公开(公告)号：WO2022080655A1

公开(公告)日：2022-04-21

申请号：PCT/KR2021/011592

申请日：2021-08-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최형준 ,  전희식 ,  김형수 ,  류종엽 ,  손유선 ,  양도준

IPC: G06F3/16 ,  G06F9/455 ,  G06F13/40 ,  G06F21/31 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 전자 장치 및 이의 제어 방법이 개시된다. 본 개시의 전자 장치는 마이크, 적어도 하나의 인스트럭션을 저장하는 메모리 및 적어도 하나의 인스트럭션을 실행하는 프로세서를 포함하고, 프로세서는 적어도 하나의 인스트럭션을 실행함으로써, 호스트 운영체제 상에서, 마이크를 통해 입력된 제1 사용자 음성에 대응되는 제1 명령어 세트를 획득하고 획득된 제1 명령어 세트를 실행하고, 제1 명령어 세트를 실행하는 동안 제1 사용자 음성과 상이한 사용자 명령이 입력되면, 브릿지 모듈을 통해 가상 머신 상에서 제1 명령어 세트를 실행할 수 있는지 여부를 식별하고, 식별 결과에 기초하여, 브릿지 모듈을 통해, 제1 명령어 세트 중 호스트 운영체제 상에서 실행되지 않은 명령어를 가상 머신 상에서 실행하고, 사용자 명령에 대응되는 동작을 호스트 운영체제 상에서 실행할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020140055741A

公开(公告)日：2014-05-09

申请号：KR1020120122989

申请日：2012-11-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형수 ,  이진수 ,  권호준 ,  박동균 ,  이지승 ,  최영석

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L28/91

Abstract: A manufacturing method of a capacitor of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention comprises forming a mold structure and a polysilicon pattern on a semiconductor substrate in order; forming lower electrode holes passing through the mold structure by using the polysilicon pattern as an etching mask; forming a protective film covering the polysilicon pattern; forming lower electrodes in the lower electrode holes with the protective film; exposing the upper sidewalls of the lower electrodes by removing the polysilicon pattern and the protective film; exposing the lower sidewalls of the lower electrodes by removing the mold structure; and forming a dielectric film covering the surface of the lower electrodes and an upper electrode in order.

Abstract translation: 根据本发明的实施例的半导体器件的电容器的制造方法包括在半导体衬底上依次形成模具结构和多晶硅图案; 通过使用多晶硅图案作为蚀刻掩模形成穿过模具结构的下电极孔; 形成覆盖多晶硅图案的保护膜; 用保护膜在下电极孔中形成下电极; 通过去除多晶硅图案和保护膜来暴露下电极的上侧壁; 通过移除模具结构暴露下部电极的下侧壁; 以及依次形成覆盖下电极表面和上电极的电介质膜。

公开(公告)号：KR1020140016598A

公开(公告)日：2014-02-10

申请号：KR1020120083377

申请日：2012-07-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형수 ,  김준 ,  유원석

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/027 ,  G03F9/708 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L21/0273 ,  H01L2924/00

Abstract: Provided is a method of manufacturing a semiconductor device. The method of manufacturing a semiconductor device includes a step of forming an etch object layer on a substrate where an align key is formed, a step of forming transparent first patterns on the position of the etch object layer in a position corresponding to the align key, a step of forming an opaque second pattern which is adjacent to the first patterns on the etch object layer, and a step of etching the etch object layer by using the first and the second patterns as an etch mask.

Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法。 制造半导体器件的方法包括在形成对准键的衬底上形成蚀刻对象层的步骤，在与对准键对应的位置上在蚀刻对象层的位置上形成透明的第一图案的步骤， 形成与蚀刻对象层上的第一图案相邻的不透明第二图案的步骤，以及通过使用第一图案和第二图案作为蚀刻掩模蚀刻蚀刻对象层的步骤。

公开(公告)号：KR101236388B1

公开(公告)日：2013-02-22

申请号：KR1020060109405

申请日：2006-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형수

IPC: G02B26/10

CPC classification number: G02B26/125 ,  G02B13/0005 ,  G02B27/0031 ,  H04N1/1135 ,  H04N2201/0082

Abstract: f-θ 렌즈 배치오차에 의한 주사면에서의 주사선 곡률에 대한 민감도가 개선된 구조의 광주사유니트 및 이를 이용한 화상형성장치가 개시되어 있다.
이 개시된 광주사유니트는 이미지 신호에 대응되는 적어도 하나의 빔을 생성 조사하는 광원과; 광원에서 조사된 빔을 편향 주사시키는 빔편향기와; 빔편향기에서 편향된 광속을 피주사면 상에 주사 결상하는 것으로 1매의 렌즈로 구성된 f-θ 렌즈;를 구비하며, 하기의 조건식을 만족하는 것을 특징으로 한다.


0 1 /R
2 1 는 f-θ 렌즈의 중심 두께를 나타낸 것이며, R
1 은 입사면의 곡률반경이고, R
2 는 출사면의 곡률반경을 나타낸 것이다.

公开(公告)号：KR1020090040050A

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：KR1020070105618

申请日：2007-10-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정재교 ,  이주범 ,  김도형 ,  김형수

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76837 ,  H01L27/10855

Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to prevent the diffusion of the oxygen from an interlayer dielectric layer while forming the interlayer dielectric layer using TOSZ by applying an oxide preventing layer and a spacer as a dual oxidation preventing structure for a conductive wiring. A first interlayer dielectric layer(110) is formed on a substrate(100) with a contact region. Conductive wirings are formed on the first interlayer dielectric layer. The spacer is formed on the side walls of conductive wirings. An oxidation preventing layer(140) is formed on the first interlayer dielectric layer and the conductive wirings. A second interlayer dielectric layer(145) is formed on the oxidation preventing layer. The oxidation preventing layer is formed by using HDP-CVD oxide. The second interlayer dielectric layer is formed by using the TOSZ(ploysilasane).

Abstract translation: 提供了一种用于制造半导体器件的方法，以在通过施加氧化物防止层和间隔物作为导电布线的双重氧化防止结构的同时使用TOSZ形成层间电介质层的同时，防止来自层间电介质层的氧的扩散。 在具有接触区域的基板（100）上形成第一层间介质层（110）。 在第一层间电介质层上形成导电布线。 间隔件形成在导电布线的侧壁上。 在第一层间电介质层和导电布线上形成氧化防止层（140）。 在氧化防止层上形成第二层间介质层（145）。 通过使用HDP-CVD氧化物形成氧化防止层。 通过使用TOSZ（有机硅烷）形成第二层间电介质层。

公开(公告)号：KR1020070054343A

公开(公告)日：2007-05-29

申请号：KR1020050112241

申请日：2005-11-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형수 ,  유재환 ,  서운호 ,  윤인호 ,  김세태 ,  이종민

IPC: H01S3/10

CPC classification number: G02B26/123

Abstract: 레이저 빔을 각각 조사하는 복수의 발광부를 가지는 광원과;
발광부에서 조사된 복수의 레이저 빔 각각을 감광체의 주주사방향으로 편향 주사시키는 빔 편향기;를 포함하며,
복수의 발광부는 광원의 출사면 상의 일 직선 상에 배열되는 것으로, 감광체의 이동방향인 부주사방향에 대응되는 출사면 상의 일 선분과 발광부를 이은 선분 사이의 각도 A가 0°초과 35°이하 또는 55°내지 80°사이의 값을 가지는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100708179B1

