公开(公告)号：KR100565176B1

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：KR1020040064969

申请日：2004-08-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김혜진 ,  전헌수 ,  정상돈 ,  정명애

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 반도체 소자용 시편 측정방법에 관한 것으로, 반도체 소자용 시편의 측정하고자 하는 영역 상부를 식각 마스크를 이용하여 선택적으로 노출시키되, 일정 방향으로 노출된 부위의 면적이 변화하도록 패터닝하는 단계와, 변화된 면적에 따라 소정각으로 경사지도록 상기 측정하고자 하는 영역 상부를 확산제어 습식식각을 이용하여 식각하는 단계와, 상기 경사면을 AFM으로 측정하는 단계를 포함하는 AFM을 이용한 반도체 소자용 시편 측정방법을 제공한다. 본 발명을 이용하면, 종래의 STM과 같은 고가의 장비를 이용하지 않고도 원자스케일의 이미지를 얻을 수 있다.
확산제어 습식식각, 반도체 구조, AFM, 연마

公开(公告)号：KR1020050063663A

公开(公告)日：2005-06-28

申请号：KR1020040064969

申请日：2004-08-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김혜진 ,  전헌수 ,  정상돈 ,  정명애

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01Q60/24 ,  H01L21/30612

Abstract: 본 발명은 반도체 소자용 시편 측정방법에 관한 것으로, 반도체 소자용 시편의 측정하고자 하는 영역 상부를 식각 마스크를 이용하여 선택적으로 노출시키되, 일정 방향으로 노출된 부위의 면적이 변화하도록 패터닝하는 단계와, 변화된 면적에 따라 소정각으로 경사지도록 상기 측정하고자 하는 영역 상부를 확산제어 습식식각을 이용하여 식각하는 단계와, 상기 경사면을 AFM으로 측정하는 단계를 포함하는 AFM을 이용한 반도체 소자용 시편 측정방법을 제공한다. 본 발명을 이용하면, 종래의 STM과 같은 고가의 장비를 이용하지 않고도 원자스케일의 이미지를 얻을 수 있다.