公开(公告)号：KR102233750B1

公开(公告)日：2021-04-01

申请号：KR1020140078173A

申请日：2014-06-25

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  한국과학기술원

Inventor： 박종혁 ,  양종헌 ,  유승협 ,  최정민 ,  추혜용 ,  황치선

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/335

Abstract: 본 발명은 기상 제트 프린팅을 이용한 금속 산화물 박막의 형성 방법 및 금속 산화물 박막 프린팅 장치에 관한 것으로, 상기 금속 산화물 박막의 형성 방법은, 제1 금속 산화물 전구체를 기화시키는 것; 기화된 상기 제1 금속 산화물 전구체를 제1 캐리어 가스를 이용하여 혼합 챔버로 유입시키는 것; 유입된 상기 제1 금속 산화물 전구체를 상기 혼합 챔버의 하단에 연결된 마이크로 노즐을 통해 기판 상으로 분사하여, 상기 기판 상에 제1 금속 산화물 전구체층을 형성하는 것; 및 상기 제1 금속 산화물 전구체층에 전자기파를 조사하여 제1 금속 산화물층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080104581A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：KR1020070051530

申请日：2007-05-28

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박종혁 ,  맹성렬 ,  박래만 ,  홍성현 ,  김원식

IPC: H01L21/205 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02603 ,  H01L21/02664

Abstract: The method for manufacturing metal oxide nanostructures using the rapid thermal deposition is provided to use the relatively wide substrate. Therefore, the nanostructures of the high quality are mass-produced. The method for manufacturing metal oxide nanostructures comprises as follows. A step(S10) is for preparing chamber having one or the halogen lamps. A step(S20) is for charging the metal source within the chamber and substrate. A step(S30) is for supplying the carrier gas having the flux of the substrate direction from the metal source within the chamber. A step(S40) is for heating the metal source by using the halogen lamp to form the metal oxide nanostructures on the substrate. A step(S50) is for cooling the metal oxide nanostructures formed in the substrate.

Abstract translation: 提供使用快速热沉积制造金属氧化物纳米结构的方法来使用相对宽的衬底。 因此，高质量的纳米结构大量生产。 金属氧化物纳米结构体的制造方法如下。 步骤（S10）用于制备具有一个或卤素灯的室。 步骤（S20）用于对室和衬底内的金属源进行充电。 步骤（S30）用于从腔室内的金属源供给具有基板方向的通量的载气。 步骤（S40）是通过使用卤素灯在基板上形成金属氧化物纳米结构来加热金属源。 步骤（S50）是用于冷却在基板中形成的金属氧化物纳米结构体。

公开(公告)号：KR100953825B1

公开(公告)日：2010-04-20

申请号：KR1020070051530

申请日：2007-05-28

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박종혁 ,  맹성렬 ,  박래만 ,  홍성현 ,  김원식

IPC: H01L21/205 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 나노구조물의 형성 전후의 원하지 않는 반응을 억제하여 고품질의 금속산화물 나노구조물을 제작할 수 있는 급속 열증착을 이용한 금속산화물 나노구조물 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 급속 열증착을 이용한 금속산화물 나노구조물 제조방법은 하나 또는 그 이상의 할로겐 램프들이 그 주위에 설치된 챔버를 준비하는 단계, 챔버 내에 금속 소스 및 기판을 장입하는 단계, 금속 소스로부터 기판 방향의 유속을 갖는 캐리어 가스를 챔버 내로 공급하는 단계, 기판 상에 금속산화물 나노구조물을 형성하기 위하여, 할로겐 램프를 이용하여 금속 소스를 가열하는 단계, 및 기판 상에 형성된 금속산화물 나노구조물을 냉각하는 단계를 포함한다.
금속산화물, 나노구조물, 급속 열증착, 할로겐램프

公开(公告)号：KR101754282B1

公开(公告)日：2017-07-06

申请号：KR1020110028909

申请日：2011-03-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박종혁 ,  강승열

IPC: H01L29/06 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/265 ,  H01L29/66 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L21/02 ,  H01L29/76

CPC classification number: H01L29/7606 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/127 ,  H01L29/413 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/78696

Abstract: 본발명은터널링소자및 그의제조방법을개시한다. 그의소자는, 기판과, 상기기판상에형성된복수개의전극들과, 상기복수개의전극들사이에형성되고, 불순물로도핑된나노입자층을포함할수 있다. 상기나노입자층은상기불순물에의해상기복수개의전극들간에인가되는일정바이어스전압에서전류피크가나타나는터널링현상을가질수 있다.

