公开(公告)号：KR100073271B1

公开(公告)日：1994-05-03

申请号：KR1019910006834

申请日：1991-04-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 차재현 ,  한오석 ,  전영진

IPC: H01L21/31

公开(公告)号：KR1019940000918B1

公开(公告)日：1994-02-04

申请号：KR1019910006834

申请日：1991-04-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 차재현 ,  한오석 ,  전영진

IPC: H01L21/31

Abstract: A chroma layer (12) on a mask layer (11) is etched with the help of a photo resisting layer (13). A first phase shifting layer (14) is fabricated on the patterned chrome layer (12), a second phase shifting layer (15) on the first phase shifting layer. A second photo resist mask (15a) is built on the second phase shifting layer (15). The first phase shifting layer (14) is etched to form a first phase-shift mask (14a) and a second phase-shift mask (15a).

Abstract translation: 借助于光阻层（13）蚀刻掩模层（11）上的色度层（12）。 在图案化铬层（12）上制造第一相移层（14），在第一移相层上制造第二相移层（15）。 在第二移相层（15）上构建第二光刻胶掩模（15a）。 蚀刻第一相移层（14）以形成第一相移掩模（14a）和第二相移掩模（15a）。

公开(公告)号：KR1019920020639A

公开(公告)日：1992-11-21

申请号：KR1019910006834

申请日：1991-04-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 차재현 ,  한오석 ,  전영진

IPC: H01L21/31