公开(公告)号：KR100155310B1

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019950020383

申请日：1995-07-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강광용 ,  한석길 ,  김제하 ,  이상렬

IPC: H01L27/24

Abstract: 본 발명은 무선 및 마이크로파 통신시스템에 사용되는 핵심부품인 다채널 멀티플렉서의 한부분으로 마이크로스트립 분기선 방식의 3-dB 직각 결합기(coupler)와 평행결합선 방식의 2-극 대역통과 여파기를 집적시킨 고온초전도 서브시스템의 일종이다.
본 발명인 마이크로스트립선 방식의 고온초전도 마이크로파 듀플렉서는 고온초전도 YBCO/MgO 에피텍셜 박막과 미세형상화 공정을 통하여 구현하였으며 출력포트에서의 여파기 신호는 36MHz의 대역폭과 ∼10GHz 중심주파수를 가졌다.
한편, 4-포트형 3-성분 시험지구(test-jig)에 제조한 고온초전도 듀플렉서를 내장시키고 저온 마이크로파 특성을 측정하기 전에, 기판 뒷면에는 전자선 증발기로 이중금속(Ti/Ag)접지평면을 증착하였다.
따라서, 고온초전도 듀플렉서는 YBCO/MgO/Ti/Ag구조를 갖게 되었다. 이러한 고온초전도 듀플렉서는 사용하면 무선 및 마이크로파 통신부품에서 무손실, 무분산으로 신호처리가 가능하고, 마이크로스트립線 방식의 서브시스템이므로 제조도 간단하고 경량이므로 고온초전도 MMICs의 발달을 촉진할 것으로 기대된다.

公开(公告)号：KR1019960026996A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940035157

申请日：1994-12-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강광용 ,  이상렬 ,  한석길

IPC: H01L39/00

Abstract: 본 발명은 새로운 산화물인 양질의 고온초전도 박막과, 전자기파 저역통과 필터의 회로해석 이론과, 전산모 사용 소프트웨어와, 반도체소자의 제조공정을 응용한 포토리소그래픽 및 식각공정을 이용하여 전자기판영역(3~33GH
z )에서도 매우 우수한 성능을 발휘하며, 종래의 소자에 비하여 크기도 상당히 감소시킬 수 있는 마이크로 스트립 방식의 저역통과 필터를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 전자기파 저역통과 필터이론과 전사모사로써 최적 저역통과 필터의 패턴을 설계하고 상기 설계된 회로 패턴을 전사시켜서 제조한 전자선- 마스크를 사용하여 포토리소그래픽 공정과 필터 패턴의 예리도를 향상시킬 수 있는 식각공정을 통하여 차단주파수가 8GH
z 인 YBCO/MgO/Ti/Ag 구조의 저역통과 필터를 제조할 수 있다.
본 발명에 따른 전자기파용 고온초전도 7-극 저역통과 필턴는 RF 및 전자기파 통신시스템에 사용되는 핵심부품인 주파수 믹서기를 구성하는 중요소자로서 외부에서 가해주는 바이어스를 제어하거나 또는 특정주파수 이하의 신호만을 통과시키는 전송선소자이며 전자기파 대역용 전류변환 스윗치로서도 효과적이다.
또한 본 발명에 따라 제조된 전자기파용 고온초전도 7-극 저역통과 필터는 무손실, 무분산으로 대용량 정보처리가 가능하고 마이크로 스트립 형태의 전송선 소자이므로 제조하는 것이 간단하고. 종래의 3-극, 5-극 저역통과 필터보다 패턴의 크기(2㎝×1㎝)는 약간 크지만 시뮬레이션의 결과와 상당히 일치하며, 특히 차단주파수 이상에서 입력신호에 대한 저지대역의 가파름(steepness) 특성이 매우 우수하고, 통과대역은 0.5dB(77K) 이내의 삽입손실과 매우 평탄함(flatness)을 가지게 된다.

公开(公告)号：KR1019950015839A

公开(公告)日：1995-06-17

申请号：KR1019930024334

申请日：1993-11-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종용 ,  강광용 ,  이상렬 ,  윤철식