Abstract translation: 本发明公开了一种隧穿元件及其制造方法。 元件可以包括衬底，形成在衬底上的多个电极以及形成在多个电极之间并掺杂有杂质的纳米颗粒层。 纳米颗粒层可能具有隧道现象，其中电流峰值出现在由杂质施加在多个电极之间的恒定偏压下。

公开(公告)号：KR1020150081026A

公开(公告)日：2015-07-13

申请号：KR1020140000574

申请日：2014-01-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 황치선 ,  박상희 ,  조성행 ,  오힘찬 ,  양종헌 ,  유민기 ,  변춘원 ,  피재은 ,  이수재 ,  박종혁 ,  추혜용

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L29/78696

Abstract: 박막트랜지스터가제공된다. 박막트랜지스터는기판, 상기기판위에형성된활성층, 상기활성층위에형성된게이트절연막, 상기게이트절연막위에형성된게이트전극, 상기게이트전극양쪽의상기활성층에형성된도핑영역, 및상기게이트전극양측의상기기판상에서로이격되고상기도핑영역과직접접촉하는소스전극및 드레인전극을포함한다.

Abstract translation: 本发明提供一种薄膜晶体管。 薄晶体管包括衬底; 形成在所述基板上的有源层; 形成在有源层上的栅极绝缘膜; 形成在栅极绝缘膜上的栅电极; 形成在栅电极两侧的有源层上的掺杂区域; 以及源电极和漏电极在栅极两侧的衬底上彼此分离，并与掺杂区域直接接触。 因此，本发明能够提供没有接触工艺的自配置型半导体薄膜晶体管结构。

公开(公告)号：KR101306985B1

公开(公告)日：2013-09-10

申请号：KR1020100018043

申请日：2010-02-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박종혁 ,  오지영

IPC: G01N27/12 ,  H01L21/28 ,  G01N27/02

Abstract: 가스감지 센서 및 그 형성방법이 제공된다. 가스감지 센서의 형성방법은 기판 상에 감지 전극을 형성하는 것, 그리고 감지 전극에 접촉하며, 금속 산화물 나노입자를 포함하는 감지막을 형성하는 것을 포함한다. 감지막은 용액 공정(solution process)을 수행하여 형성된다.

公开(公告)号：KR101097219B1

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：KR1020070098887

申请日：2007-10-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박종혁 ,  강만구 ,  전용석 ,  이승엽 ,  윤호경 ,  박헌균 ,  김종대

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01G9/2031 ,  C25D11/02 ,  C25D11/34 ,  C25D13/02 ,  H01G9/2059 ,  H01L51/0086 ,  Y02E10/542 ,  Y10T428/24174

Abstract: 본 발명의 나노 복합체의 제조방법은 기판에 수직한 방향으로 복수개의 나노 튜브들을 형성하는 단계와, 나노 튜브에 복합화될 복수개의 나노 입자들을 합성하되, 나노 입자의 직경은 나노 튜브의 내부 직경이나 나노 튜브들 사이의 간격보다 작게 하는 단계와, 상기 나노 입자들을 합성한 다음, 상기 합성된
복수개의 나노 입자들을 나노 튜브의 내부나 나노 튜브들 사이에 위치시키는 단계를 포함하되, 나노 입자들은 전기영동법, 스핀 코팅법, 또는 딥 코팅법에 의하여 나노 튜브의 내부나 상기 나노 튜브들 사이에 위치시키고, 나노 입자들은 티타늄 산화물, 주석 산화물, 아연 산화물, 텅스텐 산화물 또는 이들의 혼합물로 형성한다.

