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公开(公告)号：KR100889752B1
公开(公告)日：2009-03-24
申请号：KR1020070063121
申请日：2007-06-26
Applicant: 한국전자통신연구원 , 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: B41J2/14314 , F03G7/005 , Y10T428/25
Abstract: 본 발명은 이종 접합막 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서 제 1 도전형을 갖는 제 1 나노 입자를 포함하는 제 1 층; 및 제 2 도전형을 갖는 제 2 나노 입자를 포함하는 제 2 층을 포함하고, 상기 제 1 층과 상기 제 2 층이 접합된 이종 접합막을 제공한다. 본 발명의 이종 접합막은 단일막으로 이루어진 종래의 버키 페이퍼에 비하여 구동 효율이 훨씬 우수할 뿐만 아니라 구동방향의 예측이 가능하고 제조도 간단한 장점이 있다.
이종 접합막, 버키 페이퍼, 탄소 나노튜브, 나노와이어, 바나듐 펜톡사이드-
公开(公告)号：KR1020080052252A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020070061460
申请日：2007-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원 , 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: G02B21/06 , G01N21/21 , G02B21/365 , G02B27/286 , Y10S977/881
Abstract: An optical microscope system for sensing a nano-wire by using a polarizing plate and the Fast Fourier Transform method is provided to enable alignment between a nano-wire sample and a pattern by using an optical microscope. A light source unit(10) generates light and supplies it to a sample for nano-wire element. A rotary polarizing plate(20) is formed on a path of the light provided from the light source unit in order to polarize the light. An optical microscope(30) detects a nano-wire image by using the light polarized in the rotary polarizing plate and inputted into the sample. A CCD camera(31) is formed in one region of the optical microscope in order to photograph and store the nano-wire image detected the optical microscope. A data processing unit(50) performs the Fast Fourier Transform process for the stored nano-wire image through the CCD camera.
Abstract translation: 提供了一种用于通过使用偏振片感测纳米线的光学显微镜系统和快速傅立叶变换方法，以通过使用光学显微镜来使得纳米线样品与图案之间的对准。 光源单元（10）产生光并将其提供给用于纳米线元件的样品。 在从光源单元提供的光的路径上形成旋转偏振板（20）以使光偏振。 光学显微镜（30）通过使用在旋转偏光板中偏振并输入到样品中的光来检测纳米线图像。 在光学显微镜的一个区域中形成CCD摄像机（31），以便拍摄和存储检测到的纳米线图像的光学显微镜。 数据处理单元（50）通过CCD照相机对存储的纳米线图像执行快速傅立叶变换处理。
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公开(公告)号：KR100877690B1
公开(公告)日：2009-01-08
申请号：KR1020070061440
申请日：2007-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원 , 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 나노 와이어 배열소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 나노와이어 배열소자 제조방법은, (a)기판 상에 나노 와이어가 포함된 나노 와이어 용액을 도포하는 단계; (b)상기 기판 상에 형성된 나노 와이어를 스트라이프 형태로 패터닝하고 기판을 노출시켜 상기 스트라이프 형태의 제 1 식각 영역을 형성하는 단계; (c)상기 패터닝된 나노 와이어를 사이에 두고 드레인 전극선과 소스 전극선을 평행하게 형성하는 단계; (d)일단은 상기 드레인 전극선에 연결되며 적어도 하나의 나노 와이어와 접촉하는 복수의 드레인 전극 및 일단은 상기 소스 전극선에 연결되며 상기 드레인 전극과 접촉하는 나노 와이어에 접촉하는 복수의 소스 전극을 형성하는 단계; (e)한 쌍의 상기 드레인 전극 및 소스 전극 쌍들이 전기적으로 접촉되지 않도록 상기 드레인 전극 및 소스 전극 쌍 사이에 제 2 식각 영역을 형성하는 단계; (f)상기 기판상에 절연층을 형성하는 단계; 및 (g)상기 절연층 상에 상기 나노 와이어와 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면 나노 와이어를 전극선과 평행하게 정렬하지 못하더라도 대규모 나노와이어 배열 소자를 구현할 수 있으므로, 정렬시키기 힘든 나노 와이어를 이용한 집적소자 및 디스플레이에도 본 발명을 적용할 수 있다. 나아가 플렉서블(flexible) 기판을 응용한 소자 분야에도 본 발명을 적용할 수 있다.
