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公开(公告)号：WO2011081473A2
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：PCT/KR2010/009555
申请日：2010-12-30
IPC: B41M5/03
CPC classification number: H01L29/458
Abstract: 본원은 그래핀 투명 전극, 이를 포함하는 플렉시블 실리콘 박막 반도체 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 화학 기상 증착법을 이용하여 제조되는 대면적 그래핀 필름을 도전막으로서 포함하는 그래핀 투명 전극을 이용하여 플렉시블하고 투명한 박막 반도체 소자를 용이하게 제조할 수 있다.
Abstract translation: 透明石墨烯电极及其制备方法技术领域本发明涉及透明石墨烯电极，含有该透明石墨烯电极的柔性硅薄膜半导体装置及其制备方法。 通过使用包含通过化学气相沉积制备的大面积石墨烯膜作为导电膜的透明石墨烯电极，可以容易地制备柔性和透明的薄膜半导体器件。
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公开(公告)号：KR1020110064150A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020090120621
申请日：2009-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L29/78603 , H01L27/1262
Abstract: PURPOSE: A transferred thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to separate an active layer from a silicon wafer by a dry etching method and transfer the active layer to a flexible substrate, thereby maximizing productivity. CONSTITUTION: A source area(12), a drain area(14), and a channel area(15) are expanded on a first substrate(10) in a first direction. A trench(18) is expanded on the first substrate in the second direction crossing the first direction. A photoresist pattern(20) is formed on an active layer(16) between the trenches. The first substrate in the trench is etched by an anisotropic etching process so that the active layer is separated from the first substrate. The active layer is bonded with a second substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种转移的薄膜晶体管及其制造方法，通过干蚀刻方法将有源层与硅晶片分离，并将活性层转移到柔性基板上，从而最大限度地提高生产率。 构成：源区域（12），漏区（14）和沟道区（15）在第一方向上在第一衬底（10）上扩展。 沟槽（18）在与第一方向交叉的第二方向上在第一基板上膨胀。 光刻胶图形（20）形成在沟槽之间的有源层（16）上。 通过各向异性蚀刻工艺蚀刻沟槽中的第一衬底，使得有源层与第一衬底分离。 有源层与第二衬底结合。
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公开(公告)号：KR101315473B1
公开(公告)日：2013-10-04
申请号：KR1020090120621
申请日：2009-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L29/78603
Abstract: 본 발명은 생산성 및 생산수율을 향상시키는 전이 박막트랜지스터 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 방법은, 제 1 기판에 제 1 방향으로 연장된 소스 영역, 드레인 영역, 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역사이의 채널 영역을 형성하고, 상기 제 1 기판에 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 연장된 트렌치들을 형성하여, 상기 트렌치들사이의 활성 층을 정의하고, 상기 트렌치들 내부의 상기 제 1 기판을 비등방성 식각공정으로 식각하여 상기 트렌치들 사이의 상기 활성 층을 상기 제 1 기판으로부터 분리하고, 상기 활성 층을 제 2 기판 상에 접합하고, 상기 활성 층의 상기 채널 영역 상에 게이트 전극을 상기 제 1 방향으로 형성하는 것을 포함할 수 있다.
활성(active), 플라스틱(plastic), 게이트(gate), 플렉시블(flexible), 식각(etching)-
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公开(公告)号：KR1020160096766A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：KR1020150018038
申请日：2015-02-05
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H05K1/0283 , H01B5/14 , G03F7/00 , H01B13/00
Abstract: 본발명은신축성투명전극에관한것으로, 굴곡진표면을갖는제 1 기판, 상기굴곡진표면을컨포말하게덮어, 굴곡진상부를갖는제 1 도전막, 상기제 1 도전막을컨포말하게덮어, 굴곡진상부를갖는제 2 도전막, 및상기제 2 도전막을덮는제 2 기판을포함하되, 상기제 1 도전막과상기제 2 도전막중 하나는금속막이고, 다른하나는그래핀막일수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种可拉伸透明电极，包括：具有弯曲表面的第一基底; 通过保形地覆盖弯曲表面的具有弯曲顶部的第一导电膜; 具有弯曲顶部的第二导电膜，其通过第一导电膜保形地覆盖; 以及用于覆盖第二导电膜的第二基板，其中第一和第二导电膜中的一个可以是金属膜，另一个可以是石墨烯膜。
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公开(公告)号：KR1020150081640A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：KR1020140001325
申请日：2014-01-06
Applicant: 한국전자통신연구원 , 울산대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은플렉서블전자소자의제조방법을제공한다. 이플렉서블전자소자의제조방법은입자를제공하는단계, 상기입자외부에탄소재료를증착하는단계, 상기탄소재료외부에전도성고분자를증착하는단계, 상기입자를제거하는단계, 및상기전도성고분자가증착된탄소재료를유연성기판상에증착하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种制造柔性电子元件的方法。 制造柔性电子元件的方法包括提供粒子的步骤; 将碳材料沉积在颗粒的外部的步骤; 将导电聚合物沉积在碳材料的外部的步骤; 去除颗粒的步骤; 以及将包含导电聚合物的碳材料沉积在柔性基板上的步骤。 因此，根据本发明，该方法能够制造具有3D皱纹结构并包含碳材料和导电聚合物的电极。
