公开(公告)号：KR1020080104581A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：KR1020070051530

申请日：2007-05-28

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박종혁 ,  맹성렬 ,  박래만 ,  홍성현 ,  김원식

IPC: H01L21/205 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02603 ,  H01L21/02664

Abstract: The method for manufacturing metal oxide nanostructures using the rapid thermal deposition is provided to use the relatively wide substrate. Therefore, the nanostructures of the high quality are mass-produced. The method for manufacturing metal oxide nanostructures comprises as follows. A step(S10) is for preparing chamber having one or the halogen lamps. A step(S20) is for charging the metal source within the chamber and substrate. A step(S30) is for supplying the carrier gas having the flux of the substrate direction from the metal source within the chamber. A step(S40) is for heating the metal source by using the halogen lamp to form the metal oxide nanostructures on the substrate. A step(S50) is for cooling the metal oxide nanostructures formed in the substrate.

Abstract translation: 提供使用快速热沉积制造金属氧化物纳米结构的方法来使用相对宽的衬底。 因此，高质量的纳米结构大量生产。 金属氧化物纳米结构体的制造方法如下。 步骤（S10）用于制备具有一个或卤素灯的室。 步骤（S20）用于对室和衬底内的金属源进行充电。 步骤（S30）用于从腔室内的金属源供给具有基板方向的通量的载气。 步骤（S40）是通过使用卤素灯在基板上形成金属氧化物纳米结构来加热金属源。 步骤（S50）是用于冷却在基板中形成的金属氧化物纳米结构体。

公开(公告)号：KR100953825B1

公开(公告)日：2010-04-20

申请号：KR1020070051530

申请日：2007-05-28

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박종혁 ,  맹성렬 ,  박래만 ,  홍성현 ,  김원식

IPC: H01L21/205 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 나노구조물의 형성 전후의 원하지 않는 반응을 억제하여 고품질의 금속산화물 나노구조물을 제작할 수 있는 급속 열증착을 이용한 금속산화물 나노구조물 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 급속 열증착을 이용한 금속산화물 나노구조물 제조방법은 하나 또는 그 이상의 할로겐 램프들이 그 주위에 설치된 챔버를 준비하는 단계, 챔버 내에 금속 소스 및 기판을 장입하는 단계, 금속 소스로부터 기판 방향의 유속을 갖는 캐리어 가스를 챔버 내로 공급하는 단계, 기판 상에 금속산화물 나노구조물을 형성하기 위하여, 할로겐 램프를 이용하여 금속 소스를 가열하는 단계, 및 기판 상에 형성된 금속산화물 나노구조물을 냉각하는 단계를 포함한다.
금속산화물, 나노구조물, 급속 열증착, 할로겐램프