나노 와이어, 트랜지스터 어레이, 선택적 식각, 선태적 패터닝-
公开(公告)号：KR1020080052254A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020070063121
申请日：2007-06-26
Applicant: 한국전자통신연구원 , 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: B41J2/14314 , F03G7/005 , Y10T428/25
Abstract: A heterojunction layer is provided to predict the bending direction of an electric field by forming a heterojunction layer capable of predicting a driving direction. A heterojunction layer(100) includes a first layer(110) including first nano particles of a first conductivity type and a second layer(120) including second nano particles of a second conductivity type wherein the first layer is bonded to the second layer. The aspect ratio of the first and second nano particles can be not less than 30. The first nano particles can be V2O5, and the second nano particles can be a carbon nano tube.
Abstract translation: 提供异质结层以通过形成能够预测驱动方向的异质结层来预测电场的弯曲方向。 异质结层（100）包括第一层（110），其包括第一导电类型的第一纳米颗粒和包括第二导电类型的第二纳米颗粒的第二层（120），其中第一层结合到第二层。 第一和第二纳米颗粒的纵横比可以不小于30.第一纳米颗粒可以是V 2 O 5，第二纳米颗粒可以是碳纳米管。
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公开(公告)号：KR100932898B1
公开(公告)日：2009-12-21
申请号：KR1020070077171
申请日：2007-07-31
Applicant: 한국전자통신연구원 , 고려대학교 산학협력단
IPC: B82B3/00 , H01L21/027
Abstract: A formation method of ZnO nanowire network pattern is provided to form ZnO nanowire network pattern and device of a desired shape and size at a low temperature with a stable yield by using a lithographic process and a sol-gel method. A formation method of ZnO nanowire network pattern comprises steps of: forming a photoresist pattern exposing a part of a substrate on the substrate; molding the ZnO nanowire network on a photoresist pattern and an exposed part of the substrate by a sol-gel method; and removing the photoresist pattern and forming the ZnO nanowire network pattern on the substrate. The step for forming the photoresist pattern comprises steps of: coating a photoresist on the substrate; exposing the photoresist; and developing the exposed photoresist.
Abstract translation: 提供一种ZnO纳米线网络图案的形成方法，以通过使用光刻工艺和溶胶 - 凝胶方法在低温下以稳定的产率形成期望形状和尺寸的ZnO纳米线网络图案和器件。 一种ZnO纳米线网络图案的形成方法，包括以下步骤：在基板上形成暴露部分基板的光刻胶图案; 通过溶胶 - 凝胶方法将ZnO纳米线网络模制在光刻胶图案和衬底的暴露部分上; 并去除光致抗蚀剂图案并在衬底上形成ZnO纳米线网状图案。 形成光刻胶图案的步骤包括以下步骤：在衬底上涂覆光刻胶; 暴露光致抗蚀剂; 并显影曝光的光刻胶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080052251A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020070061450
申请日：2007-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원 , 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/0274 , B82Y40/00 , G03F7/70283 , G03F7/705
Abstract: A method for manufacturing an electronic device using a nanowire is provided to reduce a manufacturing cost and a manufacturing time for the electronic device by reducing a process using an E-beam. An electrode is formed on a substrate(S11). Plural nanowires are applied on the substrate on which the electrode is formed(S12). An image with respect to the substrate on which the nanowire and the electrode are formed is captured(S13). A virtual connection line connecting the nanowire to the electrode is drawn on the image by using an electrode pattern simulated through a computer program(S14). A photoresist for an E-beam is applied onto the substrate(S15). The photoresist formed on a position corresponding to the virtual connection line and the electrode pattern is removed by an E-beam lithography process(S16). A metal layer is deposited on the substrate(S17). The photoresist remaining on the substrate is removed by a lift-off process(S18).
