公开(公告)号：KR1019940008365B1

公开(公告)日：1994-09-12

申请号：KR1019910022924

申请日：1991-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이중화 ,  곽병화 ,  박형호 ,  권오준 ,  정성화

IPC: H01L21/324

Abstract: The method selectively removes the impurities on the surface by using electron beams. The method comprises (A) loading a semiconductor substrate (5) in a vacuum chamber (1) with high vacuum atmosphere below 10-6 torr; (B) selectively focusing the electron beam (4) on the substrate surface; (C) absorbing the dissociated impurities into the high vacuum region and removing them.

Abstract translation: 该方法通过使用电子束选择性去除表面上的杂质。 该方法包括：（A）将半导体衬底（5）装载在具有低于10 -6乇的高真空气氛的真空室（1）中; （B）选择性地将电子束（4）聚焦在衬底表面上; （C）将解离的杂质吸收到高真空区域并除去它们。

公开(公告)号：KR1019930014838A

公开(公告)日：1993-07-23

申请号：KR1019910022924

申请日：1991-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이중화 ,  곽병화 ,  박형호 ,  권오준 ,  정성화

IPC: H01L21/324

Abstract: 본 발명은 고진동하에서 반도체기판의 표면을 청정처리 하는 방법에 관한 것으로 특히 미세패턴화된 반도체기판에서 전자선을 이용하여 수 Å이내의 표면불순물을 선택적으로 제거하는 방법이다.
본 발명은 반도체기판의 표면의 특정부위에 접속된 전자선을 선택적으로 조사하여 반도체기판의 표면에 존재하는 표면불순물의 분해를 유도하고 분해산물을 고진공으로 제거하되 화학증착 공정, 에피택셜 성장공정 또는 스피터링 공정 등의 가공공정과 함께 수행함으로써 기판의 변형이나 표면의 제오염을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR100080390B1

公开(公告)日：1994-12-14

申请号：KR1019910022924

申请日：1991-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이중화 ,  곽병화 ,  박형호 ,  권오준 ,  정성화

IPC: H01L21/324