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公开(公告)号：KR1020150061159A
公开(公告)日：2015-06-04
申请号：KR1020130144635
申请日：2013-11-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/311 , G09F9/301 , H01L29/66477 , H01L51/0023 , H01L51/0055 , H01L51/0525 , H01L51/102 , H05K1/0283 , H05K1/0333 , H05K1/16 , H05K3/0017 , H05K3/007 , H05K2201/0133 , H05K2201/0162 , H05K2201/09036 , H05K2201/09045 , H05K2201/10166 , H05K2201/2009 , H05K2203/308 , H01L21/0273
Abstract: 본발명의일 실시예에따른전자회로의제조방법은기판을준비하는것, 상기기판상에고분자막을형성하는것, 상기고분자막을패터닝하여고분자패턴을형성하는것, 및상기고분자패턴상에전자소자를형성하는것을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的电子电路的制造方法包括：制备基板; 在基板上形成高分子膜; 通过图案化高分子膜形成高分子图案; 并在高分子图案上形成电子器件。
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公开(公告)号：KR1020140060822A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：KR1020120127615
申请日：2012-11-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L27/1218 , H01L27/1262 , H01L27/1266 , H01L21/76838 , H01L27/124
Abstract: A method for manufacturing a stretchable thin film transistor is disclosed. The method includes a step of forming a mold substrate, a step of forming a stretchable insulator on the mold substrate, a step of forming a flat substrate on the stretchable insulator, a step of removing the mold substrate, a step of forming discontinuous and winkled lines on the stretchable insulator, a step of forming a thin film transistor which is connected between the lines, and a step of removing the flat substrate.
Abstract translation: 公开了一种制造可拉伸薄膜晶体管的方法。 该方法包括形成模具基板的步骤，在模制基板上形成可拉伸绝缘体的步骤，在可拉伸绝缘体上形成平坦基板的步骤，去除模制基板的步骤，形成不连续和闪烁的步骤 在可拉伸绝缘体上的线，形成连接在线之间的薄膜晶体管的步骤和去除平坦基板的步骤。
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公开(公告)号：KR1020140043656A
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：KR1020130028125
申请日：2013-03-15
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: The present invention relates to a radio communication antenna and a radio communication device including the same. The radio communication antenna of the present invention includes: first conductive wires extending in opposite directions with respect to a first direction on a substrate to form a dipole antenna; second conductive wires separated from the first conductive wires to be parallel with the first conductive wires; and stubs connected between the first conductive wires and the second conductive wires in a second direction intersecting with the first direction.
Abstract translation: 无线电通信天线和包括该无线电通信天线的无线电通信装置技术领域本发明涉及无线电通信天线和包括该无线电通信天线的无线电通信装置。 本发明的无线电通信天线包括：在基板上相对于第一方向相反方向延伸的第一导线，以形成偶极子天线; 第二导线与第一导线分离以与第一导线平行; 以及在与第一方向相交的第二方向上连接在第一导线与第二导线之间的短截线。
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公开(公告)号：KR1020140038161A
公开(公告)日：2014-03-28
申请号：KR1020120104549
申请日：2012-09-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L29/41733 , H01L29/66742 , H01L29/786 , H01L29/78636 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0076 , H01L51/0097 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/102 , H01L27/1266 , H01L29/42384
Abstract: A thin-film transistor according to one embodiment of the present invention includes: a source electrode and a drain electrode which are buried in a first flexible substrate; a semiconductor layer which is placed on the first flexible substrate to be placed between the source and the drain electrode; a gate insulating layer which completely covers the semiconductor layer; and a gate electrode which faces the semiconductor layer on the gate insulating layer.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例的薄膜晶体管包括：源电极和漏电极，其被埋在第一柔性基板中; 放置在第一柔性基板上以放置在源极和漏极之间的半导体层; 完全覆盖半导体层的栅极绝缘层; 以及与栅极绝缘层上的半导体层相对的栅电极。
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