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公开(公告)号：KR1020110068800A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：KR1020100062020
申请日：2010-06-29
Abstract: PURPOSE: A method for establishing a relay location is provided to set an initial parameter of the relay device and a installation location of a repeater by detecting a shadow area within a cell in a base station. CONSTITUTION: A base station detects a shadow areas based on a preamble measurement value of a terminal(S310). The base station presumes a signal strength of a terminal spot based on the preamble measured value. The base station compares a presumed signal strength with a reference signal intensity. The base station establishes an installation position of a relay covering up the detected shadow area(S320).
Abstract translation: 目的：提供一种用于建立中继位置的方法，用于通过检测基站中的小区内的阴影区域来设置中继设备的初始参数和中继器的安装位置。 构成：基站基于终端的前导码测量值来检测影子区域（S310）。 基站假设基于前导码测量值的终端点的信号强度。 基站将推定的信号强度与参考信号强度进行比较。 基站建立覆盖检测到的阴影区域的继电器的安装位置（S320）。
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公开(公告)号：KR101624332B1
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：KR1020100062020
申请日：2010-06-29
Abstract: 기지국이중계기의설치위치를설정하는방법을제공한다. 중계기위치설정방법에따르면복수의단말로부터프리앰블측정값을수신하고, 상기프리앰블측정값에기초하여각 단말의위치에서의신호세기를추정하며, 상기신호세기가미리설정된기준신호세기이하인단말이위치하는영역을음영지역으로판단하고, 상기음영지역을커버하도록중계기의설치위치를설정한다.
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公开(公告)号：KR1020120106115A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：KR1020110023990
申请日：2011-03-17
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: An IoT(Interference over Thermal) control method for OFDMA(Orthogonal Frequency Division Multiple Access) based wireless mesh network is provided to efficiently control the amount of interference and to perform power control. CONSTITUTION: A request node(R60) measures a preamble signal(S63). The request node calculates the reception power of the preamble signal from a target node based on the measured preamble signal(S64). The request node calculates SIR(Signal-to-Interference Ratio) of the target node through the reception power of the calculated preamble signal(S66). The request node determines transmission power of the target node based on the calculated SIR(S67). [Reference numerals] (S61) Request; (S62) Grant; (S63) Calculating a preamble signal which is received from various grant nodes; (S64) Calculating the reception power of the preamble signal from the grant node positioned at 1-hop; (S65) Calculating sum of a preamble reception power which is received from the grant node at 2-hop; (S66) Calculating SIRn from a control channel of each node at1-hop; (S67) Calculating transmission power per sub carrier when transmitting a data channel to the node n; (S68) Confirm
Abstract translation: 目的：提供一种基于OFDMA（正交频分多址）的无线网状网络的IoT（干扰热）控制方法，以有效地控制干扰量并执行功率控制。 构成：请求节点（R60）测量前置信号（S63）。 请求节点基于测量的前导信号来计算来自目标节点的前导码信号的接收功率（S64）。 请求节点通过所计算的前导信号的接收功率来计算目标节点的SIR（信号与干扰比）（S66）。 请求节点基于计算出的SIR来确定目标节点的传输功率（S67）。 （附图标记）（S61）请求; （S62）拨款; （S63）计算从各种授权节点接收的前导信号; （S64）从位于1跳的授权节点计算前导码信号的接收功率; （S65）计算从授权节点在2跳接收的前导码接收功率的和; （S66）从1跳的每个节点的控制信道计算SIRn; （S67）当向节点n发送数据信道时，计算每个子载波的发射功率; （S68）确认
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公开(公告)号：KR1019990085618A
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019980018166
申请日：1998-05-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 텅스텐 실리사이드 증착공정에서 반응가스를 안정적인 수준으로 유지하기 위하여, 증착단계가 완료된 직후, 캐리어 가스라인들 및 상기 챔버 내부의 오염물을 제거하는 단계를 수행한다. 이 단계는 캐리어 가스를 챔버로 공급하되, 실리콘 소스 가스를 위한 캐리어 가스라인은 진공상태로 만든다. 이 단계 후에, 클리닝 가스를 챔버로 공급하여 플라즈마를 형성시킬 수 있도록 챔버 내부의 환경을 만들고, 플라즈마를 형성시키는 단계를 실시하고, 실리콘 소스 가스와 반응하기 위한 반응 가스가 흐르는 반응 가스라인을 진공상태로 만들어 반응 가스라인 및 챔버 내의 오염물들을 제거하는 단계를 수행한다. 또한, 본 발명의 목적은 챔버에 클리닝 가스를 공급하되, 증착공정을 수행할 때 클리닝 가스가 반응 가스라인 및 캐리어 가스라인에 잔존하여 증착공정에서 오염물로 작용되지 않도록 하는 수단을 갖는 증착시스템에 의해서도 성취될 수 있다.
