公开(公告)号：KR101315473B1

公开(公告)日：2013-10-04

申请号：KR1020090120621

申请日：2009-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 구재본 ,  안종현 ,  강승열 ,  무사라트 ,  유인규 ,  조경익

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/78603

Abstract: 본 발명은 생산성 및 생산수율을 향상시키는 전이 박막트랜지스터 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 방법은, 제 1 기판에 제 1 방향으로 연장된 소스 영역, 드레인 영역, 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역사이의 채널 영역을 형성하고, 상기 제 1 기판에 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 연장된 트렌치들을 형성하여, 상기 트렌치들사이의 활성 층을 정의하고, 상기 트렌치들 내부의 상기 제 1 기판을 비등방성 식각공정으로 식각하여 상기 트렌치들 사이의 상기 활성 층을 상기 제 1 기판으로부터 분리하고, 상기 활성 층을 제 2 기판 상에 접합하고, 상기 활성 층의 상기 채널 영역 상에 게이트 전극을 상기 제 1 방향으로 형성하는 것을 포함할 수 있다.
활성(active), 플라스틱(plastic), 게이트(gate), 플렉시블(flexible), 식각(etching)

公开(公告)号：KR1020110064150A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：KR1020090120621

申请日：2009-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 구재본 ,  안종현 ,  강승열 ,  무사라트 ,  유인규 ,  조경익

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/78603 ,  H01L27/1262

Abstract: PURPOSE: A transferred thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to separate an active layer from a silicon wafer by a dry etching method and transfer the active layer to a flexible substrate, thereby maximizing productivity. CONSTITUTION: A source area(12), a drain area(14), and a channel area(15) are expanded on a first substrate(10) in a first direction. A trench(18) is expanded on the first substrate in the second direction crossing the first direction. A photoresist pattern(20) is formed on an active layer(16) between the trenches. The first substrate in the trench is etched by an anisotropic etching process so that the active layer is separated from the first substrate. The active layer is bonded with a second substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种转移的薄膜晶体管及其制造方法，通过干蚀刻方法将有源层与硅晶片分离，并将活性层转移到柔性基板上，从而最大限度地提高生产率。 构成：源区域（12），漏区（14）和沟道区（15）在第一方向上在第一衬底（10）上扩展。 沟槽（18）在与第一方向交叉的第二方向上在第一基板上膨胀。 光刻胶图形（20）形成在沟槽之间的有源层（16）上。 通过各向异性蚀刻工艺蚀刻沟槽中的第一衬底，使得有源层与第一衬底分离。 有源层与第二衬底结合。