公开(公告)号：KR100160907B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019950052662

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상수 ,  전영진 ,  정해빈 ,  이종현 ,  유형준

IPC: H01L21/306

Abstract: 본 발명은 X-선 마스크 제작을 위한 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 X-선 마스크 제작공정중 실리콘의 습식식각시 웨이퍼의 외주연 부분이 식각액과 접촉하는 것을 방지하거나 웨이퍼의 일면에 실장된 소자가 식각액과 접촉하는 것을 방지할 수 있는 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척에 관한 것이다.
본 발명의 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척은 X-선 마스크 제작을 위한 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척에 있어서, 단면에 L자 형상으로 절곡된 환 형상을 지니고 절곡된 평탄면의 중앙에는 O-링(11)이 부설되어 웨이퍼(50) 일면의 외주연 부분을 안착시키는 위한 하부 지지부(10); 및, 환 형상을 지니고 하면 중앙에 O-링(21)이 부설되며 상기한 하부 지지부(10)의 절곡면에 내설되어 웨이퍼(50) 타면의 외주연 부분을 고정하기 위한 상부 지지부(20)를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019970076070A

公开(公告)日：1997-12-10

申请号：KR1019960017848

申请日：1996-05-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전영진 ,  최상수 ,  정해빈 ,  이종현 ,  유형준

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/50

Abstract: 본 발명은 마스크용 글래스 링 구조에 관한 것으로서, 종래 글래스 링 구조를 개선한 것이다.
즉, 본 발명은 종래의 글래스 링의 기능 및 역할을 크게 저하시키지 않으면서도 글래스 링과 실리콘 웨이퍼 뒷면과의 접착면적을 적절히 축소 조절하여, 멤브레인의 편평도 및 OPD(Out-of-Plane Distortion)/IPD(In-Plane Distortion)특성을 크게 개선시킬 수 있도록 한 것이다.
그 글래스 링의 구조는 실리콘 웨이퍼 뒷면과 접착부위 면적을 달리하기 위하여 실리콘 웨이퍼 외경 보다 작은 임의의 크기의 외경 및 이에 상응하는 임의의 내경 크기를 갖고서 마스크를 지지하도록 구성된 것이다.
또 다른 글래스 링의 구조는 여러 구조물 또는 여러 조각으로 구성할 수가 있고, 또한 글래스 링 표면에 글래스 링과 웨이퍼 뒷면과의 접촉면적을 고의로 축소하기 위해 소정 형태의 돌기들을 형성할 수 있는 구조로 된 것이다.

公开(公告)号：KR100068234B1

公开(公告)日：1993-12-03

申请号：KR1019900014262

申请日：1990-09-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이춘수 ,  전영진

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/28

公开(公告)号：KR1019920007067A

公开(公告)日：1992-04-28

申请号：KR1019900014262

申请日：1990-09-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이춘수 ,  전영진

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/28

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1019980016375A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960035934

申请日：1996-08-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전영진 ,  정진만 ,  최상수 ,  김보우 ,  유형준

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 마스트 패턴(mask pattern)에 X-선을 노광(exposure)시켜, 그 마스트 패턴에 해당하는 형상(image)을 웨이퍼(wafer)위에 전사(transfer) 할 때 사용하는 X-선 마스크(X-ray mask)에 관한 것으로서, X-선 마스크 구성 요소의 하나인 지지 링(support ring)의 구조를 개선한 것이다.
즉, 본 발명은 지지 링의 기계적 강도(mechanical strength)를 향상시키고, 마스크 기판(mask substrate)과 지지 링 간의 열팽창계수(coefficient of thermal expansion)차이에 의한 마스크의 열적 변형(thermal distortion)을 최소화 하기 위해, 상기 지지 링의 단면 구조를 종래의 단순 사각형 형태로부터 다각형이나 삼각형, 원형 등의 새로운 형태로 변경하거나, 보강용 홈(trench) 또는 보강용 빔(beam)을 종래의 지지 링에 추가한 새로운 구조의 지지 링을 사용하는 X-선 마스크에 관한 것이다. 본 발명은 상기의 X-선 마스크는 물론 전자빔 셀 투사용 리소그래피(electron-beam cell projection lithography)용 마스크 및 이온 빔 리소그래피(ion-beam lithography)용 마스크에도 응용할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980015311A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960034589

申请日：1996-08-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전영진 ,  정진만 ,  최상수 ,  김보우 ,  유형준

