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公开(公告)号：WO2023080494A1
公开(公告)日：2023-05-11
申请号：PCT/KR2022/016032
申请日：2022-10-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: A61K38/08 , A61K31/407 , A61P29/00 , A61P25/04 , A61K9/00
Abstract: 본 발명은 GR82334를 유효성분으로 포함하는 통증의 예방 또는 치료용 약학적 조성물에 관한 것으로, 구체적으로 본 발명은 GR82334를 유효성분으로 포함하는 통증의 예방 또는 치료용 약학적 조성물; 및 통증이 유발된 개체에 상기 본 발명의 약학적 조성물을 관절강 또는 척수강 내로 투여하는 단계를 포함하는 통증 치료방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020080052250A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020070061440
申请日：2007-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원 , 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L29/0669 , B82Y10/00 , H01L21/02603
Abstract: A method for fabricating a nano wire array device is provided to embody a large-scale nano wire array device even when a nano wire is not parallel with an electrode line by selectively etching a nano wore on a substrate and by patterning an electrode line in a manner that the electrode becomes vertical to the electrode line to improve a probability that the electrode is connected to the nano wire. A nano wire solution including a nano wire(50) is deposited on a substrate. A first etch region of a stripe type is formed on the substrate to pattern the nano wire. A drain electrode line(100) and a source electrode line(200) are formed at both sides of the patterned nano wire, parallel with each other. One end of a plurality of drain electrodes(110) is connected to the drain electrode line wherein the drain electrode comes in contact with at least one nano wire. One end of a plurality of source electrodes(210) is connected to the source electrode line wherein the source electrode comes in contact with the nano wire in contact with the drain electrode. A second etch region is formed between the pair of drain electrodes and source electrodes so that the pair of drain electrodes and source electrodes don't contact each other electrically. An insulation layer(800) is formed on the substrate. A gate electrode(300) is formed on the insulation layer, disposed between the source and drain electrodes in contact with the nano wire.
Abstract translation: 提供一种制造纳米线阵列器件的方法，即使当纳米线不与电极线并联时，通过选择性地蚀刻衬底上的纳米穿孔并且通过将电极线图案化，以体现大规模纳米线阵列器件 电极变得垂直于电极线的方式，以提高电极连接到纳米线的可能性。 包括纳米线（50）的纳米线溶液沉积在基底上。 在衬底上形成条纹型的第一蚀刻区域以对纳米线进行图案化。 在图案化的纳米线的两侧，彼此平行地形成漏电极线（100）和源电极线（200）。 多个漏电极（110）的一端连接到漏极电极线，其中漏电极与至少一个纳米线接触。 多个源极（210）的一端与源电极线连接，源极与漏极接触的纳米线接触。 在一对漏电极和源电极之间形成第二蚀刻区域，使得该对漏电极和源极电极不彼此接触。 在基板上形成绝缘层（800）。 栅电极（300）形成在绝缘层上，设置在与纳米线接触的源极和漏极之间。
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公开(公告)号：KR100877690B1
公开(公告)日：2009-01-08
申请号：KR1020070061440
申请日：2007-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원 , 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 나노 와이어 배열소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 나노와이어 배열소자 제조방법은, (a)기판 상에 나노 와이어가 포함된 나노 와이어 용액을 도포하는 단계; (b)상기 기판 상에 형성된 나노 와이어를 스트라이프 형태로 패터닝하고 기판을 노출시켜 상기 스트라이프 형태의 제 1 식각 영역을 형성하는 단계; (c)상기 패터닝된 나노 와이어를 사이에 두고 드레인 전극선과 소스 전극선을 평행하게 형성하는 단계; (d)일단은 상기 드레인 전극선에 연결되며 적어도 하나의 나노 와이어와 접촉하는 복수의 드레인 전극 및 일단은 상기 소스 전극선에 연결되며 상기 드레인 전극과 접촉하는 나노 와이어에 접촉하는 복수의 소스 전극을 형성하는 단계; (e)한 쌍의 상기 드레인 전극 및 소스 전극 쌍들이 전기적으로 접촉되지 않도록 상기 드레인 전극 및 소스 전극 쌍 사이에 제 2 식각 영역을 형성하는 단계; (f)상기 기판상에 절연층을 형성하는 단계; 및 (g)상기 절연층 상에 상기 나노 와이어와 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면 나노 와이어를 전극선과 평행하게 정렬하지 못하더라도 대규모 나노와이어 배열 소자를 구현할 수 있으므로, 정렬시키기 힘든 나노 와이어를 이용한 집적소자 및 디스플레이에도 본 발명을 적용할 수 있다. 나아가 플렉서블(flexible) 기판을 응용한 소자 분야에도 본 발명을 적용할 수 있다.
나노 와이어, 트랜지스터 어레이, 선택적 식각, 선태적 패터닝
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