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公开(公告)号：KR100953825B1
公开(公告)日：2010-04-20
申请号：KR1020070051530
申请日：2007-05-28
Applicant: 한국전자통신연구원 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/205 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 나노구조물의 형성 전후의 원하지 않는 반응을 억제하여 고품질의 금속산화물 나노구조물을 제작할 수 있는 급속 열증착을 이용한 금속산화물 나노구조물 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 급속 열증착을 이용한 금속산화물 나노구조물 제조방법은 하나 또는 그 이상의 할로겐 램프들이 그 주위에 설치된 챔버를 준비하는 단계, 챔버 내에 금속 소스 및 기판을 장입하는 단계, 금속 소스로부터 기판 방향의 유속을 갖는 캐리어 가스를 챔버 내로 공급하는 단계, 기판 상에 금속산화물 나노구조물을 형성하기 위하여, 할로겐 램프를 이용하여 금속 소스를 가열하는 단계, 및 기판 상에 형성된 금속산화물 나노구조물을 냉각하는 단계를 포함한다.
금속산화물, 나노구조물, 급속 열증착, 할로겐램프-
公开(公告)号：KR1020080104581A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：KR1020070051530
申请日：2007-05-28
Applicant: 한국전자통신연구원 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/205 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/02603 , H01L21/02664
Abstract: The method for manufacturing metal oxide nanostructures using the rapid thermal deposition is provided to use the relatively wide substrate. Therefore, the nanostructures of the high quality are mass-produced. The method for manufacturing metal oxide nanostructures comprises as follows. A step(S10) is for preparing chamber having one or the halogen lamps. A step(S20) is for charging the metal source within the chamber and substrate. A step(S30) is for supplying the carrier gas having the flux of the substrate direction from the metal source within the chamber. A step(S40) is for heating the metal source by using the halogen lamp to form the metal oxide nanostructures on the substrate. A step(S50) is for cooling the metal oxide nanostructures formed in the substrate.
Abstract translation: 提供使用快速热沉积制造金属氧化物纳米结构的方法来使用相对宽的衬底。 因此，高质量的纳米结构大量生产。 金属氧化物纳米结构体的制造方法如下。 步骤（S10）用于制备具有一个或卤素灯的室。 步骤（S20）用于对室和衬底内的金属源进行充电。 步骤（S30）用于从腔室内的金属源供给具有基板方向的通量的载气。 步骤（S40）是通过使用卤素灯在基板上形成金属氧化物纳米结构来加热金属源。 步骤（S50）是用于冷却在基板中形成的金属氧化物纳米结构体。
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公开(公告)号：KR100799570B1
公开(公告)日：2008-01-31
申请号：KR1020060053897
申请日：2006-06-15
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B33/02 , C01B33/027 , C30B25/00 , C30B29/06 , C30B29/602 , H01L21/02532 , H01L21/02606 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/16
Abstract: 본 발명은 기판 상에 비촉매 금속 아일랜드를 형성하고, 상기 비촉매 금속 아일랜드 주위를 둘러싸게 촉매 금속 도넛을 형성하고, 상기 촉매 금속 도넛 상에 실리콘 나노튜브를 성장시켜 실리콘 나노튜브를 제조한다. 본 발명은 촉매 금속 도넛을 이용하여 실리콘 나노튜브를 효과적으로 성장시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070119358A
公开(公告)日：2007-12-20
申请号：KR1020060053897
申请日：2006-06-15
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B33/02 , C01B33/027 , C30B25/00 , C30B29/06 , C30B29/602 , H01L21/02532 , H01L21/02606 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/16
Abstract: A method for manufacturing silicon nanotubes is provided to produce silicon nanotubes more effectively by growing silicon nanotubes using doughnut-shape catalytic metal. A method for manufacturing silicon nanotubes includes the steps of: forming non-catalytic metal islands(104) on a substrate(100); forming catalytic metal doughnuts(106) to surround the non-catalytic metal islands; and growing silicon nanotubes(108) on the catalytic metal doughnuts. The non-catalytic metal island is formed by forming a non-catalytic metal layer on the substrate, followed by heat-treating the non-catalytic metal layer. Further, the non-catalytic metal layer is chrome, platinum or vanadium.
Abstract translation: 提供一种制造硅纳米管的方法，通过使用环形催化金属生长硅纳米管，更有效地制造硅纳米管。 制造硅纳米管的方法包括以下步骤：在衬底（100）上形成非催化金属岛（104）; 形成催化金属甜甜圈（106）以包围所述非催化金属岛; 以及在催化金属甜甜圈上生长硅纳米管（108）。 通过在基板上形成非催化金属层，然后对非催化金属层进行热处理，形成非催化金属岛。 此外，非催化金属层是铬，铂或钒。
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公开(公告)号：KR100723882B1
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：KR1020060053896
申请日：2006-06-15
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 기판 상에 실리콘 나노점을 갖는 실리콘 나노점 박막을 형성하고, 상기 실리콘 나노점을 핵생성층으로 하여 상기 실리콘 나노점 박막 상에서 실리콘 나노 와이어를 성장시킨다. 본 발명은 금속 촉매 아일랜드를 사용하지 않고 실리콘 질화물 기저체 내에 실리콘 나노점이 형성된 실리콘 나노점 박막을 핵생성층으로 하여 실리콘 나노와이어를 제조할 수 있다.