Abstract translation: 提供一种使用纳米线制造电子装置的方法，通过减少使用电子束的处理来降低电子装置的制造成本和制造时间。 在基板上形成电极（S11）。 在形成电极的基板上施加多个纳米线（S12）。 拍摄相对于其上形成有纳米线和电极的基板的图像（S13）。 通过使用通过计算机程序模拟的电极图案，在图像上画出将纳米线连接到电极的虚拟连接线（S14）。 将用于电子束的光致抗蚀剂施加到基板上（S15）。 通过电子束光刻处理去除在与虚拟连接线和电极图案对应的位置上形成的光致抗蚀剂（S16）。 在基板上沉积金属层（S17）。 通过剥离工艺去除残留在基板上的光致抗蚀剂（S18）。
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公开(公告)号：KR1020080052250A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020070061440
申请日：2007-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원 , 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L29/0669 , B82Y10/00 , H01L21/02603
Abstract: A method for fabricating a nano wire array device is provided to embody a large-scale nano wire array device even when a nano wire is not parallel with an electrode line by selectively etching a nano wore on a substrate and by patterning an electrode line in a manner that the electrode becomes vertical to the electrode line to improve a probability that the electrode is connected to the nano wire. A nano wire solution including a nano wire(50) is deposited on a substrate. A first etch region of a stripe type is formed on the substrate to pattern the nano wire. A drain electrode line(100) and a source electrode line(200) are formed at both sides of the patterned nano wire, parallel with each other. One end of a plurality of drain electrodes(110) is connected to the drain electrode line wherein the drain electrode comes in contact with at least one nano wire. One end of a plurality of source electrodes(210) is connected to the source electrode line wherein the source electrode comes in contact with the nano wire in contact with the drain electrode. A second etch region is formed between the pair of drain electrodes and source electrodes so that the pair of drain electrodes and source electrodes don't contact each other electrically. An insulation layer(800) is formed on the substrate. A gate electrode(300) is formed on the insulation layer, disposed between the source and drain electrodes in contact with the nano wire.
Abstract translation: 提供一种制造纳米线阵列器件的方法，即使当纳米线不与电极线并联时，通过选择性地蚀刻衬底上的纳米穿孔并且通过将电极线图案化，以体现大规模纳米线阵列器件 电极变得垂直于电极线的方式，以提高电极连接到纳米线的可能性。 包括纳米线（50）的纳米线溶液沉积在基底上。 在衬底上形成条纹型的第一蚀刻区域以对纳米线进行图案化。 在图案化的纳米线的两侧，彼此平行地形成漏电极线（100）和源电极线（200）。 多个漏电极（110）的一端连接到漏极电极线，其中漏电极与至少一个纳米线接触。 多个源极（210）的一端与源电极线连接，源极与漏极接触的纳米线接触。 在一对漏电极和源电极之间形成第二蚀刻区域，使得该对漏电极和源极电极不彼此接触。 在基板上形成绝缘层（800）。 栅电极（300）形成在绝缘层上，设置在与纳米线接触的源极和漏极之间。
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公开(公告)号：KR1020090012929A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：KR1020070077171
申请日：2007-07-31
Applicant: 한국전자통신연구원 , 고려대학교 산학협력단
IPC: B82B3/00 , H01L21/027
CPC classification number: B82B3/0004 , B82B3/0009 , H01L21/0273 , H01L21/0274
Abstract: A formation method of ZnO nanowire network pattern is provided to form ZnO nanowire network pattern and device of a desired shape and size at a low temperature with a stable yield by using a lithographic process and a sol-gel method. A formation method of ZnO nanowire network pattern comprises steps of: forming a photoresist pattern exposing a part of a substrate on the substrate; molding the ZnO nanowire network on a photoresist pattern and an exposed part of the substrate by a sol-gel method; and removing the photoresist pattern and forming the ZnO nanowire network pattern on the substrate. The step for forming the photoresist pattern comprises steps of: coating a photoresist on the substrate; exposing the photoresist; and developing the exposed photoresist.
