3086 , Y10S438/947 , Y10S438/962
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating silicon quantum dots of a nanometer size is provided to form silicon quantum dots of the same height at low cost and in a short time. CONSTITUTION: A method for fabricating silicon quantum dots of a nanometer size comprises forming a silicon nitride layer(12) on a silicon substrate(11) by using nitrogen ions to make the surface of the silicon inert, forming a silicon layer(13) of uniform thickness by vapor-phase deposition, forming silicon nitride islands(14) of a nanometer size and uniform thickness at 800°C and nitrogen atmosphere, forming silicon quantum dots(13) by etching the silicon layer(13) which is not covered with the silicon nitride layer(12) at 700°C and oxygen atmosphere, and removing the silicon nitride layer(12) with reactive ions.
Abstract translation: 目的：提供一种制造纳米尺寸硅量子点的方法，以低成本和短时间形成相同高度的硅量子点。 构成：用于制造纳米尺寸的硅量子点的方法包括通过使用氮离子在硅衬底（11）上形成氮化硅层（12）以使硅的表面成为惰性的，形成硅层（13）为 通过气相沉积均匀的厚度，在800℃和氮气氛下形成纳米尺寸和均匀厚度的氮化硅岛（14），通过蚀刻未被覆盖的硅层（13）形成硅量子点（13） 氮化硅层（12）在700℃和氧气氛下，用反应离子去除氮化硅层（12）。
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公开(公告)号：KR100228382B1
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：KR1019960062620
申请日：1996-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/68
CPC classification number: B25J18/025 , B25J1/08 , Y10S414/135 , Y10T74/18848 , Y10T74/20468 , Y10T403/32467
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
초 고진공용 선형이동장치
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
본 발명은 이동 축을 안테나 또는 낚시대 형태의 접히는 축을 사용하여 선형이동장치의 불필요한 후방 공간을 제거하여 공간을 효율적으로 활용할 뿐 아니라, 후방측으로 돌출하는 것을 제거하여 안전성을 확보한 초고진공용 선형 이동장치를 제공함에 그 목적이 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 횡측으로 관통된 공간부가 형성된 몸체; 상기 몸체의 공간부에 직각방향으로 관통되어 선형이동을 조정하는 회전 손잡이; 상기 몸체의 공간부 내에 장착되며, 회전손잡이의 축에 끼워져 연동하는 수단; 일단이 상기 몸체의 공간부의 소정위치에 삽입, 고정되며, 접고 펼치는 형태의 다단봉으로 형성된 가이드 로드; 일단은 상기 연동수단에 고정되며, 타단은 가이드 로드의 선단부에 고정되어 가이드 로드에 선형이동력을 제공하는 수단; 및 상기 가이드 로드의 외주면을 감싸며, 그의 선형이동에 따라 수축 및 팽창하는 밸로우즈 실을 포함하는 초고진공용 선형이동장치를 제공한다.
4. 발명의 중요한 용도
초고진공하에서 수축 및 팽창을 통한 선형이동제어를 수행하기 위한 것임.-
公开(公告)号：KR100276436B1
公开(公告)日：2001-02-01
申请号：KR1019980026446
申请日：1998-07-01
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 자기제어 성장과 전계효과를 이용하여 제작된 나노 금속점으로 이루어진 상온 단전자 소자 제작방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판(10) 위에 산화막을 형성하고 마이크로 프로세서를 통해 제작된 소오스(41)와 드레인(43)과 게이트(44)의 세 전극을 제작한 뒤 불활성화된 실리콘 표면 위에 금속(32)을 진공증착하여 나노 클러스터(42)로 이루어진 2차원 금속 입자 구조를 제작하고, SPM을 이용하여 상기 나노 클러스터를 하나씩 제어하여 한 개나 여러 개로 이루어진 일차원 전자 관통 배열 구조를 형성함으로써, 메모리나 마이크로 프로세서에서의 최소 선폭의 한계를 훨씬 뛰어넘는 소자 구조의 제작이 가능한 효과가 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990043770A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970064812
申请日：1997-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 탄소 나노튜브를 이용한 전계 방출 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 신 물질로 각광 받고 있는 탄소 나노튜브 첨단의 가늘고 뾰족한 구조를 이용하여 전계 방출의 임계 전압이 극소화되는 전계 방출 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.
전자빔 묘화장치 및 전자총, 평판 디스플레이 및 센서 등으로 이용되는 전계 방출 소자는 디스크 모양의 구멍 배열 속에 묘화 장치를 이용한 에칭 공정을 실시하여 서브 마이크론 사이즈의 실리콘 팁을 형성함으로 제조되었다.