IPC: H01L39/12 ,  H01L39/24

Abstract: 본 발명은 고온 초전도 박막 제조방법에 관한 것으로, 특히, 은접착제 (3)에 의해 기판홀더에 부착되고, 산화물 단결정기판 (1)과 초전도 박막 (2)을 갖는 반도체 소자로 부터 상기 은접착제를 제거하는 방법에 관한 것이다. 상기 고온 초전도 박막(2)상에 보호막(4)을 증착시키고, 상기 은접착제(3)상에 염산(틴CL)을 면봉에 묻혀 도포한 후, 청산가리(KCN)용액을 묻힌 면봉으로 상기 은접착제(3)를 식각하여 상기 산화물 단결정기판(1) 뒷면에 금속 박막(5)을 증착시키는 공정을 거쳐 상기 보호막(7)을 제거하여 고온 초전도 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 따라서 본 발명을 응용한 고주파소자의 제작에서 균일하고 평활하게 성장시킨 접지평면이 고주파소자의 특성(Q-factor, S-parameter)에 큰 영향을 미친다. 또한 통신용 송. 수신시스템을 구현할 경우, 대용량의 정보들 특정 고주파영역의 협대역에서도 깨끗하고 잡음없는 통신이 가능하게 한다.

公开(公告)号：KR1019950015838A

公开(公告)日：1995-06-17

申请号：KR1019930024332

申请日：1993-11-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강광용 ,  이종용 ,  이상렬 ,  윤철식

IPC: H01L39/00

Abstract: 본 발명은 현재 사용되고 있는 소재와는 전혀 다른 고온초전도체를 이용하여 정보 통신용 수동소자, 특히 고주파 영역에서 성능이 매우 우수한 마이크로파 대역통과필터의 제조방법에 관한 것이다.
고온초전도 에피텍셜박막을 준비하고 시뮬레이션으로 구한 최적의 회로패턴을 전사시킨 전자선 마스크를 이용한 포토리소 그래픽 공정과 혼합식각공정을 통해 YBa
2 Cu
3 O
7-8 /Mg0/Cr/Cu/Au구조의 고주파용 대역통과필터를 제조한다.
본 발명에 따라 제조된 마이크로파소자의 고주파 특성측정을 통해 고온초전도체의 고주과 응용가능성을 확인하고, 저온(77K근방)에서는 기존의 금속박막형 고주파 수동소자보다 성능이 우수함을 보인다.
고온초전도 박막의 제조에서 부터 대역통과필터를 구현하기까지는 복잡하고 다양한 소자제조 공정들을 거치게 되지만, 이러한 공정들을 통하여 기판위에 형성시킬 회로패턴의 정밀도 및 예리도를 훨씬 높일 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR100135022B1

公开(公告)日：1998-05-15

申请号：KR1019940030615

申请日：1994-11-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 한석길 ,  강광용 ,  이상렬

IPC: H01R9/18 ,  H01R11/26

Abstract: 본 발명은 계측용 진공챔버에 부착시켜 사용하는 시리얼 커넥터로서 마이크로파 및 밀리미터파 측정을 위한 진공 챔버용 나사형 메일-메일 커넥터에 관한 것으로 측정용 저온 진공챔버에 쉽게 부착할 수 있으며, 케이블과 조임나사 사이의 간극을 없애고 완벽한 봉합을 위하여 10
-8 까지 진공도를 유지할 수 있는 진공용 에폭시를 사용한 접합부위를 형성하여 고주파 전송특성을 잘 유지시키도록 하기 위하여 미이크로스트립형 고온초전도 마이크로파 전송선 소자(수동소자) 및 능동조사 그리고 GaAs - MMICs들의 저온 고주파 특성을 마이크로파 대역에서 밀리미터파 대역까지 측정할 수 있도록 하며 또한 계측용 진공챔버와 마이크로파 계측장비의 단자사이에서 우수한 전기적 정합을 얻고 측정시 전송신호의 단락없는 전이를 가능하게 함을 특징으로 한� �.

公开(公告)号：KR100126552B1

公开(公告)日：1997-10-16

申请号：KR1019930024334

申请日：1993-11-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종용 ,  강광용 ,  이상렬 ,  윤철식

IPC: H01L39/12 ,  H01L39/24

公开(公告)号：KR1019960019857A

公开(公告)日：1996-06-17

申请号：KR1019940030615

申请日：1994-11-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 한석길 ,  강광용 ,  이상렬

IPC: H01R9/18 ,  H01R11/26

Abstract: 본 발명은 계측용 진공챔버에 부각시켜 사용하는 시리얼 커넥터로서 마이크로파 및 밀리미터파 측정을 위한 진공 챔버용 나사형 메일-메일 커넥터에 관한 것으로 측정용 저온 진공챔버에 쉽게 부착할 수 있으며, 케이블과 조임나사 사이의 간극을 없애고 완벽한 통합을 위하여 10
-8 까지 진공도를 유지할 수 있는 진공용 에폭시를 사용한 접합부위를 형성하여 고주파 전송특성을 잘 유지시키도록 하기 위하여 마이크로스트립형 고온초전도 마이크로파 전송선 소자(수동소자) 및 능동소자 그리고 GaAs-MMICs들의 저온 고주파 특성을 마이크로파 대역에서 밀리미터파 대역까지 측정할 수 있도록 하며 또한 계측용 진공챔버와 마이크로파 계측장비의 단자사이에서 우수한 전기적 정합을 얻고 측정시 전송신호의 단락없는 전이를 가능하게 함을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019960019846A