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 마스크(mask) 패턴(pattern)에 X-선을 노광(exposure)시켜 그 마스크 패턴에 해당하는 형상(image)을 웨이퍼(wafer) 위에 전사(transfer) 할 때 사용하는 X-선 마스크(X-ray mask)에 관한 것이다.
즉, 마스크 기판(mask substrate)과 지지링 (support ring)과의 열팽창 계수(coefficient of thermal expansion) 차이에 의한 마스크의 열적 변형(thermal distortion)을 근본적으로 제거하고, 외부의 기계적 스트레스(mechanical stress)에 대한 지지 링의 저항(resistance)능력을 향상시키기 위해 지지 링의 이면(the other side)에 마스크 기판과 동일한 재료로 구성되고, 마스크 기판과 동일한 공정 과정을 거친 변형 방지용 보조기판(supporting substrate to protect distortion)을 추가로 부착하여 구성한 X-선 마스크에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019970052733A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950052662

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상수 ,  전영진 ,  정해빈 ,  이종현 ,  유형준

IPC: H01L21/306

Abstract: 본 발명은 X-선 마스크 제작을 위한 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 X-선 마스크 제작공정중 실리콘의 습식식각시 웨이퍼의 외주연 부분이 식각액과 접촉하는 것을 방지하거나 웨이퍼의 일면에 실장된 소자가 식각액과 접촉하는 것을 방지할 수 있는 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척에 관한 것이다.
본 발명의 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척은 X-선 마스크 제작을 위한 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척에 있어서, 단면에 L자 형상으로 절곡된 환 형상을 지니고 절곡된 평탄면의 중앙에는 O-링(11)이 부설되어 웨이퍼(50) 일면의 외주연 부분을 안착시키는 위한 하부 지지부(10); 및, 환 형상을 지니고 하면 중앙에 O-링(21)이 부설되며 상기한 하부 지지부(10)의 절곡면에 내설되어 웨이퍼(50) 타면의 외주연 부분을 고정하기 위한 상부 지지부(20)를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100068241B1

公开(公告)日：1993-12-03

申请号：KR1019900016318

申请日：1990-10-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 차재현 ,  전영진 ,  최상수

IPC: H01L21/00

公开(公告)号：KR1019920005782B1

公开(公告)日：1992-07-18

申请号：KR1019900008258

申请日：1990-06-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권광호 ,  윤선진 ,  박병선 ,  전영진 ,  강상원

IPC: G03F7/26

Abstract: RIE dry developing process for silylated photoresist using O2/H2 plasma comprises (A) depositing 1.6-1.8 m plasmask light- sensitive film (2) containing a pigment on substrate (1) at 4100 rpm, (B) soft baking the film (2) at 110 deg.C for 60 secs, followed by partially exposing, (C) presilylation baking exposed part (3) and non-exposed part (4) at 160 deg.C for 60 secs, (D) forming silylation agent diffusion layer (5) on exposed part (3) by silylating at 143 deg.C for 7 mins under the atmosphere of diluted silylation agent by air or N2, and (E) removing non-exposed part (4) by dry etching to form a mask layer of light-sensitive film.

Abstract translation: 使用O 2 / H 2等离子体的硅烷化光刻胶的RIE干式显影工艺包括：（A）以4100rpm沉积在基片（1）上含有颜料的1.6-1.8μm等离子体掩模感光膜（2），（B）软烘烤薄膜 ）在110℃持续60秒，然后在160℃部分暴露（C）预裂化焙烧露出部分（3）和未曝光部分（4）60秒，（D）形成甲硅烷基化剂扩散层 （5）在暴露部分（3）上，通过空气或N 2在稀释的甲硅烷基化剂的气氛下在143℃甲酰化7分钟，和（E）通过干蚀刻除去未曝光的部分（4）以形成掩模 感光层。

公开(公告)号：KR100223023B1

公开(公告)日：1999-10-01

申请号：KR1019960034589

申请日：1996-08-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전영진 ,  정진만 ,  최상수 ,  김보우 ,  유형준

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/22 ,  G03F7/707 ,  G03F7/70866 ,  G21K5/08

Abstract: 본 발명은 마스크(mask) 패턴(pattern)에 X-선을 노광(exposure)시켜 그 마스크 패턴에 해당하는 형상(image)을 웨이퍼(wafer) 위에 전사(transfer)할 때 사용하는 X-선 마스크(X-ray mask)에 관한 것이다.
즉, 마스크 기판(mask substrate)과 지지 링(support ring)과의 열팽창 계수(coefficient of thermal expansion) 차이에 의한 마스크의 열적 변형(thermal distortion)을 근본적으로 제거하고, 외부의 기계적 스트레스(mechanical stress)에 대한 지지링의 저항(resistance) 능력을 향상시키기 위해 지지링의 이면(the other side)에 마스크 기판과 동일한 재료로 구성되고, 마스크 기판과 동일한 공정 과정을 거친 변형 방지용 보조기판(supporting substrate to protect distortion)을 추가로 부착하여 구성한 X-선 마스크에 관한 것이다.