본 발명에서는 열적, 화학적으로 극히 안정되어 있고 나노미터 두께의 지름을 가진 극히 뾰족한 모양의 탄소 나노튜브를 이용하여, 저 전압에서도 전자 방출이 용이하고 전자빔의 결 맞음(coherency)이 뛰어나며 오랜 시간 동안 안정적으로 전계 방출이 가능한 전계 방출 소자를 제조하는 방법을 제시한다.-
公开(公告)号：KR100175609B1
公开(公告)日：1999-05-01
申请号：KR1019960053536
申请日：1996-11-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C03B29/04
CPC classification number: G01Q60/16 , C23C16/04 , C23C16/271 , G01Q70/14 , H01J9/025
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
다이아몬드의 형성 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
탐침 형상의 시료 첨단에만 선택적으로 다이아몬드를 증착하는 종래의 다이아몬드 증착법은 시료를 다이아몬드 연마제에 매우 통제된 힘으로 충돌시켜 약간의 손상을 가하는 것인데, 이 방법은 충돌을 통제된 힘으로 제어하기 어렵기 때문에 성공률이 적으며, 재현성도 떨어지는 문제점이 있었음.
3. 발명의 해결방법의 요지
다이아몬드의 화학 기상 증착 과정 중에 탐침에 전압을 인가하는 간단한 방법으로 높은 재현성 및 수율로 팁 형상의 시료의 첨단에 다이아몬드를 선택적으로 형성하는 방법을 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
주사 탐침 현미경의 탐침에 이용됨.-
公开(公告)号：KR1019980035255A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960053536
申请日：1996-11-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C03B29/04
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
다이아몬드의 형성 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
탐침 형상의 시료 첨단에만 선택적으로 다이아몬드를 증착하는 종래의 다이아몬드 증착법은 시료를 다이아몬드 연마제에 매우 통제된 힘으로 충돌시켜 약간의 손상을 가하는 것인데, 이 방법은 충돌을 통제된 힘으로 제어하기 어렵기 때문에 성공률이 적으며, 재현성도 떨어지는 문제점이 있었음.
3. 발명의 해결방법의 요지
다이아몬드의 화학 기상 증착 과정 중에 탐침에 전압을 인가하는 간단한 방법으로 높은 재현성 및 수율로 팁 형상의 시료의 첨단에 다이아몬드를 선택적으로 형성하는 방법을 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
주사 탐침 현미경의 탐침에 이용됨.-
公开(公告)号：KR1020000007235A
公开(公告)日：2000-02-07
申请号：KR1019980026446
申请日：1998-07-01
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating single-electron transistors is provided to promote high-integration of semiconductor devices. CONSTITUTION: The method includes forming an oxide layer on a silicon substrate(10), forming a source(41), a drain(43) and a gate(44) on the resulting substrate by use of micro-process technique, forming a two-dimensional metal particle structure of nano-cluster(42) by depositing metal on the inactivated surface of the silicon layer under vacuum, and forming one or more one-dimensional electron tunneling structures using a scanning probe microscopy(SPM), thereby making it possible to fabricate single-transistor memory or microprocessor devices which operate at room temperature.
Abstract translation: 目的：提供一种制造单电子晶体管的方法，以促进半导体器件的高集成度。 构成：该方法包括在硅衬底（10）上形成氧化物层，通过微加工技术在所得衬底上形成源（41），漏极（43）和栅极（44），形成二 通过在真空下在硅层的失活表面上沉积金属，并使用扫描探针显微镜（SPM）形成一个或多个一维电子隧道结构，从而使得纳米簇的二维金属颗粒结构（42）成为可能 制造在室温下工作的单晶体管存储器或微处理器器件。
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公开(公告)号：KR1019980044527A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960062620
申请日：1996-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/68
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
초 고진공용 선형이동장치
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
본 발명은 이동 축을 안테나 또는 낚시대 형태의 접히는 축을 사용하여 선형이동장치의 불필요한 후방 공간을 제거하여 공간을 효율적으로 활용할 뿐 아니라, 후방측으로 돌출하는 것을 제거하여 안전성을 확보한 초고진공용 선형 이동장치를 제공함에 그 목적이 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 횡측으로 관통된 공간부가 형성된 몸체; 상기 몸체의 공간부에 직각방향으로 관통되어 선형이동을 조정하는 회전 손잡이; 상기 몸체의 공간부 내에 장착되며, 회전손잡이의 축에 끼워져 연동하는 수단; 일단이 상기 몸체의 공간부의 소정위치에 삽입, 고정되며, 접고 펼치는 형태의 다단봉으로 형성된 가이드 로드; 일단은 상기 연동수단에 고정되며, 타단은 가이드 로드의 선단부에 고정되어 가이드 로드에 선형이동력을 제공하는 수단; 및 상기 가이드 로드의 외주면을 감싸며, 그의 선형이동에 따라 수축 및 팽창하는 밸로우즈 실을 포함하는 초고진공용 선형이동장치를 제공한다.
4. 발명의 중요한 용도
초고진공하에서 수축 및 팽창을 통한 선형이동제어를 수행하기 위한 것임.
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