Abstract translation: 本发明是生长在硅纳米点的硅纳米线和所述硅纳米点的薄膜，并且形成具有在衬底上的成核层的纳米硅纳米点的硅薄膜。 本发明能够制造使用硅纳米薄膜硅形成于硅氮化物的基体，而不使用在爱尔兰成核层的金属催化剂纳米点的硅纳米线。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR100576704B1
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020030078333
申请日：2003-11-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L45/00
Abstract: 본 발명의 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로는, 전원과, 급격한 금속-절연체 상전이형 소자와, 그리고 저항요소를 구비한다. 급격한 금속-절연체 상전이형 소자는, 전원에 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며, 제1 전극 및 제2 전극 사이에 전계가 인가됨에 따라 급격한 금속-절연체 상전이 특성을 나타낸다. 그리고 저항요소는 전원과 급격한 금속-절연체 상전이형 소자 사이에 연결되어 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 관통하는 대량의 전류를 제어한다. 이에 따르면 급격하게 발생하는 대량의 전류에 의해 급격한 금속-절연체 상전이형 소자가 파탄되는 현상을 방지할 수 있으며, 다양한 응용분야에 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로를 적용할 수 있게 된다.
금속-절연체 상전이, 모트 트랜지스터, 대전류 제어회로-
公开(公告)号：KR1020050043431A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：KR1020030078333
申请日：2003-11-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L45/00
Abstract: 본 발명의 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로는, 전원과, 급격한 금속-절연체 상전이형 소자와, 그리고 저항요소를 구비한다. 급격한 금속-절연체 상전이형 소자는, 전원에 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며, 제1 전극 및 제2 전극 사이에 전계가 인가됨에 따라 급격한 금속-절연체 상전이 특성을 나타낸다. 그리고 저항요소는 전원과 급격한 금속-절연체 상전이형 소자 사이에 연결되어 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 관통하는 대량의 전류를 제어한다. 이에 따르면 급격하게 발생하는 대량의 전류에 의해 급격한 금속-절연체 상전이형 소자가 파탄되는 현상을 방지할 수 있으며, 다양한 응용분야에 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로를 적용할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1020080103824A
公开(公告)日：2008-11-28
申请号：KR1020070051050
申请日：2007-05-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/0275 , B82Y40/00 , G03F7/202 , G03F7/2059
Abstract: A gold pattern formation method using the gold electron-beam resist is provided to form the gold pattern of nano scale using the electron beam writer. A gold pattern formation method using the gold electron-beam resist includes the step for synthesizing the gold electron-beam resist(200); the step for forming the gold electron beam resist film by coating the synthesized gold electron-beam resist on the top of the substrate(220); the step for forming the gold electron beam resist pattern by patterning the gold electron beam resist film using the electron beam writer(260); the step for changing the gold pattern into the gold electron beam resist pattern by applying the thermal treatment to the gold electron beam resist pattern.
Abstract translation: 提供使用金电子束抗蚀剂的金图案形成方法，以使用电子束写入器形成纳米尺度的金图案。 使用金电子束抗蚀剂的金图案形成方法包括合成金电子束抗蚀剂（200）的步骤。 通过在基板（220）的顶部涂覆合成的金电子束抗蚀剂来形成金电子束抗蚀剂膜的步骤; 通过使用电子束写入器（260）图案化金电子束抗蚀剂膜来形成金电子束抗蚀剂图案的步骤; 通过对金电子束抗蚀剂图案进行热处理来将金图案改变为金电子束抗蚀剂图案的步骤。
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公开(公告)号：KR100853200B1
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：KR1020070035723
申请日：2007-04-11
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L29/267 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/068
Abstract: A nanowire of multi-structure and a fabrication method thereof are provided to obtain a nanowire for optical element or electronic device by jointing silicon nanowire at both ends of compound semiconductor nanorod. A nanowire of multi-structure(100) has: a nanorod(110) of group II-VI compound or group III-V compound; and a silicon nanowire(130) which is jointed with each end in the opposite site of the nanorod and extended to each end of the nanorod, respectively. The compound semiconductor is one selected from a group consisting of AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, InP, InAs, InSb, AlInGaP, AlGaAs, InGaN, CdS, CdSe, CdTe, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, TiO2, HgTe and CdHgTe. A fabrication method of the nanowire of multi-structure comprises steps of: preparing a number of compound semiconductor; forming catalyst tip(120) at both ends of the nanorod; and growing silicon nanowire at both ends of the nanorod having catalyst tip. The catalyst tip is removed by wet-process after completing the growing of the silicon nanowire. The step of growing the silicon nanowire comprises a process comprising steps of: dispersing the nanorod on a substrate; and putting the substrate having the dispersed nanorod to a chamber in a silicon source atmosphere and subjecting the chamber to heat-treatment in order to decompose the silicon source to silicon element or silicon molecule.
Abstract translation: 提供多结构的纳米线及其制造方法，以通过在化合物半导体纳米棒的两端连接硅纳米线来获得光学元件或电子器件的纳米线。 多结构（100）的纳米线具有：II-VI族化合物或III-V族化合物的纳米棒（110）; 和一个硅纳米线（130），其分别与纳米棒的相对位置的每个端部连接并分别延伸到纳米棒的每一端。 化合物半导体是选自AlN，AlP，AlAs，GaN，GaP，GaAs，InP，InAs，InSb，AlInGaP，AlGaAs，InGaN，CdS，CdSe，CdTe，ZnO，ZnS，ZnSe，ZnTe，TiO2中的一种 ，HgTe和CdHgTe。 多结构纳米线的制造方法包括以下步骤：制备多种化合物半导体; 在纳米棒的两端形成催化剂尖端（120）; 并在具有催化剂末端的纳米棒的两端生长硅纳米线。 在完成硅纳米线的生长之后，通过湿法除去催化剂尖端。 生长硅纳米线的步骤包括以下步骤：将纳米棒分散在基底上; 并将具有分散的纳米棒的基板放置在硅源气氛中的室中，并对该室进行热处理，以将硅源分解成硅元素或硅分子。
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