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Patent Agency Ranking1.发明专利
公开(公告)号：KR102237995B1
公开(公告)日：2021-04-12
申请号：KR1020180058440A
申请日：2018-05-23
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H03K17/145 , G05F3/245
Abstract: 본 발명은 CMOS 회로를 포함하는 반도체 장치 및 이의 동작 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는 반도체 회로, 컨트롤러, 및 전압 생성기를 포함한다. 반도체 회로는 온도의 증가에 따라 입력과 출력 사이의 지연 시간이 감소하기 위한 구동 전압으로 동작한다. 컨트롤러는 온도의 변화에 따른 PMOS 트랜지스터의 소스-드레인 전류 및 NMOS 트랜지스터의 소스-드레인 전류 사이의 차이에 기초하여, CMOS 회로의 오동작을 판단한다. 전압 생성기는 컨트롤러의 오동작 판단에 기초하여, PMOS 트랜지스터 또는 NMOS 트랜지스터에 인가되는 바디-바이어스 전압을 생성 또는 조절한다. 본 발명에 따르면, 저전압으로 동작하는 CMOS 회로에서 발생되는 오동작 및 성능 열화가 감소될 수 있다.
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公开(公告)号：KR102237995B1
公开(公告)日：2021-04-12
申请号：KR1020180058440
申请日：2018-05-23
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은 CMOS 회로를포함하는반도체장치및 이의동작방법에관한것이다. 본발명의실시예에따른반도체장치는반도체회로, 컨트롤러, 및전압생성기를포함한다. 반도체회로는온도의증가에따라입력과출력사이의지연시간이감소하기위한구동전압으로동작한다. 컨트롤러는온도의변화에따른 PMOS 트랜지스터의소스-드레인전류및 NMOS 트랜지스터의소스-드레인전류사이의차이에기초하여, CMOS 회로의오동작을판단한다. 전압생성기는컨트롤러의오동작판단에기초하여, PMOS 트랜지스터또는 NMOS 트랜지스터에인가되는바디-바이어스전압을생성또는조절한다. 본발명에따르면, 저전압으로동작하는 CMOS 회로에서발생되는오동작및 성능열화가감소될수 있다.
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公开(公告)号：KR102244848B1
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：KR1020170023687
申请日：2017-02-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명에따른네트워크-온-칩은, 각각파워게이팅스위치를통해서전원을공급받는복수의라우터들, 그리고상기복수의라우터들각각으로부터제공되는온도정보를기반으로상기복수의라우터들각각의파워게이팅스위치를제어하고, 상기복수의라우터들의구동클록을제어하는컨트롤러를포함하되, 상기컨트롤러는상기온도정보를참조하여적어도하나의제 1 라우터를턴오프시키도록상기파워게이팅스위치를제어하고, 턴온된적어도하나의제 2 라우터의클록주파수를오버-스케일링(Over-scaling)한다.
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公开(公告)号：KR1020170103274A
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：KR1020160025841
申请日：2016-03-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04L12/939 , H04L12/933 , H04L1/20 , H04L7/00
Abstract: 본발명은네트워크온 칩에관한것이다. 본발명의네트워크온 칩은, 외부의제1 회로와연결되도록구성되고, 제1 클럭에기반하여동작하는제1 스위치, 제2 클럭에기반하여동작하는제2 스위치, 그리고제1 스위치및 상기제2 스위치사이에연결되는선입선출회로를포함한다. 제1 스위치는상기제1 회로로부터데이터를수신하고, 수신된제1 데이터에대해에러검출인코딩을수행하고, 그리고에러검출인코딩된데이터를선입선출회로를통해상기제2 스위치로전달한다.
Abstract translation: 片上网络技术领域本发明涉及片上网络（chip-on-a-chip）。 本发明的片上网络被配置为连接到外部第一电路，并且包括基于第一时钟操作的第一开关，基于第二时钟操作的第二开关， 在连接在两个交换机之间的电路中。 第一开关从第一电路接收数据，对接收的第一数据执行错误检测编码，并且经由先入先出电路将错误检测编码数据传送到第二开关。
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