公开(公告)日：2007-04-17

申请号：KR1020050086243

申请日：2005-09-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형수 ,  김우규

IPC: G03G15/04

CPC classification number: G02B26/123 ,  B41J2/473 ,  G02B26/124 ,  G02B26/125

Abstract: 본 발명에 의하면, 탠덤형 광주사장치가 개시된다. 상기 탠덤형 광주사장치는, 서로 다른 감광드럼 상에 주주사 방향으로 서로 다른 광빔들을 주사하여 라인 형상의 주사선을 형성하는 탠덤형 광주사장치로서, 광원수단, 광원수단의 출광 경로 상에서 회전 구동되는 것으로, 그 회전축과 평행한 부주사 평면 내에서 소정의 사잇각을 갖고 경사 입사되는 서로 다른 광빔들을 동시에 편향시키는 빔편향기 및 빔편향기에서 편향 반사된 광빔들을 각각 대응되는 감광드럼 상에 결상시키는 주사광학렌즈를 포함하되, 주사광학렌즈는 주사선의 만곡 특성을 보정하기 위하여, 비구면으로 구성된 적어도 하나 이상의 부주사 단면을 갖는 것을 특징으로 한다. 개시된 탠덤형 광주사장치에 의하면, 제조원가 및 구동효율 측면에서 유리한 경사입사광학계가 적용되면서도 주사선의 왜곡 내지 만곡 현상이 개선된다.

Abstract translation: 根据本发明，公开了一种串联式光学扫描装置。 作为由串联型光州老板值的注射，不同的光敏到在滚筒上的主扫描方向不同的光束是一个串联型光扫描单元，以形成的扫描线的线状，可旋转地驱动的光源装置，光源装置的出射光路上， 在并行区和旋转扫描平面的其轴线包括已经彼此形成预定夹角离轴分别对应于所述偏转的感光鼓上的图像​​反射的从bimpyeon风味和bimpyeon香味光束用于偏置其他光束在同一时间是扫描光学透镜 扫描光学透镜具有至少一个配置为非球面的副扫描部分，以校正扫描线的曲率特性。 根据所公开的串联型光学扫描装置，在应用在制造成本和驱动效率方面有利的倾斜入射光学系统的同时，改善了扫描线的畸变或曲率。

公开(公告)号：KR100657787B1

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：KR1020050044878

申请日：2005-05-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형수 ,  장경태 ,  김민 ,  이현덕 ,  이주범 ,  김대웅

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/8247

Abstract: 반도체 장치의 제조 방법에서, 반도체 기판을 노출시키는 상기 버퍼 산화막 패턴 및 제1 하드 마스크막 패턴 사이의 공간과 상기 패턴들 하부의 트렌치를 매립하는 예비 소자분리막을 형성한다. 상기 예비 소자분리막의 상부 측벽을 노출시키기 위해 상기 제1 하드 마스크막 패턴의 일부를 식각하여 상기 제1 하드 마스크막 패턴을 제2 하드 마스크막 패턴으로 전환한다. 상기 제2 하드 마스크막 패턴 상에 돌출된 상기 예비 소자분리막의 상부면에 형성된 희생막 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 돌출된 예비 소자분리막의 상부 측벽을 식각함으로써 상기 예비 소자분리막의 돌출 부위의 선폭이 감소된 소자분리막을 형성한다. 따라서, 상기 기판 상에 돌출된 상기 소자분리막 사이의 폭을 넓힘으로써 상기 소자분리막 사이에 형성되는 물질막에 발생할 수 있는 보이드를 감소시킬 수 있다.

Abstract translation: 在制造半导体器件的方法，形成缓冲氧化膜图案和与所述半导体衬底暴露在第一硬掩模图案之间的沟槽的下部的图案嵌入的空间中的预隔离膜。 蚀刻第一硬掩模膜图案的一部分以暴露备用元件隔离膜的上侧壁，以将第一硬掩模膜图案转换成第二硬掩模膜图案。 第二硬掩模图案到初步隔离膜的突出部线宽通过使用形成在上表面作为蚀刻掩模的牺牲层的图案，蚀刻所述挤出的预隔离膜的上侧壁用于投射预隔离膜 由此形成减少元件隔离膜。 因此，通过增大在基板上突出的器件隔离膜之间的宽度，可以减少在器件隔离膜之间形成的材料膜中可能出现的空隙。