公开(公告)号：KR1020100066271A

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：KR1020090024626

申请日：2009-03-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박종혁

IPC: H01L41/02 ,  B82B1/00

CPC classification number: H01L41/0478 ,  B82B1/002 ,  H01L41/18 ,  H01L41/29 ,  H01L41/35

Abstract: PURPOSE: A nano piezoelectric device and a forming method thereof are provided to improve generation efficiency by maximizing the deformation per unit volume. CONSTITUTION: A nano wire(120) is extended upward from a lower electrode(110). An upper electrode(130) is formed on the nano wire. The nano wire includes a wire shell(124) and a wire core which have conductivity. The wire shell is made of piezoelectric materials. An electric charge generated from the wire shell is emitted to the upper electrode and the lower electrode through the wire core.

Abstract translation: 目的：提供纳米压电器件及其形成方法，以通过使每单位体积的变形最大化来提高发电效率。 构成：纳米线（120）从下电极（110）向上延伸。 在纳米线上形成上电极（130）。 纳米线包括具有导电性的线壳（124）和线芯。 线壳由压电材料制成。 从线壳产生的电荷通过线芯发射到上电极和下电极。

公开(公告)号：KR100943173B1

公开(公告)日：2010-02-19

申请号：KR1020070118064

申请日：2007-11-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박헌균 ,  이승엽 ,  강만구 ,  전용석 ,  윤호경 ,  박종혁 ,  김종대

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  H01L51/0086 ,  Y02E10/542

Abstract: 에너지 효율을 높일 수 있는 염료감응 태양전지를 개시한다. 본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 서로 대향하고 있는 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재되어 있는 전해질층을 포함하되, 상기 제1 전극은 투명한 다공성 전도층 및 상기 다공성 전도층의 공극과 상기 다공성 전도층의 상기 제2 전극을 향한 표면에 형성되어 있는 나노입자 반도체 산화물 및 상기 나노입자 반도체 산화물층에 흡착되어 있는 염료분자를 포함한다.
염료감응 태양전지, 다공성 전도층, 공극, 나노입자 반도체 산화물, 염료분자

公开(公告)号：KR100932903B1

公开(公告)日：2009-12-21

申请号：KR1020070098886

申请日：2007-10-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전용석 ,  강만구 ,  이승엽 ,  윤호경 ,  박종혁 ,  박헌균 ,  김종대

IPC: H01L21/20 ,  H01L51/00 ,  H01L33/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L51/5206 ,  H01L51/442 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: The present invention provides a conductive substrate structure with controlled nanorod density so that the contact between a conductive substrate and an active layer can be expanded, and a method of manufacturing the conductive substrate structure. The conductive substrate structure includes: a base substrate (100), and a conductive substrate (200) formed on the base substrate (100), and surface treated with an organic molecule; and nanorods (300) grown from a seed layer applied on the conductive substrate, wherein the seed layer is applied only on a predetermined region of the conductive substrate by using the self-assembling characteristics of the organic molecule, and thus, controlling the density of the nanorods (300). Furthermore, the method of manufacturing the substrate structure includes: treating a conductive substrate (200), formed on top of a base substrate (100), with an organic molecule; applying the seed layer only to a predetermined region of the conductive substrate by using the self-assembling characteristics of the organic molecules: and growing nanorods (300) with a controlled density from the seed layer.

Abstract translation: 本发明提供一种具有可控纳米棒密度的导电衬底结构，从而可以扩大导电衬底和有源层之间的接触，以及制造该导电衬底结构的方法。 导电基板结构包括：基底基板（100）和形成在基底基板（100）上并用有机分子表面处理的导电基板（200） 以及从施加在导电基板上的种子层生长的纳米棒（300），其中通过使用有机分子的自组装特性仅将种子层施加到导电基板的预定区域上，并且因此控制 纳米棒（300）。 此外，制造衬底结构的方法包括：用有机分子处理在基础衬底（100）的顶部上形成的导电衬底（200） 通过使用有机分子的自组装特征，仅将种子层施加到导电基底的预定区域;以及从种子层以受控的密度生长纳米棒（300）。