公开(公告)日：1996-06-17

申请号：KR1019940030099

申请日：1994-11-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이상렬 ,  강광용 ,  한석길

IPC: H01P7/00

Abstract: 본 발명은 전보통신용 마이크로파 전송선 소자의 일종으로, 새로운 산화물인 고온 초전도체와 박막형 이중모드 방식을 채택한 것으로서, 마이크로파 영역에서의 성능이 매우 우수한 것으로 인식되고 있다. 마이크로파 대역으로의 전파이용 확대 및 급증하는 전파 서비스 요구와 더불어 박막제조 장비의 발달은 고온 초전도 박막을 이용한 통신소자의 개발에 박차를 가하게 하였다.
즉, 한정된 전파자원을 효율적으로 활용하기 위해서는 매우 우수한 특성의 마이크로파 부품개발이 요구되는 바, 여기에 높은 양호도를 발휘할 수 있는 무손실 무저항의 고온 초전도체의 응용은 마이크로파 부품의 특성 향상에 매우 유리하다.
본 발명은 고온 초전도 박막을 이용하여 마이크로파 영역에서 사용할 수 있는 새로운 개념을 갖는 3가지 종류(사각패치형, 원판형, 고리형)의 마이크로파 이중모드 공진기의 설계 및 제작에 관한 것이며 고온 초전동 에피택셜 박막과 시뮬레이션으로 구한 최적회로 패턴을 전사시킨 전자선 마스크를 이용한 포토리소그래픽 공정과 식각공정을 통해 YBa
2 Cu
3 O
7-5 /MgO/Ti(또는 Cr)/Ag구조의 마이크로파용 이중모드 공진기를 제작한 것이다.
본 발명에 따른 이중모드 공진기의 구성은 미세형상화된 고온 초전도 이중모드 공진기 패턴과, 고온 초전도 박막의 우수한 성장을 위한 마이크로파용 기판, 고주파 캐비티(공동)와의 우수한 접촉을 위한 접지 평면으로 구성되어 있다.
이러한 이중모드 공진기의 주파수 특성측정을 통해 고온 초전도체의 마이크로파 응용 가능성을 확인하였으며, 저온(77K 근방)에서는 기존의 금속박막형 고주파 수동소자보다 성능이 우수함도 알수 있었다.

公开(公告)号：KR1019950021827A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930026302

申请日：1993-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강광용 ,  이종용 ,  이상렬 ,  윤철식

IPC: H01L39/12

公开(公告)号：KR1019970011141B1

公开(公告)日：1997-07-07

申请号：KR1019930024334

申请日：1993-11-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종용 ,  강광용 ,  이상렬 ,  윤철식

IPC: H01L39/12 ,  H01L39/24

Abstract: In the method for eliminating a silver adhesive for a process of a hot superconductive thin film in removing the silver adhesive from a semiconductor element which is fixed onto a substrate holder by the silver adhesive(3) and which has an oxide single crystal substrate(1) and a hot superconductive thin film(2), the method comprises the steps of evaporating in vacuum a protective film(4) thicker than a hot superconductive thin film, on the hot superconductive thin film(3); coating HCL by using a cotton swab on the silver adhesive(3), etching the silver adhesive(3) by using a cotton swab stained with KCN solution(6) and evaporating in vacuum a metal thin film(5) on a back face of the oxide single crystal substrate(1); and removing the protective film(4) formed on the hot superconductive thin film(3) by utilizing an ultrasonic washer.

Abstract translation: 在从通过银粘合剂（3）固定在基板保持件上并具有氧化物单晶基板（1）的半导体元件去除银粘合剂的方法中，除去用于热超导薄膜的工艺的银粘合剂的方法 ）和热超导薄膜（2），该方法包括在热超导薄膜（3）上真空蒸发比热超导薄膜厚的保护膜（4）的步骤; 通过在银粘合剂（3）上使用棉签涂覆HCL，通过使用用KCN溶液（6）染色的棉签蚀刻银粘合剂（3），并在真空中蒸发金属薄膜（5），背面 氧化物单晶基板（1）; 以及利用超声波清洗机除去形成在热超导薄膜（3）上的保护膜（4）。