公开(公告)号：KR1020060115844A

公开(公告)日：2006-11-10

申请号：KR1020050038242

申请日：2005-05-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형수

IPC: G03G15/04

Abstract: An optical scanning device for an imaging apparatus and a method for controlling the optical scanning device are provided to perform the printing of a multi-color image and have a simple structure. A plurality of F-theta lenses(20a-20d) is installed to correspond to respective light sources(1a-1d). Each of the F-theta lenses(20a-20d) has the optical power of certain amplitude according to a scanning direction and a sub-scanning direction of light. Each of the F-theta lenses(20a-20d) is installed to be movable according to the sub-scanning direction, and is installed to be capable of being rotated centering around a rotary axis horizontal with the scanning direction when a valid range of the F-theta lenses(20a-20d) is within a range capable of including a scanning range of light scanned on a scanned surface.

Abstract translation: 提供了一种用于成像装置的光学扫描装置和用于控制光学扫描装置的方法以执行多色图像的打印并且具有简单的结构。 多个F-theta透镜（20a-20d）安装成对应于各个光源（1a-1d）。 每个F-theta透镜（20a-20d）根据扫描方向和副扫描方向具有一定幅度的光焦度。 每个F-theta透镜（20a-20d）安装成可以根据副扫描方向移动，并且被安装成能够围绕旋转轴线以扫描方向水平旋转，当有效范围 F-theta透镜（20a-20d）在能够包括在扫描表面上扫描的光的扫描范围的范围内。

公开(公告)号：KR100611306B1

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：KR1020050063780

申请日：2005-07-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형수 ,  장경남

IPC: G03G15/04

Abstract: 복수의 감광체에 광을 동시 결상하는 복수의 광원을 구비하는 광주사장치 및 그것을 구비하는 화상형성장치가 개시된다. 광주사장치는, 복수의 광원, 광원에서 출사된 광을 각각 다른 방향으로 편향시키는 제1광편향기, 및 제1광편향기에서 편향된 광의 오차를 보정하는 복수의 주사렌즈, 및 주사렌즈를 통과한 광을 각각 복수의 피주사면으로 반사하는 복수의 반사미러를 구비하는 제1광학계; 및 복수의 광원, 광원에서 출사된 광을 각각 다른 방향으로 편향시키는 제2광편향기, 및 제2광편향기에서 편향된 광의 오차를 보정하는 복수의 주사렌즈, 및 주사렌즈를 통과한 광을 각각 복수의 피주사면으로 반사하는 복수의 반사미러를 구비하는 제2광학계;를 포함하며; 제1 및 제2광학계는 적어도 제1 및 제2광편향기가 각각 다른 평면에 배치된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 제1 및 제2주사광학계의 제1 및 제2광편향기를 각각 다른 평면에 배치하도록 함으로써, 광주사장치의 전체 폭 뿐만 아니라 감광체와 광주사장치 사이의 간격도 감소시킬 수 있다. 따라서, 광주사장치의 크기 및 그에 따른 화상형성장치의 크기가 감소될 수 있다.
광주사장치, 광편향기, 평면, 대칭, 배치, 폭, 크기, 감소

Abstract translation: 公开了一种光学扫描装置以及具有该光学扫描装置的图像形成装置，该光学扫描装置具有用于在多个感光器上同时形成光的多个光源。 光州老板值，第一光偏转器，并且穿过所述多个扫描透镜的光，并且用于对每个所述第一光偏转校正偏转光束错误扫描透镜在另一个方向上偏转，多个光源，从光源射出的光 第一光学系统，具有多个反射镜，每个反射镜由多个扫描表面反射; 以及多个光源，用于使从光源发射的光在不同方向上偏转的第二光偏转器以及用于校正由第二光偏转器偏转的光的误差的多个扫描透镜， 以及第二光学系统，其具有被所述被扫描面反射的多个反射镜， 第一和第二光学系统的特征在于，至少第一和第二光学偏转器分别设置在不同的平面上。 根据本发明，具有一个设置在所述第一和第一和第二不同平面中的第二扫描光学系统，以及光学扫描装置的整个宽度的光学偏转器还可以减小感光构件与所述光学扫描装置之间的间距 。 因此，可以减小光学扫描装置的尺寸以及相应的图像形成设备的尺寸。