公开(公告)号：KR1019940016940A

公开(公告)日：1994-07-25

申请号：KR1019920025007

申请日：1992-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤광준 ,  맹성재 ,  이중남 ,  황인덕 ,  박형무

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/76 ,  H01L29/78

Abstract: 전력 전계효과 트랜지스터의 구조에 관한 것으로, 일정한 크기의 단위 FET를 게이트 연결선을 중심으로 좌우 대칭으로 MXN의 행렬형태로 배열하고 좌우의 단위 FET들의 게이트를 중심의 게이트 연결선에 트리(Tree)형으로 연결시키고, 드레인과 소오스는 에어브리지(air-bridge) 기술을 이용하여 중심의 게이트 연결선 위로 지나가도록 하여 좌우의 드레인과 소오스를 하나로 연결시키며 이렇게 구성된 좌우 대칭의 FET를 소오스 및 드레인을 공유하도록 하여 세로축으로 여러개를 연결시키며, 게이트는 중심의 게이트 전극으로부터 좌우 FET의 게이트 연결선에 연결시키고, 드레인은 중심의 드레인 연결선에서 좌우의 FET의 단위게이트의 드레인에 연결시키며, 소오스는 FET 주의를 따라 단위 FET의 소오스에 연결시키는 것이 특징이다.