Abstract translation: 提供ZnO纳米线网络图案的形成方法，通过使用平版印刷法和溶胶 - 凝胶法在低温下形成所需形状和尺寸的ZnO纳米线网络图案和器件，其产率稳定。 ZnO纳米线网络图案的形成方法包括以下步骤：形成曝光衬底上的一部分衬底的光刻胶图案; 通过溶胶 - 凝胶法在光致抗蚀剂图案和基底的暴露部分上模制ZnO纳米线网络; 并去除光致抗蚀剂图案并在衬底上形成ZnO纳米线网络图案。 用于形成光致抗蚀剂图案的步骤包括以下步骤：在基底上涂覆光致抗蚀剂; 曝光光刻胶; 并显影曝光的光致抗蚀剂。
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公开(公告)号：KR100848033B1
公开(公告)日：2008-07-24
申请号：KR1020070061460
申请日：2007-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원 , 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: G02B21/06 , G01N21/21 , G02B21/365 , G02B27/286 , Y10S977/881
Abstract: 본 발명은 나노선을 포함하는 전자 소자를 제작함에 있어, 기존의 광학 현미경 시스템을 이용할 수 있도록 회전 편광판과 고속푸리에변환을 사용하여 나노선 감지용 광학 현미경 시스템을 고안한 것에 관한 것이다. 본 광학 현미경 시스템은 광원을 생성하여 상기 생성된 광원을 나노선 소자용 시료에 제공하는 광원부; 상기 광원부에서 제공된 상기 광원의 경로 상에 마련되며 상기 나노선의 광학적 이방성을 이용하여 상기 나노선 소자용 시료에 입사되는 광원의 편광 방향을 변조시키는 회전 편광판; 상기 회전 편광판에서 편광되어 상기 나노선 소자용 시료에 입사된 광원을 이용하여 상기 나노선 영상을 검출하는 광학 현미경; 상기 광학 현미경의 일 영역에 마련되어 상기 광학 현미경에서 검출된 상기 나노선 영상을 촬영하여 저장하는 CCD 카메라; 및 상기 CCD 카메라를 통해 저장된 상기 나노선 영상을 고속 푸리에 변환 처리하는 데이터 처리부를 포함한다. 이에 따라, 나노선의 광학적 이방성으로 인하여 나노선에 입사하는 빛의 편광 방향에 따라 반사광의 세기가 변화한다. 일정한 주기로 회전하는 편광판을 통과한 광원을 나노선에 입사한 후 반사광 이미지를 일정 시간 간격으로 얻은 후 영상을 각 픽셀별로 고속푸리에변환 처리함으로 나노미터 선폭을 갖는 나노선의 영상을 뚜렷하게 얻을 수 있다.
나노선, 나노소자, 편광, 이방성, 광학 현미경, 고속푸리에변환, 고분해능-
公开(公告)号：KR101736911B1
公开(公告)日：2017-05-19
申请号：KR1020100124374
申请日：2010-12-07
CPC classification number: G01S15/04 , G01S7/52003 , G01S15/89
Abstract: 본발명은음원발생장치와어레이형태의음향측정장치로부터얻은음향신호로부터얻은음향이미지를이용하여설정된보안공간에서의침입물체의유무및 그위치를판단하고침입물체위치에서발생하는소리를모니터링하는침입자보안감시방법에관한것이다. 본발명에의하면, 음향신호를발생시키는음향발생장치, 음향신호를수신하는복수의음향측정장치, 및복수의음향측정장치가수신한음향신호로부터빔포밍알고리즘을이용하여음향이미지를생성하고침입전의음향이미지와침입후의음향이미지를비교하여침입자의위치정보를결정하는음향이미지처리장치를포함하는빔포밍음향이미징을이용한보안감시시스템이제공된다.
Abstract translation: 本发明攻击者来确定声源生成单元和存在或不存在的侵入物体eseoui安全空间的阵列图案通过使用从声学测量装置获得的声音信号和它的位置和所获得的声音图像设置为监视从侵入物体的位置的安全来的声音 还有一种监测方法。 之前通过使用波束形成算法和侵袭从信号产生声音图像。根据本发明，声音产生装置，用于接收声音信号的多个声学测量装置的，和多个声学测量装置歌手新韩声学声音以生成声音信号 使用波束形成声成像的安全监控系统包括声学图像处理装置的图像和图像的断裂声音后进行比较，以确定被提供攻击者的位置信息。
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