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公开(公告)号：KR100696375B1
公开(公告)日：2007-03-19
申请号：KR1020050002287
申请日：2005-01-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박동찬
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 기판(wafer)의 저면을 지지하는 세라믹볼들을 갖는 베이크 장치에 관한 것으로, 본 발명의 베이크 장치는 가열판; 상기 가열판에 형성되는 적어도 3개의 장착홈들; 상기 장착홈들 각각에 설치되어 기판 저면을 지지하는 세라믹 볼과; 상기 세라믹 볼이 상기 장착홈으로부터 이탈되지 않도록 상기 세라믹 볼을 고정하는 고정부재를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060081853A
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：KR1020050002287
申请日：2005-01-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박동찬
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/168 , H01L21/67103
Abstract: 본 발명은 기판(wafer)의 저면을 지지하는 세라믹볼들을 갖는 베이크 장치에 관한 것으로, 본 발명의 베이크 장치는 가열판; 상기 가열판에 형성되는 적어도 3개의 장착홈들; 상기 장착홈들 각각에 설치되어 기판 저면을 지지하는 세라믹 볼과; 상기 세라믹 볼이 상기 장착홈으로부터 이탈되지 않도록 상기 세라믹 볼을 고정하는 고정부재를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有用于支撑晶片底面的陶瓷球的烘烤设备，本发明的烘烤设备包括加热板; 在加热板上形成至少三个安装槽; 陶瓷球，安装在每个安装槽中并支撑基板的底表面; 以及用于固定陶瓷球以使陶瓷球不与安装槽分离的固定构件。
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公开(公告)号：KR1020030079134A
公开(公告)日：2003-10-10
申请号：KR1020020017951
申请日：2002-04-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/00
Abstract: PURPOSE: A nozzle of a semiconductor coating equipment is provided to be capable of preventing the contamination of a chemical jet pipe due to chemical residuals. CONSTITUTION: A nozzle of a semiconductor coating equipment is provided with a body(21) connected with a chemical supply line(22) and a rinse solution supply line(23), a chemical supply hole(24) formed in the body for being connected to the chemical supply line, a dispense tip(27) installed at the lower portion of the body for being connected to the chemical supply hole, a groove(25) formed at the peripheral portion of the dispense tip, and a rinse solution hole(26) formed in the body for connecting the rinse solution supply line with the groove. At this time, the groove is partially blocked for uniformly flowing rinse solution to the whole dispense tip.
Abstract translation: 目的：提供半导体涂层设备的喷嘴，以防止化学残留物引起的化学喷射管的污染。 构成：半导体涂层设备的喷嘴设置有与化学品供应管线（22）和冲洗溶液供应管线（23）连接的主体（21），形成在主体中用于连接的化学品供应孔（24） 在化学品供给管路上，设置在主体的下部连接到化学品供给孔的分配头（27），形成在分注头的周边部的槽（25）和冲洗溶液孔（ 26），其形成在主体中，用于将冲洗溶液供应管线与槽连接。 此时，凹槽部分被阻塞，以使冲洗溶液均匀地流动到整个分配尖端。
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公开(公告)号：KR1020060088730A
公开(公告)日：2006-08-07
申请号：KR1020050009679
申请日：2005-02-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205 , H01L21/68
CPC classification number: C23C16/4585 , H01L21/67253 , H01L21/68714
Abstract: 커버부의 위치를 감지할 수 있는 반도체기판 로딩장치 및 커버부가 정해진 위치에 제대로 놓여져 있는 지를 감지하는 방법에 대해 개시한다. 그 장치 및 방법은 페데스탈 단부의 상측에 설치되어 반도체기판의 단부의 손상을 방지해주는 커버부 및 커버부의 하면과 연결되어 페데스탈 내부에 진공유로를 형성할 수 있는 진공형성부를 포함한다.
페데스탈, 커버부, 진공형성부, 진공유로-
公开(公告)号：KR100280621B1
公开(公告)日：2001-03-02
申请号：KR1019980018166
申请日：1998-05-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 텅스텐 실리사이드 증착공정에서 반응가스를 안정적인 수준으로 유지하기 위하여, 증착단계가 완료된 직후, 캐리어 가스라인들 및 상기 챔버 내부의 오염물을 제거하는 단계를 수행한다. 이 단계는 캐리어 가스를 챔버로 공급하되, 실리콘 소스 가스를 위한 캐리어 가스라인은 진공상태로 만든다. 이 단계 후에, 클리닝 가스를 챔버로 공급하여 플라즈마를 형성시킬 수 있도록 챔버 내부의 환경을 만들고, 플라즈마를 형성시키는 단계를 실시하고, 실리콘 소스 가스와 반응하기 위한 반응 가스가 흐르는 반응 가스라인을 진공상태로 만들어 반응 가스라인 및 챔버 내의 오염물들을 제거하는 단계를 수행한다. 또한, 본 발명의 목적은 챔버에 클리닝 가스를 공급하되, 증착공정을 수행할 때 클리닝 가스가 반응 가스라인 및 캐리어 가스라인에 잔존하여 증착공정에서 오염물로 작용되지 않도록 하는 수단을 갖는 증착시스템에 의해서도 성취될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019990011468A
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR1019970034572
申请日：1997-07-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 금속배선의 표면에 플라즈마 처리를 실시하여 반사율을 개선한 금속 배선의 패터닝 방법에 관하여 개시한다. 이를 위하여 본 발명은, 하부층이 형성된 반도체 기판에 층간절연막을 기재하고 금속층을 적층하는 단계와, 금속층의 표면을 플라즈마 처리하여 표면의 반사율을 조절하는 단계와, 금속층 위에 사진 및 식각공정을 진행하여 금속 패턴을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반사율을 개선한 금속배선의 패터닝 방법을 제공한다. 여기서, 플라즈마 처리는 화학소스로 산소(O
2 ), 질소(N
2 ), 산화질소(N
2 O), 질소와 암모니아(NH
3 )의 혼합가스 및 실란(SiH
4 ) 중에서 하나를 사용하고, 이러한 화학소스를 챔버에 1000∼3000 sccm 공급한 상태에서, 챔버 압력을 1∼5 Torr, 챔버 온도를 200∼400℃의 범위에서 조절하고, RF 파워를 고주파인 경우 100∼1800 watt, 저주파인 경우 100∼600 watt의 범위 내에서 조절하여 플라즈마 처리를 진행하는 것이 적합하다. 이러한 플라즈마 처리는 20∼50초의 시간동안 진행한다.
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